首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   44651篇
  免费   4033篇
  国内免费   1915篇
电工技术   2536篇
技术理论   3篇
综合类   2673篇
化学工业   7433篇
金属工艺   2296篇
机械仪表   2616篇
建筑科学   3043篇
矿业工程   1121篇
能源动力   1303篇
轻工业   2847篇
水利工程   789篇
石油天然气   2469篇
武器工业   379篇
无线电   5763篇
一般工业技术   5594篇
冶金工业   2289篇
原子能技术   431篇
自动化技术   7014篇
  2024年   198篇
  2023年   817篇
  2022年   1495篇
  2021年   2138篇
  2020年   1514篇
  2019年   1169篇
  2018年   1392篇
  2017年   1456篇
  2016年   1254篇
  2015年   1753篇
  2014年   2313篇
  2013年   2772篇
  2012年   2997篇
  2011年   3265篇
  2010年   2840篇
  2009年   2451篇
  2008年   2591篇
  2007年   2323篇
  2006年   2237篇
  2005年   1940篇
  2004年   1294篇
  2003年   1117篇
  2002年   1053篇
  2001年   924篇
  2000年   885篇
  1999年   1060篇
  1998年   1003篇
  1997年   740篇
  1996年   675篇
  1995年   538篇
  1994年   484篇
  1993年   319篇
  1992年   280篇
  1991年   224篇
  1990年   162篇
  1989年   142篇
  1988年   134篇
  1987年   88篇
  1986年   78篇
  1985年   60篇
  1984年   56篇
  1983年   52篇
  1982年   34篇
  1981年   39篇
  1980年   37篇
  1979年   21篇
  1978年   24篇
  1977年   29篇
  1976年   42篇
  1973年   17篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
61.
The turn-on mechanism of silicon-controlled rectifier (SCR) devices is essentially a current triggering event. While a current is applied to the base or substrate of an SCR device, it can be quickly triggered on into its latching state. In this paper, latchup-free electrostatic discharge (ESD) protection circuits, which are combined with the substrate-triggered technique and an SCR device, are proposed. A complementary circuit style with the substrate-triggered SCR device is designed to discharge both the pad-to-V/sub SS/ and pad-to-V/sub DD/ ESD stresses. The novel complementary substrate-triggered SCR devices have the advantages of controllable switching voltage, adjustable holding voltage, faster turn-on speed, and compatible to general CMOS process without extra process modification such as the silicide-blocking mask and ESD implantation. The total holding voltage of the substrate-triggered SCR device can be linearly increased by adding the stacked diode string to avoid the transient-induced latchup issue in the ESD protection circuits. The on-chip ESD protection circuits designed with the proposed complementary substrate-triggered SCR devices and stacked diode string for the input/output pad and power pad have been successfully verified in a 0.25-/spl mu/m salicided CMOS process with the human body model (machine model) ESD level of /spl sim/7.25 kV (500 V) in a small layout area.  相似文献   
62.
火成岩储层测井评价进展综述   总被引:19,自引:0,他引:19  
十多年来,国内外火成岩储层测井评价已从交会图定性分析发展到用岩心分析资料建立裂缝性储层的测井解释模型,半定量、定量评价裂缝。成像测井和核磁测井的纵、横向分辨率高,经过地质刻度,可以较精细地识别岩性和裂缝,在解释火成岩方面有良好的效果。提高岩性识别准确率,识别复杂火成岩储层和孔隙流体,以及综合评价火成岩储层裂缝、饱和度等参数,仍然是火成岩储层测井评价所面临的难题。加强岩石物理基础实验,研究火成岩储层导电机理,系统研究火成岩储层测井评价理论,推广测井新技术在火成岩中的应用,建立统一的测井评价方法,将成为火成岩储层测井评价的发展趋势。  相似文献   
63.
易伟  毛静文  李宁  叶凡  任俊彦  杨莲兴 《微电子学》2006,36(4):392-395,399
介绍了一种用于1.8 V电源电压下的千兆以太网接收器的模拟前端预均衡电路。电路分为三个部分:预处理电路、基带漂移补偿电路和可变增益放大电路,主要实现回波消除、基带漂移补偿和电路增益自动控制等功能。为了与百兆模式兼容,提出了一种预处理电路。仿真结果表明,该电路可以很好地实现回波消除的功能,能够对由于基带漂移引起的信号失真给以补偿,可以提供16级不同的增益,并进行频率补偿。电路采用0.18μm标准CMOS工艺实现。  相似文献   
64.
