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141.
草酸二乙酯气相催化加氢合成乙二醇的研究   总被引:12,自引:0,他引:12  
对草酸二乙酯气相催化加氢生成乙二醇反应进行了实验研究。研制了不含铬的铜基催化剂,并考察了催化剂的制备条件对反应结果的影响。结果表明,Cu/SiO_2质量比为0.67,活化温度为350℃时最佳。在上述催化剂制备的基础上,提出了最佳反应条件。  相似文献   
142.
采用MOCVD实现了AlGaAs/GaAs量子阱结构,获得了连续输出20W激光二极管线列阵,线列阵长度1.0cm,激射波长808±4nm。  相似文献   
143.
采用一种改进的高分子膜摩擦定向法成功地实现了表面稳定模式铁电液晶的光学双稳态,对比度大于140,响应时间达100微秒。  相似文献   
144.
145.
用电荷控制及热电子弹道运动模型计算InAs/InP0.7Sb0.3热电子晶体管的截止频率fT及最高振荡频率fmax。结果表明,fT、fmax分别达到280GHz及600GHz。并指出,通过生长GaSb中间层,InAs/InP0.7Sb0.3HET可在GaAs衬底上实现单片集成。  相似文献   
146.
Dynamic oxide voltage relaxation spectroscopy   总被引:3,自引:0,他引:3  
A new method for trap characterization of oxidized silicon is described. The Dynamic Oxide Voltage Relaxation Spectroscopy (DOVRS) is an improved version of the formerly proposed Oxide Voltage Relaxation Spectroscopy (OVRS) technique which applies a periodic long duration constant current for tunneling injection. It has been demonstrated that the new technique can be used not only to separate and identify the oxide trap from interface trap, but also to separate and determine the centroid from the oxide trap density generated in the MOS system by the tunneling current stress. In the pulse constant current mode, the OVRS measurement can be completed instead of using the double current-voltage technique. Thus the new method results in more accurate and quicker measurements of the oxide trap centroid. Analytical expressions for computing the paramaters of the interface and oxide traps are derived. The effect of the channel carrier mobility on the spectroscopy is also considered. Two types of oxide and two types of interface traps were observed at a pulse constant Fowler-Nordheim current stress by the new method of DOVRS  相似文献   
147.
The effect of the atomic mobility on a film surface has been studied by using a three-dimensional atomistic thin-film deposition model which simulates three-dimensional thin-film images, surface profiles and cross-sectional area pictures. In addition, quantitative results of surface RMS roughness, average film thickness, atomic coordination number and its distribution, and solid fraction of the deposited thin films, were obtained from the simulations. When the film surface mobility increased from 0.3 to 3.0, RMS roughness decreased from 6.5 to 1.1, solid fraction increased from 0.27 to 0.56 and average film thickness decreased from 40 to 28, due to the reduction of the voids within the film. The full-width half magnitude of the atomic coordination distribution became narrower indicating the increased degree of crystallization. With increase in surface mobility crossing the boundary to 1.5, the film evolved from a porous or loose columnar structure with voids, to a densely packed fibrous grain structure which can be categorized by the zone structure models.  相似文献   
148.
149.
以椰油酸甲酯、单乙醇胺,P2O5等为原料制备一种新型阴离子表面活性剂-烷醇酰胺磷酸酯盐。初步探讨了工艺条件,测定了其物化性能。  相似文献   
150.
自韧Si3N4陶瓷的显微结构及其性能研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
利用热压的方法制得室温断裂韧性和抗弯强度分别为11.2MPa·m ̄(1/2)、823MPa,高温(1350℃)断裂韧性和抗弯强度分别为23.9MPa·m ̄(1/2)、630MPa的自韧Si_3N_4陶瓷。研究了显微结构和力学性能之间的关系。结果表明:玻璃相的含量、β-Si_3N_4的长径比等对性能有重要影响。分析了自韧Si_3N_4陶瓷的增韧机理,通过SEM明显观察到Si_3N_4中存在裂纹偏转、分支和β-Si_3N_4拔出现象。  相似文献   
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