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131.
《仪器分析》是食品类相关专业本抖生的专业基础课,目前存在着无专业性教材,且与生产和科研实际脱节,实验教学经费投入不够,综合性实验训练不足的现象。文章根据多年教学经验,针对食品类专业的特色,从实际需求出发,对《仪器分析》理论和实验教学内容提出了建议,并对教学方式提出改进。 相似文献
132.
通过在含F-离子的电解液中阳极氧化Ti薄片基底制备了TiO2纳米管阵列,随后通过恒电流沉积的方法在在TiO2纳米管阵列顶部原位电沉积了Cu2O纳米颗粒。场发射电子扫描显微镜显示TiO2纳米管这列被成功制备,通过恒电流电化学沉积后,TiO2纳米管阵列顶部出现大量纳米颗粒物质,并且随着沉积时间的延长,可以控制沉积物的量。通过X-射线衍射谱的特征衍射谱图我们可以发现TiO2锐钛矿的衍射峰以及相对较弱的Cu2O衍射峰,这说明Cu2O晶体的结晶度不高。在能谱(EDS)图中我们可以发现Ti、Cu、O三种元素,结合XRD以及FE-SEM结果我们可以指出,通过恒电流法确实可以在TiO2纳米管阵列顶部原位沉积Cu2O纳米颗粒。 相似文献
133.
旋转射流破岩成孔规律研究 总被引:3,自引:1,他引:3
在前期对旋转射流结构特性及流动特性研究的基础上,利用试验的方法研究了射流压力、喷距、岩石的渗透率及强度、添加剂的浓度等因素对旋转射流破岩效率的影响。同时,研究了岩石渗透率对旋转射流和普通圆射流影响的区别。研究结果表明:在同喷距同射流压力条件下,破岩效果随着岩石强度的减小、岩石渗透率的增加而增加;相比而言,岩石的渗透率在射流的破碎效果中起着主要作用;在相同射流压力条件下随着添加剂浓度的增大,岩石的破碎深度、破碎直径和破碎体积都表现出增大后减小的变化趋势。本试验条件下的最优浓度为200-300mmp,随着渗透率的增大,旋转射流破岩成孔的效果明显优于普通圆射流的破岩成孔的效果。 相似文献
134.
介绍了钻进过程孔内参数采集系统的组成原理、性能指标与特点、试验情况和应用前景。 相似文献
135.
水泥石机械性能对于油气井的继续钻进、采收率和寿命都具有重要意义。选择不同水泥浆体系,测量其所形成水泥石的横、纵波速度,经过计算求出其动态杨氏模量和动态泊松比;利用岩石力学三轴试验机测定水泥石静态杨氏模量和静态泊松比。分析水泥石动态和静态机械性能的相关性发现:水泥石密度与其横、纵波速度正相关;水泥石密度与静态杨氏模量和静态泊松比有很好的线性相关性,相关系数分别为0.980和-0.980;水泥石动静态杨氏模量之间有很好的线性相关性,相关系数为0.970;水泥石动静态泊松比相关性差,静态泊松比主要分布在0.10~0.12范围内。这为室内水泥石机械性能的无损测量和利用测井解释数据获取井下水泥石机械性能奠定了基础,对水泥浆体系设计、固井工程设计及固井质量评价有一定的参考价值。 相似文献
136.
油气管道完整性评价与管理软件 总被引:5,自引:0,他引:5
作为保障油气管道安全运行的重大举措,管道的完整性管理已经受到了国内外油气管道业界的高度重视,并处在不断地推广应用之中。为方便管道完整性管理技术的实际应用,研制开发了适用于工程实用目的的油气管道完整性评价与管理软件(PIAMS), 并包含了管道风险评价与剩余强度评价的功能模块。为此,介绍了该软件的结构、模块、特点、主要功能和用户界面;该软件由数据库、管道风险分析、腐蚀缺陷评价、用户管理4个模块组成;可以运用该软件管理油气管道的完整性数据信息,进行管道的风险计算、风险分析以及对含缺陷管道的剩余强度评价;此外,该软件还具有可扩展性强的特点。 相似文献
137.
棉纤维和锦纶表面性质的巨大差异使喷墨印花墨水在棉/锦交织织物2种纤维上的铺展与渗化行为不同,为棉/锦交织织物喷墨印花获得清晰图案带来了巨大困难。针对这一问题,选取了多种水溶性聚合物分别对棉/锦交织织物进行表面改性,对比研究了改性后的棉纤维和锦纶表面性质的变化。结果表明:当使用羟乙基甲基纤维素对棉/锦交织织物改性后,棉纤维表面亲水性减弱,锦纶表面亲水性增强;在羟乙基甲基纤维素改性后的棉/锦交织织物上喷墨打印青色、品红、黄色和黑色色块的染色深度值较使用海藻酸钠改性分别提升34.6%、45.0%、40.0%和31.5%;羟乙基甲基纤维素改性有利于棉/锦交织织物喷墨印花色深和图案清晰度提升。 相似文献
138.
139.
A bimodal effect of transconductance was observed in narrow channel PDSOI sub-micron H-gate PMOSFETs,which was accompanied with the degeneration of device performance.This paper presents a study of the transconductance bimodal effect based on the manufacturing process and electrical properties of those devices.It is shown that this effect is caused by a diffusion of donor impurities from the NC region of body contact to the PC poly gate at the neck of the H-gate,which would change the work function differences of the polysilicon gate and substrate.This means that the threshold voltage of the device is different in the width direction,which means that there are parasitic transistors paralleled with the main transistor at the neck of the H-gate.The subsequent devices were fabricated with layout optimization,and it is demonstrated that the bimodal transconductance can be eliminated by mask modification with NC implantation more than 0.2 m away from a poly gate. 相似文献
140.