改善高平均功率固体激光器光束质量的研究

本文首先概述了内含热透镜的激光谐振腔的分析方法，提出影响高平均功率固体激光器光束质量的主要因素是激光介质的热效应，尤其是非对称的热透镜象差。因此，改善光束质量的途径是补偿或修正透镜象差，使光束质量达到非相干多模振荡的理论值。     

ATM的相关技术

介绍与ＡＴＭ有关的交换技术。     

高频声表面波滤波器用单指换能器

报道两种带宽极窄的采用单指换能器制作的声表面波滤波器。一种是利用单指换能器声同步频率与反射频率之间的相位叠加与相消来制作的体积极小（芯片面积只有采用双指换能器的三分之一不到）的高频极窄带声表面波滤波器，其３ｄＢ带宽的相位变化只１２０°；另一种是采用合理布局的单指无内反射换能器制作的高频极布带声表面波滤波器，其幅频特性同采用双指换能器制作的同类型的声表面波滤波器一样。最后给出了这两种声表面波滤波器的较详细的理论分析和实验结果。关键词     

南方沙地开发利用途径的探讨

根据南方风沙化地自然及气候的特点，提出并讨论了在风沙化土地区营造防风固沙林；建立沙地果业基地；发展沙区畜牧水产业；搞好沙地蔬菜生产；完善农防林体系建设，发展沙区工业等开发利用模式。     

F_q上矩阵秩的概率分布及其渐近性质

本文给出了Ｆｑ（ｑ为素数）上ｋ×ｎ随机矩阵秩的概率分布，并详细讨论了方阵和高矩阵这两类特别重要的矩阵的秩分布，揭示了这两类矩阵秩分布的渐近性质。     

GaAs、InP集成电路技术的发展——1992年IEEE GaAs IC讨论会评述

本文介绍了1992年IEEE GaAs IC讨论会的概况,并依据这次国际会议所发表的论文,以GaAs、InP集成电路的技术路线为主线,介绍和评述了GaAs基PHEMT,HBT,MESFET以及InP基HEMT、HBT等集成电路的现状与发展。     

光时域反射计衰减特性检定装置

介绍一套“有源法”光时域反射计（ＯＴＤＲ）衰减特性检定装置。对参考量值采取自标定的方法，用一种串联替代法实现对高重复性衰减器３．０１０ｄＢ值的准确标定。该装置检定灵活性强，对ＯＴＤＲ衰减特性检定的不确定度优于０．０２ｄＢ／ｄＢ（９５％置信度）。     

含钒铁水中硅,钛含量对炼钢,炼铁工序指标的影响

利用生产实践数据，分析了铁水中Ｓｉ＋Ｔｉ含理对炼铁焦比、产量、生铁Ｓ以及提钒时的钒回收率、钒渣品位、白灰消耗等工序指标的影响，提出了适合于承钢铁水的Ｓｉ＋Ｔｉ含量。     

变温长波碲镉汞光电导现象研究

报道了ｎ型Ｈｇ０．８Ｃｌ０．２Ｔｅ光电导体的变温材料参数与性能参数的对照关系，并讨论了材料的锭条参数与小芯片霍耳参数的差异，得到一组光电导的实验优化数据，实测小芯片载流子浓度ｎ≈１．８×１０＾１５ｃｍ＾－３，这与高性能器件实测值的倒推数值一致，这被解释为长江红外高背景辐射的结果。     

InGaAs（P）分别限制应变单量子阱激光器的优化设计

针对较常用的ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）分别限制应变单量子阱激光器，给出了为得到最大净增益的优化设计参数。对于激射波长为１．５５μｍ的无应变激光器，最佳的光限制层波长为１．２４μｍ，厚度为１００ｎｍ。当阱材料引入压缩应变后．由于价带的有效状态密度减小，量子阱激光器的微分增益变大，阱深的增大对增大线性增益的效果更加明显．所以最佳光限制层的波长将变短，为１．２０μｍ