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121.
840D车轮辐板孔裂纹扩展速率da/dt具有很大分散性,其分散性主要来源于车轮载荷分散性,可用da/dt=Q·a(a≤35 mm时)来表达,裂纹扩展参数Q代表了da/dt的分散性.现场调查获得840D车轮辐板孔裂纹有效数据共3974组,是裂纹长度a及其形成时间t的孤立数据点.通过统计方法分析表明不同裂纹长度下的裂纹形成时间分布(TTCI)很好地符合双参数威布尔分布.建立了裂纹扩展的概率模型,通过不同裂纹长度及其对应的不同可靠度下的裂纹形成时间,拟合获得了不同可靠度下的裂纹扩展速率参数Q.数据分析表明Q服从正态分布,即,Q~N(0.918,0.3112). 相似文献
122.
123.
喷涂与激光重熔技术制备镍基纳米钴包碳化物复合涂层的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用横流2.0kW CO2激光器,在45钢表面制备了表面较平整、较细密、基本消除了裂纹与孔隙并与基体呈冶金结合的镍基纳米WC/Co复合涂层。通过SEM,EDAX,XRD,AFM及Nano Indenter XP分析了熔覆层的显微组织、成分、物相及结合强度。结果表明,涂层的显微组织为涂层中镶嵌着大量与Ni基合金结合良好的WC/C。颗粒,其中在原子力显微镜下可见相当数量的粒度≤100μm的纳米颗粒。涂层的结合强度比传统热喷涂涂层提高了2.1倍。涂层中纳米WC/Co的纳米效应在激光熔覆中起着重要作用。 相似文献
124.
高能球磨制备Al3Ti/Al块体纳米晶复合材料 总被引:3,自引:1,他引:3
通过对Al Ti系和Al TiO2 系进行高能球磨和压制烧结制备了固态原位反应生成的纳米晶块体Al3Ti/Al复合材料。研究表明 :Al Ti合金系高能球磨后 ,各组元晶粒得到细化 ,并且Ti在Al中发生了强制超饱和固溶 ,烧结时原位反应形成纳米晶Al3Ti/Al复合材料 ;而Al TiO2 反应体系高能球磨仅发生组分晶粒细化 ,烧结时TiO2 部分还原并和Al原位反应生成纳米晶 (Ti2 O3 Al3Ti) /Al复合材料。 相似文献
125.
126.
127.
Al、Cu二元合金系烧结过程的原位观察 总被引:1,自引:1,他引:1
利用高温光学显微镜(HTOM)对由纯铝粉和纯铜粉制得的二元粉末体系进行了原位烧结试验,原位观察结果表明:经典烧结理论对塑性粉末体系不再适用;该体系烧结的典型物理过程可概括为颗粒边界熔化、晶界熔化、颗粒熔化,最后为合金元素铜的扩散均匀化,而这四个阶段在时间上并不能严格分开,而是交叠进行的;边界熔化受颗粒表面氧化膜破碎、表面曲率和颗粒变形等因素影响;晶界扩散在烧结过程中始终起着非常重要的作用.这些结果为进一步合理制定和优化烧结工艺提供了直接的参照依据. 相似文献
128.
129.
研究了铸造多晶硅中不同温度单步退火下氧沉淀的形成规律。实验发现,单步热处理工艺下铸造多晶硅中氧沉淀的形成规律和单晶硅的基本相似,但是在铸造多晶硅中形成氧沉淀的量明显高于直拉单晶硅中氧沉淀的量;在含高密度位错的单晶硅中形成氧沉淀的量远高于无位错单晶硅中氧沉淀的生成量,而有晶界的多晶硅中形成氧沉淀生成量仅稍微高于无晶界单晶硅中氧沉淀生成量。以上结果表明,铸造多晶硅中位错对氧沉淀的形成有明显的促进作用,而晶界则对氧沉淀的促进作用不是很显著。最后,基于实验结果讨论了铸造多晶硅中初始氧浓度,位错和晶界对氧沉淀影响的机理。 相似文献
130.