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41.
Liang Y.C. Wenjiang Zeng Pick Hong Ong Zhaoxia Gao Jun Cai Balasubramanian N. 《Electron Device Letters, IEEE》2002,23(12):700-703
In this letter, a concise process technology is proposed for the first time to enable the fabrication of good quality three-dimensional (3-D) suspended radio frequency (RF) micro-inductors on bulk silicon, without utilizing the lithography process on sidewall and trench-bottom patterning. Samples were fabricated to demonstrate the applicability of the proposed process technology. 相似文献
42.
43.
In this paper, a localized MEI method (L-MEI) is developed and combined with the domain decomposition method (DDM) for the simulation of scattering by a concave cylinder. In the L-MEI, the whole domain is decomposed into many subdomains. Different from the conventional MEI method, the MEI coefficients of the L-MEI method in each subdomain are only dependent on the localized metrons that are defined in the subdomain. The localization of metrons has the following advantages: (1) speeding up the calculation of MEI coefficients and saving memory, (2) making the MEI method available for concave structures, and (3) obtaining a band sparse matrix directly without any modification 相似文献
44.
丁晓东 《电子工业专用设备》2002,31(3):159-162,173
气压传动与控制已成为电子专用设备研制过程中一项不可缺少的内容 ,必须进行合理的气动系统设计及其控制 ,选择相应的气动元件以满足设备的功能要求。概述了气压传动与控制在电子专用设备上的应用。 相似文献
45.
位山引黄灌区泥沙淤积原因及处理对策 总被引:7,自引:2,他引:5
位山灌区是黄河下游大型引黄灌区 ,渠系泥沙淤积严重 ,泥沙处理困难。通过采用远距离输沙、集中处理沉沙区泥沙、分散沉沙和节水减淤等技术措施 ,减少了渠系的泥沙淤积。对清淤产生的泥沙 ,采取综合开发利用的技术和管理措施 ,取得了比较可靠的效果。 相似文献
46.
基于数字信号处理器的直流电机控制系统 总被引:4,自引:0,他引:4
介绍了定点数字信号处理器(DSP)TMS320F240的一般性能及其在永磁无刷直流电机控制上的应用,给出了硬件设计方案、软件策略及输出结果。 相似文献
47.
48.
49.
我国是陶瓷生产大国,近几年发展速度很快.2001年,我国的建筑陶瓷产量约20亿平方米,卫生瓷5000万件以上,全年全行业出口额超过2亿美元,创历史最好水平.加入WTO给我国陶瓷行业带来了很多机遇和挑战,但我们究竟与意大利、西班牙等陶瓷强国差距在哪里呢?记者最近走访了中国建筑陶瓷协会秘书长缪斌先生.恰逢秘书长刚从欧洲考察回来,便聊起这次欧洲之行…… 相似文献
50.
Zhang Li Chun Jin Hai Yan Ye Hong Fei Gao Yu Zhi Ning Bao Jun Mo Bang Xian 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2002,49(6):1075-1076
A polysilicon emitter RCA transistor (an ultra-thin interfacial oxide layer exists between polysilicon and silicon emitter) is presented which can operate at 77 K for the first time. An ultra-thin (1.5 nm) interfacial oxide layer is grown deliberately between polysilicon and silicon emitter using RCA oxidation and excellent device stability is obtained after rapid thermal annealing (RTA) treatment in nitrogen atmosphere. The RCA transistor exhibits good electrical performance at very low temperature for an emitter area of 3 × 8 μm2. The maximum toggle frequency of a 1:2 static divider is 1.2 GHz and 732 MHz at 300 K and 77 K, respectively 相似文献