用CMOS工艺实现VSR光电集成接收机的途径

介绍了10Gbit／s速率的甚短距离光传输系统VSR(Very Short Reach)中的接收机。分析了几种有希望用于VSR系统的CMOS工艺兼容的光电探测器。提出用CMOS电路实现VSR光电集成(OEIC)接收机的可能性和实现方法。     

弹性-粘弹性复合结构随机响应的各阶谱矩的计算方法

提出了一种新的计算弹性-粘弹性复合结构随机响应的各阶谱矩的计算方法，它是一种时域复模态分析方法。利用此方法获得了弹性-粘弹性复合结构在白噪声、滤过白噪声等典型平稳随机激励下随机响应的各阶谱矩的解析表达式，分析了粘弹性对各阶谱矩的影响。此计算方法简便、易用，无论单自由度或多自由度系统均适用，为进一步研究弹性-粘弹性复合结构在随机激励下的可靠性打下良好基础。     

Phosphorus‐containing polyaryloxydiphenylsilanes with high flame retardance arising from a phosphorus–silicon synergistic effect

Polyaryloxydiphenylsilanes were prepared from phosphorus‐containing diols and diphenydichlorolsilane through solution polymerization. With a stoichiometric imbalance in feed monomers, the resulting polymers exhibited moderate melting points and good processing properties. The polymers prepared showed initial decomposition temperatures above 340 °C, excellent thermal stability, high char yields at 850 °C and very high limited oxygen index values of 56–59. The polymers' char yields and their (P + Si) contents showed linear relationships. © 2003 Society of Chemical Industry     

移动运营商手机游戏业务的战略定位和发展策略探讨

分析了韩国、日本及国内运营商手机游戏业务的发展状况．探讨了手机游戏业务的模式．论述了该业务的战略定位和市场前景。从地区提供给移动通信市场对外部环境、产业链的准备是否充分以及运营商内部的资源和运营状况等三个方面阐明了手机游戏业务发展的关键因素。     

SCB火工品的研究与发展

文章评述了半导体桥火工品问世以来的研究成果与发展趋势。主要内容有半导体桥作用机理、半导体桥的结构与封装、半导体桥火工品的特点、半导体桥火工品的应用、半导体桥火工品的研究和发展趋势。     

哈得4联合站技术改造

位于塔克拉玛干大沙漠腹地的哈得4油田,2004年成为全国最大的沙漠油田,2005年产量达到200×104t。在对联合站存在问题逐一分析的基础上,提出了技术改造的措施。现场采集的运行数据表明技术改造效果明显,增强了流程可靠性,提高了自动化水平,降低了能耗。     

节水灌溉实施办法探讨

从我国实际情况出发,探讨了节水灌溉及其技术体系的建立、节水模式的选择和相应的对策措施。     

恶意修改IE浏览器及注册表的解决方法

我们在上网时,经常遇到恶意攻击,如IE浏览器被修改、注册表被锁定等,本文主要介绍了遇到这些情况时,将其解决的几种方法.     

Hf-doped and NH/sub 3/-nitrided high-K gate dielectric thin film with least drain current degradation and flatband voltage shift

A novel technique to form high-K dielectric of HfSiON by doping base oxide with Hf and nitridation with NH/sub 3/, sequentially, is proposed. The HfSiON gate dielectric demonstrates excellent device performances such as only 10% degradation of saturation drain current and almost 45 times of magnitude reduction in gate leakage compared with conventional SiO/sub 2/ gate at the approximately same equivalent oxide thickness. Additionally, negligible flatband voltage shift is achieved with this technique. Time-dependent dielectric breakdown tests indicate that the lifetime of HfSiON is longer than 10 years at V/sub dd/=2 V.     

加强安全监督管理 保障检修施工安全

通过严格外来施工队伍和人员的安全管理,加强直接作业票证的管理,落实监护人职责,开展项目危险性分析,强化现场监督等手段,从而加强了检修现场的安全管理,保证系统停车检修的圆满完成。