全文获取类型
收费全文 | 22654篇 |
免费 | 2170篇 |
国内免费 | 1101篇 |
专业分类
电工技术 | 1572篇 |
综合类 | 1663篇 |
化学工业 | 3050篇 |
金属工艺 | 1502篇 |
机械仪表 | 1459篇 |
建筑科学 | 1708篇 |
矿业工程 | 844篇 |
能源动力 | 588篇 |
轻工业 | 1832篇 |
水利工程 | 489篇 |
石油天然气 | 1305篇 |
武器工业 | 263篇 |
无线电 | 2463篇 |
一般工业技术 | 2387篇 |
冶金工业 | 1767篇 |
原子能技术 | 184篇 |
自动化技术 | 2849篇 |
出版年
2024年 | 122篇 |
2023年 | 406篇 |
2022年 | 726篇 |
2021年 | 1028篇 |
2020年 | 747篇 |
2019年 | 589篇 |
2018年 | 635篇 |
2017年 | 740篇 |
2016年 | 579篇 |
2015年 | 884篇 |
2014年 | 1143篇 |
2013年 | 1327篇 |
2012年 | 1488篇 |
2011年 | 1582篇 |
2010年 | 1429篇 |
2009年 | 1395篇 |
2008年 | 1304篇 |
2007年 | 1267篇 |
2006年 | 1346篇 |
2005年 | 1184篇 |
2004年 | 782篇 |
2003年 | 642篇 |
2002年 | 621篇 |
2001年 | 475篇 |
2000年 | 459篇 |
1999年 | 438篇 |
1998年 | 570篇 |
1997年 | 424篇 |
1996年 | 349篇 |
1995年 | 279篇 |
1994年 | 221篇 |
1993年 | 158篇 |
1992年 | 100篇 |
1991年 | 77篇 |
1990年 | 67篇 |
1989年 | 61篇 |
1988年 | 55篇 |
1987年 | 27篇 |
1986年 | 24篇 |
1985年 | 19篇 |
1984年 | 7篇 |
1983年 | 8篇 |
1982年 | 15篇 |
1981年 | 16篇 |
1980年 | 11篇 |
1978年 | 4篇 |
1977年 | 27篇 |
1976年 | 60篇 |
1955年 | 3篇 |
1951年 | 2篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 31 毫秒
91.
本文研究了背景噪声限下采用编码的直接检测光PPM系统的性能,分析了具有不同码率的采用硬判决译码的RS码,采用最大似然(ML)译码的卷积码的性能及未编码的PPM系统的性能,给出了相应的误比特率和每信息比特信噪比的关系曲线。结果表明:对背景噪声限下的直接检测光PPM系统,随着码率的降低,编码不一定能改善系统性能。 相似文献
92.
93.
网带式连续烧结炉炉温及网带速度微机控制系统 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍一个基于STD总线的单片机网带式连续烧结炉炉温及网带速度控制系统,详细叙述了系统的硬件结构和控制算法。 相似文献
94.
95.
Band gaps and defect levels in functional oxides 总被引:2,自引:0,他引:2
Most ab-initio calculations of the electronic structure use the local density approximation, which gives good structural data but severely underestimates the band gaps of semiconductors and insulators. This paper presents calculations of the band structures and oxygen vacancy levels of some important oxide semiconductors and insulators, using density functional methods which do give more accurate band gaps. The materials SnO2, Cu2O, SrCu2O2, CuAlO2, SrTiO3, HfO2, ZrO2, La2O3, ZrSiO4, and SiO2 are covered. 相似文献
96.
优化锰铁高炉配矿结构 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了通过优化高炉锰铁烧结矿原料结构,改善了烧结矿性能,使锰铁冶炼取得了增产、节焦、降成本的明显效果。 相似文献
97.
98.
Sihai Chen Xinjian Yi Hong Ma Tao Xiong Hongcheng Wang Caijun Ke 《Journal of Infrared, Millimeter and Terahertz Waves》2004,25(1):157-163
This paper presents a method to make vanadium dioxide (VO2) crystallites on silicon substrates by reactive ion beam sputtering. The thickness of the thin film is about 100nm. The phase transition temperature of VO2 is 65°C. The transmittance of the semiconducting phase VO2 is about 50% and it is reduced to as low as 3% in metal phase at the infrared wavelenghth spectrum. The extinction ratio of the optical switches is 12dB. and the insertion loss is of 1-2dB. The switching time is about 1ms. 相似文献
99.
100.