浅谈中央空调循环水泵闭环变频节能的可行性

本文简要论述了安装中央空调循环水泵闭环变频系统在技术上的可行性并介绍了天安国际大厦安装闭环变频系统在经过一年来的实际运行后收到了良好的节能效果     

高炉炉渣流动性的实验研究

以宝钢高炉渣中的四大组元(CaO,SiO2,Al2O3,MgO)为基础,实验研究MgO,Al2O3含量及碱度对炉渣的熔化性温度和流动性的影响.结果表明,炉渣中Al2O3含量控制在16%,配制适量的MgO(9%～10%),在1 500℃以上的高温区域,炉渣仍能保持正常的流动性,适合炉缸温度充沛的高炉使用;MgO含量由6%增加到10%时,较明显地降低了炉渣粘度,粘度的递减值约为0.07～0.15 Pa.s.     

用于微波/射频集成电路的一种新型低损耗介质——多孔硅及氧化多孔硅厚膜

提出在单片微波集成电路(MMIC)中用多孔硅/氧化多孔硅厚膜作微波无源器件的低损耗介质膜.研究了厚度为70μm的多孔硅/氧化多孔硅厚膜在低阻硅衬底上的形成,这层厚膜增加了衬底的电阻率,减少了微波的有效介质损耗.通过测量在低阻硅衬底上形成的氧化多孔硅厚膜上的共平面波导的微波特性,证明了在低阻硅衬底上用厚膜氧化多孔硅可以提高共平面传输线(CPW)的微波特性.     

孤岛原油正庚烷和正戊烷沥青质乳化能力研究

从孤岛原油中分离出正戊烷和正庚烷沥青质，元素分析和红外光谱分析结果表明，相对分子质量较大的正庚烷沥青质，含杂原子和极性基团较多。将两种沥青质溶于甲苯配制的模型油，分别与蒸馏水、模拟地层水、0～900mg／LHPAM溶液、0～500mg／L黏土液按1：10体积比充分乳化，测定静置时水相（水包油乳状液）透光率，据以考察沥青质的乳化能力，结果表明：正庚烷沥青质的乳化能力强于正戊烷沥青质；矿化离子使沥青质的乳化能力减弱；随聚合物浓度增大，沥青质乳化能力增强；黏土在浓度小于200mg／L时使乳化能力减弱，浓度大于200mg／L时使乳化能力增强。模型油与HPAM溶液间的界面张力，在聚合物浓度100mg／L时有最小值，在500mg／L时有最大值，正庚烷沥青质模型油的界面张力随聚合物浓度的变化较剧烈。正庚烷模型油在聚合物溶液中的乳化油滴直径分布范围较正戊烷模型油窄，聚合物浓度较大时，油滴直径分布范围较宽。正庚烷沥青质模型油与黏土液闸的界面张力，在黏土液浓度增至300mg／L时略有升高，浓度继续增大时大幅升高，而正戊烷模型油的界面张力在黏土液浓度300mg／L时有最低值。图9表3参7。     

丁二烯装置的安全生产

丁二烯是生产顺丁橡胶的主要原料,它作为液化气的一种组成成分,具有闪点低、引燃能量小、爆炸下限低、爆炸范围大等特点,因此做好丁二烯在储运、生产过程中的安全生产工作至关重要.     

赛汉塔拉凹陷滑塌浊积岩的发现与勘探意义

通过研究二连盆地赛汉塔拉凹陷中洼槽陡坡带的含鲕粒块状细砂岩从岩性特征、沉积结构及构造特征、粒度特征、测井曲线特征、地震反射特征以及对其形成机理的分析,认为赛83x含油砂岩体为在半深湖一深湖环境形成的滑塌浊积扇沉积.这种类型的滑塌浊积扇具备分选、磨圆度、物性较好等条件,尤其是此类砂岩体往往被形成于深湖一半深湖相还原环境的深灰色、灰黑色泥岩--成熟烃源岩所包围,易形成岩性圈闭,有利于油气的运移和聚集成藏,是断陷湖盆陡坡带油气勘探的重要目标.     

单片机自控系统在NS0631型轨道起重机上的应用

单片机自控系统在大型工程机械中得到了越来越广泛的使用，从而使设备的安全性、可靠性大为提高。文章着重分析了NS0631型轨道起重机中自控系统的结构、使用中存在的问题，提出了解决的方法及今后的改进设想。     

Monte Carlo Simulations of High-Performance Implant Free In0.3Ga 0.7As Nano-MOSFETs for Low-Power CMOS Applications

The potential performance of implant free heterostructure In_0.3Ga_0.7As channel MOSFETs with gate lengths of 30, 20, and 15 nm is investigated using state-of-the-art Monte Carlo (MC) device simulations. The simulations are carefully calibrated against the electron mobility and sheet density measured on fabricated III-V MOSFET structures with a high-kappa dielectric. The MC simulations show that the 30 nm gate length implant free MOSFET can deliver a drive current of 2174 muA/mum at 0.7 V supply voltage. The drive current increases to 2542 muA/mum in the 20 nm gate length device, saturating at 2535 muA/mum in the 15 nm gate length one. When quantum confinement corrections are included into MC simulations, they have a negligible effect on the drive current in the 30 and 20 nm gate length transistors but lower the 15 nm gate length device drive current at 0.7 V supply voltage by 10%. When compared to equivalent Si based MOSFETs, the implant free heterostructure MOSFETs can deliver a very high performance at low supply voltage, making them suitable for low-power high-performance CMOS applications     

Al-Cu双金属复合结构的扩散连接试验研究

应用扩散连方法进行了Al-Cu双金属复合结构的试验研究，比较了不同的焊接工艺，材料组合以及母材状态情况Al合金与Cu的连接性，观察了接头区域的微观组织结构，研究表明，固相扩散连接是一种适用于异种材料连接的有效方法，通过在连接区域形成Al-Cu金属间化合物，达到Al和Cu的有效连接，材料组合，母材原始状态以及连接工艺参数对Al合金与Cu的扩散连接存在着明显的影响。表面镀Ni工艺不但能够有效阻止Al和Cu之间形成脆性相，而且Al和Ni之间形成了良好的扩散连接，改善了接头性能。     

76 mm口径EFP成形过程数值模拟及影响因素研究

采用LS-DYNA3D对76mm口径药型罩爆炸成型弹丸(EFP)的成形过程进行了数值模拟，模拟结果与实验数据基本吻合．通过数值模拟着重分析了装药长径比L／D、壳体厚度、药型罩壁厚对EFP速度的影响规律，得到了有关EFP成形速度公式，得出EFP速度随L／D的增大而增大，随药型罩厚度增大而减小，受装药外壳厚度影响不大．