自主知识产权产品LIP封装

为解决QFN成本较高的问题和进一步提高产品可靠性,华天科技突破了传统思想的束缚,在产品结构的设计上进行了创新。引脚在封装本体内式封装(LIP:Lead In Package)是一种新型的封装形式,它是针对目前QFN(Quad Flat No-lead)在封装高成本问题而重新选择的设计方案。     

单交叉路口半感应控制器设计

针对定时控制无法应付交通流无规律的交叉路口,设计以CPLD为控制核心的单交叉路口半感应控制器。采用层次化设计思想,使用VHDL语言编写控制部分的主程序,并通过MAXPLUSⅡ软件进行仿真。仿真结果显示,系统可实现单个交叉路口交通信号灯的半感应控制,并且系统的控制参数可通过外部输入调节,增加系统的灵活性。     

基于相位谱的红外小目标搜索算法研究

针对红外小目标搜索阶段中图像背景稀疏的特点,提出了一种利用图像相位谱计算显著图和定位目标的新方法。与传统的利用海天线和海岸线对目标进行搜索的方法相比,本文算法的计算复杂度大大降低,并弥补了其受气温影响而不能准确定位海天线和海岸线的不足;与利用Itti模型的方法相比,该算法克服了其不能有效分离目标和背景的缺点。阐述了利用离散傅里叶变换(Discrete Fourier Transform,DFT)和离散余弦变换(Discrete Cosine Transform,DCT)计算相位谱的两种方法及它们之间的一致性。构建了利用图像相位谱计算显著图的数学模型,明确了模型参数选择的作用和意义。通过理论和实例证明了本文算法对于稀疏背景下小目标定位的可行性和高效性。     

REALISM:一种面向未来异构无线网络演进的架构

未来无线通信系统将是各种无线接入技术和标准的融合,包容各自独立的网络,形成通用的平台并以简便的协议和信令操作,来实现异构网络融合是我们提出REALISM(REconfigurable:Adaption Layer for Integrated SysteM)的初衷,它通过在协议栈添加适配层(REAL:REconfigurable Adaption Layer),为由WLAN和UMTS组成的无线异构网络提供了融合的平台.文章重点关注了REALISM架构中的主要功能模块;然后描述了无线资源管理方面功能的实现,并以切换管理,例进行详细阐述.     

热激励谐振型压力传感器激励电压的影响与分析

针对热激励谐振型压力传感器在不同激励电压下会产生不同的热梯度场,进而影响传感器的谐振频率这一现象,采用开环测试系统进行试验,得到热激励谐振型压力传感器的热激励幅度与谐振频率的变化规律;并对实验结果进行了进一步的分析,为合理优化设计传感器的相关参数提供了一定的理论依据.     

氧化锌基薄膜晶体管制备与研究

以玻璃为衬底,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在360℃附近实现ZnO薄膜的生长.利用ZnO为有源层制备底栅型薄膜晶体管.SiO2 被用作栅绝缘材料以有效的抑制漏泄电流的产生,达到氧化锌薄膜晶体管 (ZnO-TFT) 成功运作目的.ZnO-TFT 的电流开关(on/off)比达到104以上.ZnO-TFT 在可见光区平均光透过率大约为80%.以上表明利用ZnO 替代传统 Si 材料作有源层材料制备透明薄膜晶体管是可能的.     

基于互信息的红外与可见光图像快速配准

针对灰度和图像特征存在较大差异的可见光和红外图像配准,给出了一种基于归一化互信息与小波变换相结合的快速图像配准算法。实验表明,该算法加快了配准过程,较利用原图像配准速度提高了约一个数量级,且配准结果具有较高的准确性和稳定性。可见该算法适用于多光谱图像配准。     

利用PO修正MM-UTD计算机载波导缝隙天线阵的方向图

针对物理光学方法(PO)中Ludwig算法数值发散的问题,提出了解决方案。以复矢量场为接口,利用PO修正了MOM-UTD算法,并应用于机载波导缝隙天线阵方向图的计算。采用MOM分析天线自身的特性,UTD分析飞机形状简单的大型部件对天线方向图畸变的影响,PO分析机头等形状复杂的部件的影响。计算结果表明,此3种方法的结合算法适用于计算靠近机头的机载天线的方向图。     

p-Si TFT栅绝缘层用SiNx薄膜界面特性的研究

以NH3和SiH4为反应源气体,在低温下采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(p-Si)衬底上沉积了SiNx薄膜.系统地分析讨论了沉积温度、射频功率、反应源气体流量比对SiNx薄膜界面特性的影响.分析表明,沉积温度和射频功率主要是通过影响SiNx薄膜中的si/N比和H含量影响薄膜的界面特性,而NH3/SiH4流量比则主要通过影响薄膜中的H含量影响薄膜界面特性.实验制备的SiNx薄膜层中的固定电荷密度、可动离子密度、SiNx与p-si之间的界面态密度分别达到了1.7×1012/cm2、1.4×1012/cm2、3.5×1012/(eV·cm2),其界面特性达到了制备高质量p-si TFT栅绝缘层的性能要求.     

基于谱估计的噪声调频信号检测方法研究

对干扰信号的频谱特征进行精确测量和分析是实施有效的电子反干扰(ECCM)的重要步骤.通过对噪声调频干扰信号的频谱特征分析,提出采用合适的功率谱估计方法来检测噪声调频信号的主要频谱特征参数.利用MATLAB/Simulink仿真软件分别建立了噪声调频信号源和谱估计方法的系统模型,研究了系统采用不同的谱估计方法和参数设置的情况下所能够达到的检测精度,并根据仿真结果分析比较了不同谱估计方法的性能.