利用电光效应实现方位信息传递的理论与误差分析

本文设计了一种利用晶体的线性电光效应获取发射和接收两部分装置间相对转动的方位信息的光学系统，推导了出射的о光和e光的强度差与发射、接收两部分相对转角之间的关系，并对可能出现的误差进行了分析。     

应变SiGe沟道pMOSFET的击穿特性

以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGepMOS同SipMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGepMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGepMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于SipMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同SipMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGepMOS呈现穿通击穿机制     

新型薄膜SOI高压MOSFET的研制

研制了两种薄膜SOI高压MOSFET,一种是一般结构,另一种是新的双漂移区结构.两者的栅宽均为76 0μm,有源区面积为8.5 8×10 - 2 m m2 ,测试表明其击穿电压分别为17V和2 6 V,导通电阻分别为80Ω和6 5Ω.     

A New Low Voltage CMOS Transconductor for VHF Filtering Applications

In this paper, a new differential input CMOS transconductor circuit for VHF filtering application is introduced. The new circuit has a very high frequency bandwidth, large linear differential mode input range and good common mode signal rejection capability. Using 0.35 m CMOS technology with 3 V power supply, the transconductor has a ±0.9 V linear differential input range with a –54 dB total harmonic distortion (THD) and more than 1 GHz – 3 dB bandwidth. The large signal DC analysis and small signal ac analysis derived by compact equations are in line with SpectreS simulation. A 3rd order elliptic low pass g _m-C filter with a cutoff frequency of 150 MHz is demonstrated as an application of the new transconductor.     

Fabrication and characteristics of high-speed implant-confined index-guided lateral-current 850-nm vertical cavity surface-emitting lasers

Process technology of high-speed implant-apertured index-guide lateral-current-injection top dielectric-mirror quantum-well 850-nm vertical cavity surface-emitting lasers (VCSELs) has been developed. Oxygen and helium implantation for aperture definition and extrinsic capacitance reduction, dielectric mirror formation, p- and n-ohmic contact formation, VCSEL resistance, and thermal analysis were investigated. Employing this technology, GaAs/AlGaAs-based 850-nm VCSELs with small signal modulation bandwidths up to 11.5 Gb/s and an eye diagram generated at 12 Gb/s by a pseudorandom bit sequence of 2/sup 31/-1 were achieved. The bit-error rates were below 10/sup -13/. The threshold current is as low as 0.8 mA for 7-/spl mu/m-diameter current apertures and typical slope efficiencies of 0.45-0.5 mA/mW were obtained.     

不同剂量的He-Ne激光对妊娠母鼠子代的生长及行为的影响

目的：He-Ne激光对妊娠母鼠进行照射后，观察对其子代的致变效应。方法：取雌雄小白鼠若干。当母鼠怀孕后开始进行激光照射，随机分成4组，照射时间为0,10，30,60min。当子鼠出生30d后，对其进行生长和行为的观察。结果：不同剂量的He-Ne激光照射妊娠母鼠，其子代的体重，学习记忆力、耐寒能力和缺氧环境适应能力有所不同。结论：He-Ne激光对生物体的致变效应是存在的，且与激光的剂量有关。     

大规模定制环境下 ERP 的发展

ERP─EnterpriseResourcePlanning企业资源计划系统 ,是指建立在信息技术基础上 ,以系统化的管理思想 ,为现代企业决策层及员工提供决策运行手段的管理平台。从竞争环境的角度出发 ,提出了大规模定制已经逐渐成熟并最终取代大规模生产成为新的生产经营模式的观点 ,同时 ,分析了在大规模定制下传统ERP的局限 ,从管理和技术的角度探讨新一代ERP的特点及发展。     

全光OCDMA系统综述

全面回顾全光码分多址(OCDMA)系统的起源、发展,对其在时域和频域的几种实现方案及应用领域进行了总结,并提出了一些新的观点和看法。     

计算机网络安全系统设计

分析了现代计算机网络所面临的威胁和各种安全问题,同时提出了在设计一个有关网络系统时应该考虑的一些安全问题,如网络安全策略与技术、网络的访问控制、网络数据加密技术、信息隐藏技术等安全问题。     

宽带接入技术研究和比较

分析了目前宽带接入领域的三种主要技术(数字用户线、光纤/同轴电缆接入、无线接入)的原理和应用.通过对三种技术的比较,提出了数字用户线技术是可长远发展的技术,最符合实际应用的需求.