UDP数据流对TCP流影响的分析和模拟

通过计算机模拟，说明了无拥塞控制的UDP数据流同TCP流共享带宽时的不公平性，并通过分析TCP的端到端流量控制机制指出了产生不公平的原因。     

WebCCTV系统的设计和实现

该文首先对传统CCTV系统和WebCCTV系统进行了比较。然后对WebCCTV系统的体系结构进行了设计,分析了其特点。最后对其关键技术进行了研究,并提出了适合于WebCCTV的解决方案。     

遥控作业器基于主动时延神经网络的感知和控制

遥控作业器是实现未知或危险环境中作业的有力手段．由于遥控机械手大多工作在不确定的环境中，操作者难以预先知道环境目标的动力学特性，在机械手和环境发生力的交互过程中，需要考虑机械手和环境碰撞时的强非线性对控制回路的影响，因此对机械手和环境碰撞的实时感知和识别是非常重要的．本文利用接近觉传感器测量机械手顶端与环境物体的距离，提出了基于主动时延神经网络的遥控作业器的感知和控制方法．仿真实验表明了该方法的有效性和对接近觉传感器量程的要求     

一类时滞神经网络系统的局部稳定性与分枝

给出一类时滞神经网络系统的零解的局部稳定判定准则，并给出该系统出现Ｈｏｐｆ分枝的参数条件     

开关式高频功率放大器的稳态分析

本文对CUk电路用于高频功率放大作了较详细的稳态分析，深入探讨了这种放大器工作在诸振状态和失谐状态下电路的工作原理，着重说明了开关器件所承受的电压和电流。     

InAs薄膜Hall器件

利用分子束外延（ＭＢＥ）生长的高迁移率ＩｎＡｓ外延层成功制备了的薄膜Ｈａｌ器件。这种Ｈａｌ器件具有灵敏度高、温度特性好等优点。室温下的积灵敏度和电压相关的灵敏度分别为１１ｍＶ／ｍＡ·ｋＧｓ和４０ｍＶ／Ｖ·ｋＧｓ（灵敏度比相同掺杂的ＧａＡｓＨａｌ器件高５０％）。在（２０～７０）℃温度区域内，内阻温度系数和Ｈａｌ电压温度系数分别为８×１０－４／℃，－２×１０－３／℃（恒流驱动）和－３×１０－３／℃（恒压驱动）。     

滑动回归最小二乘算法在某电动振动台模型辨识中的应用

在分析电动振动台数学模型的基础上,利用先进的滑动回归最小二乘辨识算法,有效地开展了电动振动台这一复杂电力学系统阶数和时延的确认、参数估计,并建立了系统的ARMA模型.给出了某型电动台空台面和另一型振动台带滑台的模型辨识结果,并通过正弦扫频试验实例给出了模型验证.结果表明,该算法辨识精度高,收敛速度快,鲁棒性强,抗噪声能力强,在电动振动台系统辨识上能取得良好的效果.     

超滤膜法城市污水深度处理中水回用中试试验研究

以高碑店污水处理厂二级出水为处理对象，建立日产中水500t的超滤中试试验装置，研究膜法城市污水深度处理中水回用的工艺和操作条件，考察所能达到的技术经济指标，掌握放大规律，为万吨级工业装置和系统的设计提供基础数据．试验装置连续运行了约2500h，膜性能稳定，产水水质达到生活杂用水标准(CJ．25．1—89)。     

组合励磁永磁同步发电机主发电机的设计方法

提出了组合励磁稀土永磁同步发电机(以下简称HESG)主发电机部分的一种设计方法，该方法可以定量调控发电机外特性的电压变化率，是设计HESG的基础，也能单独设计稀土永磁同步发电机。通过样机的实验验证，说明设计方法是成功有效的。     

Electrical Properties and Electroluminescence of 4H-SiC p-n Junction Diodes

Homoepitaxial growth of 4H-SiC on off-oriented Si-face(0001 ) substrates was performed by using the step-controlled epitaxy technique in a newly developed low-pressure hot-wall CVD (LP-HWCVD) system with a horizontal aircooled quartz tube at around 1500 ℃and 1.33 × 104 Pa by employing SiH4 C2H4 H2. In-situ doping during growth was carried out by adding NH3 gas into the precursor gases. It was shown that the maximum Hall mobility of the undoped 4H-SiC epilayers at room temperature is about 430 cm2 ·V -1 ·s -1 with a carrier concentration of ～ 1016 cm-3 and the highest carrier concentration of the N-doped 4H-SiC epilayer obtained at NH3 flow rate of 3 sccm is about 2.7 × 1021 cm-3 with a mobility of 0.75 cm2 ·V -1 ·S -1. SiC p-n junctions were obtained by epitaxially growing N-doped 4H-SiC epilayers on Aldoped 4H-SiC substrates. The C-V characteristics of the diodes were linear in the 1/C3-V coordinates indicating that the obtained p-n junctions were graded with a built-in voltage of 2.7 eV. The room temperature electroluminescence spectra of 4H-SiC p-n junctions are studied as a function of forward current. The D-A pair recombination due to nitrogen donors and the unintentional, deep boron center is dominant at low forward bias, while the D-A pair recombination due to nitrogen donors and aluminum acceptors are dominant at higher forward biases. The p-n junctions could operate at temperature of up to 400 ℃, which provides a potential for high-temperature applications.