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萃取预分离法分离富铕中钇矿新工艺 总被引:2,自引:0,他引:2
采用一种新的串级萃取方式--萃取预分离法分离富铕中钇矿的新工艺.原料首先流入十几的三出口预先粗分离工艺,其萃余液La~Gd(TbDy)直接流入Nd/Sm工艺;中间出口流入(Gd)Tb~HoY(Er)Gd~Dy/Ho~LuY细分离工艺;出口负载有机相(Ho)Er~LuY流入Gd~Dy/Ho~LuY的洗涤段.结果表明,新工艺的粗分离工艺将占原料约70%的La~Gd(TbDy)预分离掉,使流入Gd~Dy/Ho~LuY工艺的稀土量减少约70%;由于Gd~Dy/Ho~LuY分组的萃余液GdTbDy含Ho2O3小于0.03%,省去原工艺的GdTbDy/HoY分离;新工艺的处理能力提高30%,酸碱消耗减少20%以上,贵重稀土元素Eu和Tb的存槽量大大减少. 相似文献
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有机溶剂热生长技术制备硫族化合物及其光学特性的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
以有机溶剂热生长技术(solvothermaltechnique)制备了半导体硫族化合物(CdS、ZnS、MoS2)等纳米颗粒,采用XRD、TEM等技术对其结构进行表征.以ITO导电玻璃以及导电聚合物(PANI、PPY)膜为基底,将纳米颗粒涂布其上并以PL法研究其光学特性,实验结果表明:经修饰后,材料的荧光发射位置发生显著的变化. 相似文献
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日光照射对荧光增白剂VBL顺-反异构现象影响的研究 总被引:2,自引:1,他引:2
用紫外光谱和荧光光谱法对日光照射荧光增白剂VBL溶液进行了研究。结果表明、随日光照射时间的延长,VBL溶液在432nm处荧光强度下降;而在267nm处有所增强,低浓度溶液对日光照射更加敏感。1mg/1在避光时测得吸光度为0.449,而在日光照射15分钟后,其吸光度下降至0.141,证明日光照射使VBL溶液中的顺式异构体增加。 相似文献