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41.
激光平网雕刻机设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
研制了用于制作平面网版的激光雕刻机,设计了雕刻机用CO2激光器、光路系统及单片机控制系统,探讨了将图像文件转化为控制命令文件的方法。  相似文献   
42.
Carbon nanotubes prepared by de arc discharge of graphite electrodes in He and CH4 gas took markedly different morphology. Thick nanotubes embellished with many carbon nanoparticles were obtained by evaporation under high CH4 gas pressure and high arc current. Thin and long carbon nanotubes were obtained under a CH4 gas pressure of 50Torr and an arc current of 20A for the anode with a diameter of 6mm.  相似文献   
43.
论述了无线电引信多普勒信号增速器的实现原理及意义,介绍了采用TMS320C30作为CPU、多片大容量静态RAM芯片构成海量存储体的信号增速器硬件结构和软件设计,并提出了今后的研究方向。  相似文献   
44.
文章针对国内管输天然气气质分析工作中取样环节所存在的问题,结合国外技术发展趋势,全面地介绍了输气管道天然气连续取样器的研制过程。实践证明,该装置较好地解决了天然气密度值偏差问题,满足管输天然气全分析的要求,同时,该装置的推广应用将会提高天然气的计量准确度。  相似文献   
45.
首先揭示出民族风格是与时代风格对立统一、相互依存的一个概念。因而特定的时代需要具有时代精神的民族风格──创新民族风格。在探索此风格的过程中.我们首先要学习日本的战略,然后在学习的基础上实现超越。  相似文献   
46.
Al,Ga取代Bi:DyIG薄膜的磁和磁光特性的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文报道用热分解法在玻璃衬底上制备了Al和Ga取代的Bi:DYIG薄膜,对其磁和磁光特性做了详细研究.Al和Ga取代的薄膜均可获得好的矩形比和高的矫顽力.对于Bi1.2Dy1.8Fe5-xMXO12(M=A1,GZ)薄膜,A1和G2的最佳替代成份分别为1.0和G.7;最佳晶化温度分别为700o℃和675℃.在波长510nm附近,法拉第旋转角可达8°/um左右.光学吸收和品质因子的研究结果表明,Al和Ga取代能够影响光学吸收和品质因子,其中Ga取代对光学吸收和品质因子的影响较大.  相似文献   
47.
在运用SiGe脊形波导单模条件和有效折射率法分析SiGe/Si定向耦合器结构参数的基础上,采用分子束外延和各向异性腐蚀技术制备出Si1-xGex/Si(x=0.05)单模定向耦合器.在波长为1.3μm时,平均串音小于-18.1dB,输出功率耦合效率达到98.1%  相似文献   
48.
提出了红外加热胶接的思想,并对红外加热胶接技术作了简单阐述。介绍了一种红外加热胶接矿用阻燃、防腐、橡塑风筒布的装置。  相似文献   
49.
Three sub-25 nm fly height sliders are presented for near contact recording. The designs are geared towards the goal of achieving 10 Gb/in 2 areal density. The optimization procedure presented shows promise for facilitating achievement of this goal. The dynamic simulations show the stability of these designs when disturbed from their steady state conditions  相似文献   
50.
An athermal 40-channel dense wavelength-division-multiplexing multi/demultiplexer using a novel combination technology is proposed. It consists of one 1times4 100- to 400-GHz spacing interleaver filter and four sub-arrayed-waveguide gratings (AWGs). The temperature-dependent wavelength shift of the combined device is successfully suppressed to 0.058 nm in the -20degC to 70degC temperature range. Moreover, the combined device's adjacent crosstalk (typically -35 dB) is much better than conventional AWGs (typically -25 dB).  相似文献   
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