Using the estimates of the exponential sums over Galois rings, we discuss the random properties of the highest level sequences /spl alpha//sub e-1/ of primitive sequences generated by a primitive polynomial of degree n over Z(2/sup e/). First we obtain an estimate of 0, 1 distribution in one period of /spl alpha//sub e-1/. On the other hand, we give an estimate of the absolute value of the autocorrelation function |C/sub N/(h)| of /spl alpha//sub e-1/, which is less than 2/sup e-1/(2/sup e-1/-1)/spl radic/3(2/sup 2e/-1)2/sup n/2/+2/sup e-1/ for h/spl ne/0. Both results show that the larger n is, the more random /spl alpha//sub e-1/ will be.  相似文献   
65.
The intent of a binomial effect size display (BESD) is to show "the [real-world] importance of [an] effect indexed by a correlation [r]" (R. Rosenthal, 1994, p. 242) by reexpressing this correlation as a success rate difference (SRD) (e.g., treatment group success rate - control group success rate). However, SRDs displayed in BESDs generally overestimate real-world SRDs implied by correlations of (a) dichotomous X and Y variables (φ coefficients), (b) dichotomous X and continuous Y variables (point-biserial coefficients [rphs]). and (c) continuous X and Y variables (rxys). Furthermore, overestimation biases are larger for rxys than for rphs. Differences in the sizes of biases linked to different correlations suggest that BESD SRDs reported for different correlations are not comparable. The stochastic difference index (N. Cliff, 1993: A. Vargha & H. D. Delaney, 2000) is recommended as an alternative to the BESD. (PsycINFO Database Record (c) 2010 APA, all rights reserved)  相似文献   
66.
中国政府已于2001年12月正式加入做为当代世界规范和经济贸易关系最具权威的国际性组织WTO.加入WTO,对中国来说既是机遇,同时又是挑战,它的影响是全面的、全方位的.而对于中国会计业的影响也是深刻的,中国经济、中国企业要走向世界,中国的会计业也必须直面世界,按国际惯例行事,因此,深刻研究和分析加入WTO后对中国会计业的冲击、挑战以制定相应的政策、方针、准则就显得非常的迫切.  相似文献   
67.
本文在液相合成(SrPb)TiO3粉的基础上,研究了升温速率、保温时间、烧结温度及降温方式对(SrPb)TiO3基陶瓷的V型PTC热敏特性的影响。实验表明:升温速率对其热敏特性影响不大,保温时间和烧结温度的作用是一致的,具有一最佳范围。而降浊方式对材料的热敏特性影响较大。综合各因素的影响,本配方中,样品的烧结制度定为:以200℃/h的速率升温,在1250℃保温1h,炉冷至950℃,保温0.5h,再  相似文献   
68.
大系统分散鲁棒容错控制的进展及主要成果   总被引:1,自引:0,他引:1  
综述了近20年来关联大系统分散鲁棒容错控制的研究动态及取得的主要成果。说明了统一地研究分散鲁棒容错控制的必要性。在分散控制、鲁棒控制和容错控制研究领域内,分析了各种设计方法的主导思想及实质;指出了这些研究成果的意义与存在的问题。文中着重论述了分散、鲁棒、容错控制研究方法的发展途径。  相似文献   
69.
A method is presented for the construction of fixed-order compensators to provide H norm constraint for linear control systems with exogenous disturbances. The method is based on the celebrated bounded-real lemma that predicates the H norm constraint via a Riccati inequality. The synthesis of fixed-order controllers whose dimensions are less than the order of a given plant, is demonstrated by a set of sufficient conditions along with a numerical algorithm.  相似文献   
70.
在聚乙二醇(PEO)存在下,CaCl2和Na2CO3反应生成了类似红鲍鱼壳的含有PEO的碳酸钙──高聚物复合材料。X-衍射和电镜照片显示,它有两种微观结构:外层为文石型和方解石型结构,内层为针状文石型结构。热重分析表明,该材料中含有3%左右PEO。结果说明,聚合物对碳酸钙晶核的形成和晶体的生长有很大影响,并对其形成机理进行了初步探讨。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号