Cd2+-H2O系羟合配离子配位平衡

根据配位化学热力学平衡原理,绘制了Cd^2＋-H2O系配合离子浓度pc-pH图、镉羟合配离子分率αn-pH图及Cd（OH）2条件溶度积pKS-pH图。pc-pH图描述了Cd（OH）2（s）溶解平衡时,镉的总离子平衡浓度与pH的关系。当pH为9.84～13.31时,Cd（OH）2的溶解度最小;αn-pH图指出了各种羟合配离子分率与pH关系,每种羟合配离子都对应有其存在的最佳pH范围。Cd（OH）2（s）的条件溶度积pKS-pH图表明：当pH值在9.5～10.5范围内,Cd（OH）2（s）的条件溶度积最小。研究结果可为中和水解法去除废水中镉等技术提供理论依据。     

气动机械手的应用现状及发展前景

随着工业机械化和自动化的发展以及气动技术自身的一些优点,气动机械手已经广泛应用在生产自动化的各个行业.本文就气动机械手的应用现状和发展前景作了简单概述.     

双零铝箔分切缠卷时螺纹的产生与预防

双零铝箔分切缠卷时产生的螺纹是铝箔生产过程中严重的质量缺陷，此缺陷的产生主要与轧制工序来料板形、分切所用管芯质量、分切设备的稳定性及操作者的技术水平等有关。分析了铝箔分切工序螺纹产生的原因，采取适当的控制方法，防止分切时产生的螺纹。     

铝及铝合金硬质阳极氧化新工艺的研究

论述研制铝及铝合金在40℃下的硬质阳极氧化的新工艺。槽液的主要成分是硫酸、草酸、酒石酸和三乙醇胺,铝及铝合金经阳极氧化处理后,氧化膜硬度高、外观光亮、抗腐蚀性强。该工艺在提高铝硬质阳极氧化槽液温度、增加膜的硬度和节能等方面都县有很大的实用价值。     

激光快速修复Ti-6Al-4V合金的显微组织与力学性能

针对Ti-6Al-4V合金在加工和服役过程中的损伤特点,对Ti-6Al-4V合金锻件的3种典型误加工缺陷——槽缺陷、面缺陷和体缺陷进行了激光快速修复研究。激光修复区与锻件基体形成致密冶金结合,Al、V合金元素由锻件基体到激光修复区均匀分布,无宏观偏析。激光修复区组织为粗大原始β晶粒内分布细长的α针及编织细密的α+β板条组织,呈现典型的魏氏结构,热影响区组织从锻件的等轴α+转变β组织逐步过渡到魏氏(α+β)组织。对预制有3种类型缺陷的激光修复试样进行室温静载拉伸试验和硬度测试,结果表明修复试样的拉伸性能达到锻件标准(HB5224-1982)。激光修复试样的硬度和强度高于锻件基体,而塑性则低于锻件基体。因此,激光修复区和锻件基体可看作是一种“强+弱”的组合,这与二者的显微组织是相对应的。     

奥氏体耐热不锈钢310S的抗高温氧化性能研究

采用增重法研究了奥氏体耐热不锈钢310S在700、900和1000℃空气中高温氧化动力学,并结合X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)及能谱分析(EDS)等手段,对氧化膜的形貌和组成进行了分析。结果发现,700℃时氧化速率比较稳定且氧化增重较小,其余温度下氧化增重较大且遵循抛物线规律。该钢中Cr在高温时容易形成FeO·Cr2O3、FeO·Fe2O3和尖晶石结构(FeCr2O4,NiCr2O4)等保护性氧化膜,是310S钢具有良好的抗高温氧化性能的重要原因。     

镁合金铸态晶粒细化技术的研究进展

综述了熔体过热法、氯化铁法、碳质材料变质处理法、熔体搅拌法以及加Zr、Ca或Sr等镁合金铸态晶粒细化技术的研究现状和最新进展,重点分析了不同细化方法的工艺特点和细化机理,指出了镁合金铸态晶粒细化研究还存在的问题,并对今后的发展方向进行了展望.     

高能球磨制备Al3Ti/Al块体纳米晶复合材料

通过对Al Ti系和Al TiO2 系进行高能球磨和压制烧结制备了固态原位反应生成的纳米晶块体Al3Ti/Al复合材料。研究表明 :Al Ti合金系高能球磨后 ,各组元晶粒得到细化 ,并且Ti在Al中发生了强制超饱和固溶 ,烧结时原位反应形成纳米晶Al3Ti/Al复合材料 ;而Al TiO2 反应体系高能球磨仅发生组分晶粒细化 ,烧结时TiO2 部分还原并和Al原位反应生成纳米晶 (Ti2 O3 Al3Ti) /Al复合材料。     

Nitridation Kinetics of Silicon Monocrystal and Morphology of Nitride Film

Basing on TGA (thermal gravimetric analysis) of thermal nitridation at l200, l250, l300℃, respectively,analysis of high temperature kinetics for nitridation of silicon monocrystal has been carried out. According tothe theory for kinetics of reaction of vapour with solid phase a nitridation kinetic model, from which it can beshown thal the rate of nitridation reaction of silicon crystal should be controlled by three stage limiting factors,was proposed. These limiting factors are chemical reaction, chemical reaction mixed with diffusion and diffu-sion. Using this model to treat our experimental data, satisfactory correlation coefficient and apparentactivation energy of nitridation of p-type (lll) silicon crystal have been obtained. The nitride film was identi'fied to be a-Si_3N_4 (Hexagonal, a=0.7758nm,c_o=0.5623nm) by X-ray diffraction analysis. Morphology ofthe nitride films formed in different nitridation duration was observed in both planar andcross-sectional viewsby SEM (scanning electron microscope).     

基于PROFIBUS-DP总线的智能采集控制器

介绍了基于 PROFIBUS-DP总线的智能采集控制器研制 ,该控制器可应用到现场设备的数据采集及控制