衍射法细丝直径的精密测量

分析了激光衍射法测量细丝直径技术中影响精度的几个主要因素，研究了一种微弱衍射条纹的精密处理及识别技术，有效地提高了测量精度，实测结果表明，文中讨论的技术能在１０￣５０μｍ的范围内实现正负０．１μｍ的重复精度，分辨力优于０．０１μｍ。     

Normal-incidence InAs self-assembled quantum-dot infrared photodetectors with a high detectivity

An InAs/AlGaAs quantum-dot infrared photodetector based on bound-to-bound intraband transitions in undoped InAs quantum dots is reported. AlGaAs blocking layers were employed to achieve low dark current. The photoresponse peaked at 6.2 /spl mu/m. At 77 K and -0.7 V bias, the responsivity was 14 mA/W and the detectivity, D*, was 10/sup 10/ cm/spl middot/Hz/sup 1/2//W.     

实体造型中的几何约束

实体造型是一个基于约束的过程，完成从功能约束到几何约束、再到代数约束的转化而得到实体模型。本文讨论了几何约束的层次性及其表示，并且对几何约束同设计意图的关系进行了研究，提出了基于ＣＳＧ／ＧＣＧ／Ｂ－ｒｅｐ的模型表示。     

减粘裂化分馏塔顶系统的腐蚀及防护

辽河石化分公司减粘裂化装置改炼辽河超稠油的减压渣油后 ,分馏塔顶系统由HCl -H2 S -HCN -有机酸 -H2 O引起的电化学腐蚀严重 ,其中油水分离器局部腐蚀速率达 3.1mm/a ,12AlMoV管束的空冷器运行不足两个月即发生泄漏。塔顶系统采用BZH - 1中和缓蚀剂、无机氨BZH - 913油溶性缓蚀剂综合注剂方案 ,使腐蚀得到控制     

零析水水泥浆配合双凝双压固井工艺在泽74-1X井固井作业中的应用

泽74－1X井是为评价泽74断块奥陶系潜山油气情况，在泽74－1井开窗侧钻的一口评价井，该井井斜变化大，井眼轨迹呈螺旋型，地层特性复杂。该井通过采用ZJ－2低失水、零析水水泥浆体系配合双凝双压固井工艺，固井施工顺利，全井主要封固段固井质量良好。现场应用表明，ZJ－2降失水水泥浆体系具有流动性好、水泥浆初始稠度低、析水为零等特点，稠化时间易于控制，十分适合大斜度井和井眼轨迹不佳的井的固井要求，能够很好地保护油气层；双凝双密度水泥浆体系应用于压力变化大的超长裸眼封固段固井，施工安全，固井质量好，只要水泥浆密度设计合理，工程上采取小排量替浆，可防止固井漏失，提高作业成功率。     

Incoloy 800H合金的应用和性能分析

通过对耐热耐蚀合金Incoloy 80 0H的性能分析 ,指出它与普通奥氏体不锈钢相比具有较优的抗氧化性能、耐蚀性和高温蠕变强度。针对催化裂化装置同轴式沉降再生器内部所用Incoloy 80 0H焊件易出现裂纹的问题进行分析 ,认为在施焊过程中由于合金凝固时有低熔点金属或化合物的液态膜残留在晶界区 ,该合金具有高的焊接热裂纹敏感性 ,若焊材选择不当 ,焊丝填充不充分、缺少保护气等将导致晶间裂纹产生。提出了该合金采用TIG焊接防止热裂纹产生的措施。     

聚苯乙烯生产工艺及其产品性能的改善

介绍了苯乙烯单体热引发本体聚合的特点及美国FINA石油化学公司聚苯乙烯生产工艺的特点，探讨了影响HIPS产品质量的多种因素，并对HIPS产品质量的改善提供提出建议和看法。     

高质量ZnO薄膜的退火性质研究

在LP－MOCVD中，我们利用Zn(C2H5)2作Zn源，CO2作氧源，在（0002）蓝宝石衬底上成功制备出皮c轴取向高度一致的ZnO薄膜，并对其进行500℃-800℃四个不同温度的退火。利用XRD、吸收谱、光致发光谱和AFM等手段研究了退火对ZnO晶体质量和光学性质的影响。退火后，（0002）ZnO的XRD衍射峰强度显著增强，c轴晶格常数变小，同时（0002）ZnOX射红衍射峰半高宽不断减小表明晶粒逐渐增大，这与AFM观察结果较一致。由透射谱拟合得到的光学带隙退火后变小，PL谱的带边发射则加强，并出现红移，蓝带发光被有效抑制，表明ZnO薄膜的质量得到提高。     

Improvement of RCA transistor using RTA annealing after theformation of interfacial oxide

A polysilicon emitter RCA transistor (an ultra-thin interfacial oxide layer exists between polysilicon and silicon emitter) is presented which can operate at 77 K for the first time. An ultra-thin (1.5 nm) interfacial oxide layer is grown deliberately between polysilicon and silicon emitter using RCA oxidation and excellent device stability is obtained after rapid thermal annealing (RTA) treatment in nitrogen atmosphere. The RCA transistor exhibits good electrical performance at very low temperature for an emitter area of 3 × 8 μm². The maximum toggle frequency of a 1:2 static divider is 1.2 GHz and 732 MHz at 300 K and 77 K, respectively     

Dy3+激活的几种硼酸盐在VUV-VIS范围的光谱性质

本文报道了SrAl2B2o7:Dy^3 、BaAl2B2O7:Dy^3 、SrAl3BO7:Dy^3 、La2CaB10O19:Dy^3 的紫外－真空紫外（UV－VUV）激发光谱和UV激发下的发射光谱。根据发射光谱讨论了Dy^3 离子在这几种基质中发光的黄蓝比（Y／B）。在VUV激发光谱中推测了Dy^3 的f-d跃迁及电荷迁移态（CTS）和基质吸收的位置。