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72.
燕皮传统加工工艺中碱液对肉糜特性的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
燕皮是以猪肉和甘薯粉为原料,手工制成的薄如纸且经煮不烂的传统食品。在传统制作燕皮过程中添加山榉灰配制的碱液是影响肉糜品质的关键步骤。通过测定制作燕皮过程中各工序样品的氮溶解指数、持水性、乳化稳定性、pH值和粘度,利用SDS-PAGE分析样品中的蛋白质组分、利用光学显微镜观察它们的结构变化,证实植物碱液能够提高样品的氮溶解指数、持水性和乳化稳定性并且延迟了肉糜硬化。同时实验证明碳酸碱(Na2CO3或K2CO3)可替代传统工艺中的植物碱,为后续标准化、工业化生产提供可行条件。 相似文献
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Dong-Soo Yoon Jae Sung Roh Sung-Man Lee Hong Koo Baik 《Journal of Electronic Materials》2003,32(8):890-898
The effect of a thin RuOx layer formed on the Ru/TiN/doped poly-Si/Si stack structure was compared with that on the RuOx/TiN/doped poly-Si/Si stack structure over the post-deposition annealing temperature ranges of 450–600°C. The Ru/TiN/poly-Si/Si
contact system exhibited linear behavior at forward bias with a small increase in the total resistance up to 600°C. The RuOx/TiN/poly-Si/Si contact system exhibited nonlinear characteristics under forward bias at 450°C, which is attributed to no
formation of a thin RuOx layer at the RuOx surface and porous-amorphous microstructure. In the former case, the addition of oxygen at the surface layer of the Ru film
by pre-annealing leads to the formation of a thin RuOx layer and chemically strong Ru-O bonds. This results from the retardation of oxygen diffusion caused by the discontinuity
of diffusion paths. In particular, the RuOx layer in a nonstoichiometric state is changed to the RuO2-crystalline phase in a stoichiometric state after post-deposition annealing; this phase can act as an oxygen-capture layer.
Therefore, it appears that the electrical properties of the Ru/TiN/poly-Si/Si contact system are better than those of the
RuOx/TiN/poly-Si/Si contact system. 相似文献
75.
76.
通过氟塑料-石墨板式换热器在化纤生产中高温强腐蚀换热工况中的实际应用,并与常规换热器的使用情况的对比分析,阐述了这种新型换热设备的特点。 相似文献
77.
78.
Ting Gang Zhu Uttiya Chowdhury Michael M. Wong Jonathan C. Denyszyn Russell D. Dupuis 《Journal of Electronic Materials》2002,31(5):406-410
In this paper, we report the study of the electrical characteristics of GaN and AlGaN vertical p-i-n junctions and Schottky
rectifiers grown on both sapphire and SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition. For GaN p-i-n rectifiers
grown on SiC with a relatively thin “i” region of 2 μm, a breakdown voltage over 400 V, and forward voltage as low as 4.5
V at 100 A/cm2 are exhibited for a 60-μm-diameter device. A GaN Schottky diode with a 2-μm-thick undoped layer exhibits a blocking voltage
in excess of ∼230 V at a reverse-leakage current density below 1 mA/cm2, and a forward-voltage drop of 3.5 V at a current density of 100 A/cm2. It has been found that with the same device structure and process approach, the leakage current of a device grown on a SiC
substrate is much lower than a device grown on a sapphire substrate. The use of Mg ion implantation for p-guard rings as planar-edge
terminations in mesageometry GaN Schottky rectifiers has also been studied. 相似文献
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The purpose of this paper is to evaluate two methods of assessing the productivity and quality impact of Computer Aided Software Engineering (CASE) and Fourth Generation Language (4GL) technologies: (1) by the retrospective method; and (2) the cross-sectional method. Both methods involve the use of questionnaire surveys. Developers' perceptions depend on the context in which they are expressed and this includes expectations about the effectiveness of a given software product. Consequently, it is generally not reliable to base inferences about the relative merits of CASE and 4GLs on a cross-sectional comparison of two separate samples of users. The retrospective method that requires each respondent to directly compare different products is shown to be more reliable. However, there may be scope to employ cross-sectional comparisons of the findings from different samples where both sets of respondents use the same reference point for their judgements, and where numerical rather than verbal rating scales are used to measure perceptions. 相似文献
80.
本文阐述了通过Friedel-Crafts反应合成邻-(4-乙基苯甲酰基)苯甲酸的方法.研究了影响产物质量的因素,提出了适宜的工艺条件. 相似文献