Ti-23Al-14Nb-3V合金氩弧焊接头的显微组织及其力学性能

研究了预热对Ｔｉ－２３Ａｌ－１４Ｎｂ－３Ｖ合金焊接性，特别是对消除氩弧焊冷裂纹的作用以及对接头显微组织和力学性能的影响。结果表明，焊前预热可有效降低该合金的冷裂倾向。经预热处理后，焊缝区的结晶层状线消失，热影响区的硬度峰得到缓和，整个焊缝的显微硬度分布趋于均匀，但焊缝区的枝晶发生粗化，热影响区有所扩大。焊件接头的拉伸试验表明，预热可使焊缝区的接头强度系数增加，但无论预热与否，接头强度均低于母材强度，且不显示宏观塑性。     

土钉支护结构水平位移安全监控模型研究

国内现行规范、标准是以极限变形值作为土钉支护结构水平位移安全监测报警值 ,但没有反映工程进度影响 ,不便指导工程实践。提出“过程控制”概念 ,以反正切函数为基本形式 ,基于历史经验建立“安全时程曲线”控制模型 ,要求施工过程中实测水平位移始终处在“安全时程曲线”之下 ,以确保最终变形在某一适当的阈值之内 ,已有实测结果可以为施工方案调整提供依据。通过实际案例 ,检验模型的可行性 ,表明过程控制模型较极限变形策略更具可操作性     

氨基磺酸系高性能减水剂的研制开发

本文主要讨论了氨基磺酸系高性能减水剂的合成过程及后期混凝土试验情况。通过对反应温度、反应时间、溶液浓度和酸碱度、投料顺序及速度、第四单体的选择等反应条件的控制,合成具有最佳分子结构的最终产物,并通过红外光谱图和核磁共振谱图对合成主产物的分子结构进行了验证。同时,大量的混凝土试验说明氨基磺酸高性能减水剂具有优良的保坍性能。     

凹印电分浅析(上)

凹印制版是一个相对复杂的系统工程。电分是这个系统工程中的重要环节,它的作用是根据客户的要求和原稿特点,对原稿或产品文件上的色彩层次和清晰度进行合理的调校,使色彩的还原性和艺术性融为一体,使印刷品既能满足凹印的最佳适性,又能最大限度地满足客户的视觉欣赏要求。一、     

中国橡胶工业崛起之思考

中国已经成为橡胶工业大国,不少产品名列世界前茅,橡胶工业已是占全国GDP 1%的制造业。从2000—2004年橡胶消耗量、汽车轮胎生产量、非轮胎制品用胶量等方面的统计数据中可以看出我国橡胶工业已经崛起,分析了崛起的原因,对存在的问题进行了思考,提出了解决的方法。     

无陀螺捷联惯导系统现状及发展研究

结合国内外的研究文献,对无陀螺捷联惯性导航系统(GFSINS)的研究进行总结,分析了其导航和力学原理.介绍了三种无陀螺惯性测量单元加速度计配置方案,分别就其典型配置进行了重点分析.最后,对该技术的未来研究方向进行了展望.     

位错芯重构缺陷对于Si中位错运动的影响

为了研究晶格常数不匹配的异质结SiGe/Si生长过程中低温缓冲层内缺陷对位错运动的影响,使用位错偶极子模型在Si晶体内建立了一对30°部分位错,和导致30°部分位错运动的弯结结构,以及位错芯重构缺陷(RD)与弯结组合而生成的弯结-RD结构.通过分子动力学模拟,使用Parrnello-Rahmman方法施加剪应力促使位错运动,得到了左右弯结-RD结构在迁移过程中的8种稳定构型,并且使用NEB方法和紧束缚势计算了纯弯结和弯结-RD迁移过程中势垒高度,发现弯结-RD的迁移能力要高于纯弯结结构.从模拟结果推断出,低温层生长技术中的Si低温缓冲层由于低温限制了重构缺陷的运动,减少其相遇发生湮灭的概率,从而使得更多的弯结能够与重构缺陷结合生成弯结-RD结构来提高30°部分位错的运动能力,由此释放异质结结构失配应力所需的位错密度会随之减小.     

npn AlGaN/GaN HBT模型与特性分析

基于实验数据对GaN材料的少子寿命和碰撞电离率进行了建模,应用漂移-扩散传输模型开展了npnAlGaN/GaN异质结双极晶体管的特性研究,给出了器件导通电压、偏移电压和饱和电压的解析式.结果表明:实际器件导通电压、偏移电压及饱和电压较大的原因主要是高基区电阻和基区接触的非欧姆特性,为器件的工艺制造提供了理论指导.     

一种低压低功耗SRAM/SOI单元设计

提出一种改进4管自体偏压结构SRAM/SOI单元.基于TSUPREM4和MEDICI软件的模拟和结构性能的分析,设计单元结构并选取结构参数.该结构采用nMOS栅下的含p+埋沟的衬底体电阻代替传统6管CMOSSRAM单元中的pMOS元件,具有面积小、工艺简单的优点.该结构可以在0.5V的电源电压下正常工作,与6管单元相比,该单元瞬态响应正常,功耗只有6管单元的1/10,满足低压低功耗的要求.