MEUF去除废水中重金属和有机物及其浓缩液的处理

胶团强化超滤(MEUF)是一种表面活性剂和超滤相结合的处理含重金属或有机污染物废水的新技术。详细介绍了MEUF技术的原理、表面活性剂的选择、影响处理效果的主要因素,同时针对MEUF技术目前存在的浓缩液处理和表面活性剂回收的问题作了详细的阐述,综述了近年来MEUF技术应用的最新研究成果,并就此技术存在的问题和发展前景作了相关分析,实践表明该技术具有很好的应用前景。     

Void-effect modeling of flip-chip encapsulation on ceramicsubstrate

A detailed numerical and experimental study of the thermal-mechanical stress and strain in the solder bumps (C4s) of a flip-chip ceramic chip carrier has been completed. The numerical model used was based upon the finite element method. The model simulated accelerated thermal cycling (ATC) from 0°C to 100°C. Several parametric studies were conducted, including the effects of chip size, micro-encapsulation, and the effect of the presence of voids in the micro-encapsulant. It was notably found that the presence of voids in the encapsulant does not significantly increase the stress/strain in the C4s, with the exception of very large voids and voids at or near the edge of the chip     

标签敏感的多重集正交相关特征融合方法

典型相关分析(CCA)作为一种经典的特征融合方法,广泛用于模式识别领域,其目标是学习相关投影方向使两组变量间的相关性最大,但其没有考虑样本的类标签信息和样本间的信息冗余(MDOCCA),从而影响了融合后特征的监督敏感性和鉴别力。为此,该文提出一种标签敏感的多重集正交相关特征融合方法,该方法在典型相关分析理论基础上,将类标签信息嵌入到特征融合框架,同时加入正交约束确保融合特征最大限度的不相关,减少特征信息冗余,提高鉴别力。在不同图像数据集上的实验结果显示该方法是一种有效的特征融合方法。     

高效率连续波运转的激光二极管端面抽运914 nm Nd:YVO4激光器

利用激光二极管(LD)抽运Nd∶YVO4晶体产生914 nm谱线振荡,再通过腔内倍频技术获得457 nm激光输出,是获得大功率蓝光激光器的一条重要的技术路线,因而实现高效率运转的914 nm激光输出则是方案的关键。报道了激光二极管端面抽运Nd∶YVO4晶体、连续波运转的大功率914 nm准三能级激光器,方案中采用掺杂原子数分数为0.1%的低掺杂Nd∶YVO4晶体,有效地降低了热效应的影响,并通过准三能级理论模型的模拟计算选择了最佳晶体长度;通过对腔镜介质膜参数的适当控制,有效地抑制了波长为1064 nm和1342 nm的高增益谱线。实验中,914 nm激光器的阈值抽运功率仅为8.5 W,在31 W的抽运功率下914 nm激光输出功率高达7.2 W,激光器的斜率效率为32%,光-光转换效率为23.2%。     

地铁车辆变频空调提升制冷效果和节能示范研究

该文通过在北京地铁一号线车辆段进行正线跟车实时记录装有变频空调与原定频空调车厢内温度及耗电量数据,从温控精度以及节能方面进行对比分析,得到变频空调温度控制精度高于定频空调,装有变频空调车厢内温度均匀性优于原定频空调;变频空调相比于定频空调来说节电效果明显,在提高乘客舒适度的同时,耗电量减少30％-40％,降低运营成本.     

微机械可调谐滤波器的研制

利用 Ga As/Al Ga As分布反馈 Bragg反射镜在 Ga As衬底上制作了一个微机械的调谐滤波器 .该器件在 7V调谐电压下调谐范围达28nm     

光分组网中冲突解决方案的研究新进展

综述了目前解决光分组网冲突的几种方案,及其最新研究进展,指出在今后光分组网中可能采用的最佳冲 突解决方案。     

平面型RTD及其MOBILE的设计与研制

鉴于已报道的平面共振遂穿二极管(PRTD)存在的缺点,文中提出了一种新的平面RTD器件结构.以n+ GaAs代替半绝缘GaAs衬底,利用硼离子注入产生的非晶化作为RTD器件的电隔离,成功设计研制平面型RTD和由其构成的单-双稳转换逻辑单元,此种结构可适用于以输出端作为公用端的所有电路.     

Si/SiGe resonant interband tunnel diode with f/sub r0/ 20.2 GHz and peak current density 218 kA/cm/sup 2/ for K-band mixed-signal applications

This letter presents the room-temperature high-frequency operation of Si/SiGe-based resonant interband tunnel diodes that were fabricated by low-temperature molecular beam epitaxy. The resulting devices show a resistive cutoff frequency f/sub r0/ of 20.2 GHz with a peak current density of 218 kA/cm/sup 2/, a speed index of 35.9 mV/ps, and a peak-to-valley current ratio of 1.47. A specific contact resistivity of 5.3/spl times/10/sup -7/ /spl Omega//spl middot/cm/sup 2/ extracted from RF measurements was achieved by Ni silicidation through a P /spl delta/-doped quantum well by rapid thermal sintering at 430/spl deg/C for 30 s. The resulting devices are very good candidates for RF high-power mixed-signal applications. The device structures presented here are compatible with a standard complementary metal-oxide-semiconductor or heterojunction bipolar transistor process.