弹道目标平动补偿与微多普勒特征提取方法

针对传统逆合成孔径雷达(ISAR)成像中的平动补偿方法并不适用于弹道目标平动补偿的问题,该文提出了一种弹道目标平动补偿与微多普勒(m-D)特征提取方法。在分析有翼弹道目标未完成平动补偿时的m-D效应的基础上,首先采用形态学中的骨架提取方法抑制1维距离像旁瓣,再在快时间频率(距离)-慢时间平面上搜索分离各散射点的m-D特征曲线,然后对其进行经验模式分解(EMD)分解,利用分解结果中的趋势项分量完成目标回波的平动补偿,并通过分析EMD分解结果获得了目标的自旋频率、锥旋频率等特征信息。仿真实验验证了所提方法的有效性与鲁棒性。     

纳秒激光加工石英微通道的实验与理论研究

利用调Q Nd…YAG激光器输出的1064nm纳秒脉冲激光聚焦在石英上,分别采用激光热加工法和激光诱导等离子体法加工微通道。热加工的通道长度可控,通道周围产生热裂纹;诱导等离子体加工的微通道内壁光滑,通道深度可达4mm。研究了激光热加工微通道时的温度场和热应力分布,分析了激光诱导等离子体加工微通道的过程。研究表明,激光热加工时温度场的存在导致热应力的产生,热应力超过石英断裂阈值使石英发生炸裂,导致微通道的形成及热裂纹的产生;激光诱导等离子体法由于等离子体屏蔽效应产生的高温等离子体烧蚀石英形成微通道,避免了热裂纹的产生。     

基于莫尔光纤光栅的F-P LD双模自激注入锁定

提出一种基于莫尔光纤光栅的F-P(法布里-珀罗)半导体激光器双波长自激注入锁定生成拍频信号以获得所需毫米波的实验方案。实验结果表明,在11.7nm波长调谐范围内可获得边模抑制比约为30dB的双波长输出,该双波长输出可产生高达168GHz的拍频信号。该高频毫米波信号生成方案的系统结构简单,成本低廉。     

Ⅴ/Ⅲ比和生长温度对RF-MBE InN表面形貌的影响

由于生长InN所需平衡氮气压较高,而且InN分解温度比较低,因此在生长InN时In原子很容易在表面聚集形成In滴,使InN外延膜的表面形貌变差,影响InN外延膜质量的提高.通过研究Ⅴ/Ⅲ比和生长温度对RFMBE生长InN外延膜表面形貌的影响,发现Ⅴ/Ⅲ比和生长温度对InN外延膜表面In滴的量有重要影响.通过选择合适的Ⅴ/Ⅲ比和生长温度,得到了表面平整光亮、无In滴的InN外延膜.     

调速传动用四象限级联中压变频器(上)

由于性能优良,H桥级联变频器在中压调速传动中得到最广泛应用。通常这类变频器H桥中的交-直变换都采用二极管整流,使之不能四象限工作。把二极管整流改为PWM整流(AFE),变频器就可以四象限工作,但需在整流输入端增加电感和电容,控制也复杂。本文建议改用I GBT整流/回馈单元,器件按同步开关模式工作,使变频器成为具有与常规H桥级联变频器同样性能的四象限变频器,且不必像AFE那样增加电感和电容,控制也特别简单。矩阵变换器MC是一类性能优良的PWM交-交直接变频器。通过三相/单相MC桥的级联可以实现四象限中压变频。文中介绍了安川公司的MC桥级联中压变频器,并把它和基于整流/回馈单元的H桥级联中压变频器进行比较。     

一种基于PCI接口的1394B总线的设计与实现

1394B是一种高带宽、低延迟、高可靠特性高速串行总线,已经广泛应用于工业控制、汽车和航空航天等领域。文章设计了一种基于OHCI协议的1394B总线,主机通过PCI接口与1394B控制器之间通过DMA操作,实现数据的高速传输。     

锥形图形衬底上氮化镓薄膜生长和表征

GaN films are grown on cone-shaped patterned sapphire substrates(CPSSs)by metal-organic chemical vapor deposition,and the influence of the temperature during the middle stage of GaN growth on the threading dislocation(TD)density of GaN is investigated.High-resolution X-ray diffraction(XRD)and cathodeluminescence(CL)wereusedtocharacterizetheGaNfilms.TheXRDresultsshowedthattheedge-typedislocation density of GaN grown on CPSS is remarkably reduced compared to that of GaN grown on conventional sapphire substrates(CSSs).Furthermore,whenthegrowthtemperatureinthemiddlestageofGaNgrownonCPSSdecreases,the full width at half maximum of the asymmetry(102)plane of GaN is reduced.This reduction is attributed to the enhancement of vertical growth in the middle stage with a more triangular-like shape and the bending of TDs.The CL intensity spatial mapping results also showed the superior optical properties of GaN grown on CPSS to those of GaN on CSS,and that the density of dark spots of GaN grown on CPSS induced by nonradiative recombination is reduced when the growth temperature in the middle stage decreases.     

半导体设备真空与检漏

基于实际应用,介绍了半导体设备真空结构和真空室常用部件,讲述了He质谱检漏仪的使用方法.总结了真空检漏的经验,阐述了微漏难检的现状.分析了磁控溅射台和ICP真空故障,采用静压检漏法和He质谱检漏仪检漏法,给出了零部件微漏导致这些设备抽不上高真空的结论.指出今后的发展方向是真空部件小型化,以及根据设备特点来提高真空部件的可靠性.结果表明,先排除干扰因素,再细心检漏,可大大提高检漏效率,使设备尽快恢复正常.     

基于Rouard方法的一维光子晶体带隙结构计算

文章将广泛应用于薄膜光学和波导光栅理论计算的Rouard方法引入到一维光子晶体(PC)带隙结构计算当中,从物理光学的多光束干涉角度解释了光子带隙的产生原因.详细推导了Rouard方法的相关公式,并应用Rouard方法计算了具有不同结构特点的一维光子晶体的反射谱.计算结果表明Rouard方法是有效的,并且具有物理概念清晰、公式简洁的特点.