标识化语言的发展及在电子物流中的应用

重点阐述了XML技术的发展和对EDI技术的有效补充与改进，并展望基于XML技术的电子商务物流数据交换技术的发展前景。     

一种改进的交错脉冲解速度模糊方法

研究了脉冲多普勒气象雷达中用于解速度模糊的交错脉冲方法，理论分析了时域脉冲对处理中速度估计公式的局限性，同时对该公式进行了修正。仿真结果表明，改进的交错脉冲方法具有更好的解速度模糊性能，而且易于实时处理。     

MEMS移相器及其在微型通信系统中的应用

从传统移相器的构造和原理出发，进一步分析了MEMS移相器的结构、特性。结果表明，MEMS移相器具有传统移相器所无法比拟的体积小、损耗小、成本低、频带宽、易于集成等突出优点。随着高阻硅衬底在微波领域应用的扩展，MEMS移相器介质损耗大幅度降低，将能与信号处理电路一同集成于硅衬底上，便于相控阵雷达等通信系统实现微小型化。     

ADμ C845在配料控制器中的应用

本文从应用角度出发，介绍了ADμ C845的主要特点、功能及其使用要点。在此基础上，根据配料生产的工艺要求，以ADμ C845为核心，设计了一种新型配料控制器。详细介绍了仪表的硬件电路设计，给出了A／D转换部分C51源程序。该仪表具有自动称重、配料控制和联机通信等功能，实际使用运行稳定、效果良好。     

准噶尔盆地侏罗系储集层的基本特征及其主控因素分析

从描述储集层基本特征、分析储集层性质的主控因素、建立储集层成因模式和评价、预测储集层性质这 4个层次 ,研究准噶尔盆地重点勘探目标区的侏罗系储集层。系统总结侏罗系储集层岩石学特征 ,认为成岩压实作用强弱是控制储集层性质的关键因素 ;指出相对优质储集层均为剩余原生粒间孔隙型储集层 ,溶蚀作用对渗透率贡献小 ;非煤系储集层的孔隙保存条件明显比煤系储集层好 ,这是三工河组、头屯河组和吐谷鲁群的物性普遍优于八道湾组和西山窑组的原因。在确定储集层性质的控制因素和控制机理基础上 ,建立了煤系和非煤系两大类储集层的成因 演化模型。在上述研究的基础上 ,分地区、分层位评价了储集层 ,并预测了不同渗透率储集层的深度界线及相对优质储集层的平面分布。图 6参 10     

露天矿半连续工艺技术应用现状及发展前景

介绍了露天矿半连续工艺技术国内外应用现状、研究成果以及发展趋势。     

论西北地区地下水的开发利用与保护

本文通过分析西北地区的水资源时空分布特点和水循环特点、地下水开发利用现状以及开发利用中出现的生态环境问题，总结了西北地区多年来水资源开发利用的成功经验和失败教训，提出今后地下水资源合理开发利用的几点建议：即提高社会对西北地区地下水的认识，适度增大地下水开采；充分发挥地下水的一态环境调节作用，水资源开发与生态环境保护并举；遵循地表水与地下水的多次相互转化规律，提高水资源总体利用率；水资源开发利用与水资源涵养相结合；加强西北地区地下水的调查与研究。     

α-蒎烯催化加氢反应的研究

以FYX - 2G型高压搅拌釜为加氢反应器 ,测定了在不同搅拌器型式和搅拌转速下高压釜的持气量和反应效果 ,认识到α 蒎烯催化加氢是外扩散控制的反应 ,当搅拌转速为 6 0 0r/min时 ,基本上能消除外扩散的影响。考察了Raney镍和Pd/C催化剂、反应温度在 35 3～ 499K ,压力在 4 0～ 10MPa的条件下对α 蒎烯加氢转化率和选择性的影响 ,结果表明Raney镍更适宜于α 蒎烯催化加氢 ,其转化率随温度、压力增加而提高 ,但选择性下降。采用温度 35 3～ 433K、压力 4 0～ 7 0MPa的操作序列 ,克服了α 蒎烯加氢转化率与选择性互为逆向的缺点 ,缩短了反应时间 ,制得了顺反比高达 18 2∶1的蒎烷 ,并且发现加氢反应从温度 433K开始有副产物对烷生成 ,当温度超过 45 6K时 ,加氢过程还出现飞温现象。     

NBR/PP热塑性弹性体研究进展

阐述了NBR／PP共混热塑性弹性体动态硫化胶的国内外研究进展、微观相态结构、性能、应用及展望。     

Improvement of RCA transistor using RTA annealing after theformation of interfacial oxide

A polysilicon emitter RCA transistor (an ultra-thin interfacial oxide layer exists between polysilicon and silicon emitter) is presented which can operate at 77 K for the first time. An ultra-thin (1.5 nm) interfacial oxide layer is grown deliberately between polysilicon and silicon emitter using RCA oxidation and excellent device stability is obtained after rapid thermal annealing (RTA) treatment in nitrogen atmosphere. The RCA transistor exhibits good electrical performance at very low temperature for an emitter area of 3 × 8 μm². The maximum toggle frequency of a 1:2 static divider is 1.2 GHz and 732 MHz at 300 K and 77 K, respectively