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22.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算 总被引:1,自引:1,他引:0
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。 相似文献
23.
深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析 总被引:1,自引:0,他引:1
利用器件模拟手段对深亚微米MOSFET的衬底电流进行了研究和分析,给出了有效的道长度,栅氧厚度,源漏结深,衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米MOSFET衬底电流的影响,发现电源电压对深亚微米MOSFET的衬底电流有着强烈的影响,热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小,当电源电压降低到一定程度时,热载流子效应不再成为影响深亚微米MOS电路可靠性的主要问题。 相似文献
24.
Marginal costs of electricity vary by time and location. In the past, researchers attributed the variations to factors related to electricity generation and transmission. These authors, however, have not analyzed possible variations in marginal distribution capacity costs (MDCC). The objectives of this paper are:
- 1. (i) to show that large MDCC variations are due to the dispersion in distribution capital expenditures by time and space,
- 2. (ii) to propose a method for quantifying the area- and time-specific MDCC in the presence of lumpy investments, and
- 3. (iii) to compare our MDCC estimates to those commonly used in the electric utility industry.
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醇镁还原法一步制取对氯苯胺是一种新的方法 ,研究发现最佳反应温度为 80℃~ 85℃ ,反应时间为4h ,对氯硝基苯与镁粉的用量 (物质的量比 )为 1∶3,产率为 80 %。 相似文献
26.
三峡水库减淤增容调度方式研究——多汛限水位调度方案 总被引:8,自引:0,他引:8
本文建议在汛期中小流量时(Q<35000m3/s),将坝前水位维持在148~151m;出现汛情且流量更较大后,将坝前水位降低到143m;入库流量大于35000m3/s且短期预报将出现大于十年一遇洪水时,预泄洪水到135m.按这一调度,汛期约80%时间可以维持在较高水位,一般洪水期。汛限水位143m不影响坝区通航,135m水位迎洪可大量增加防洪库客。到100年后可减淤30亿m3,增加防洪库容约40亿m3.变动回水区减淤40%,优化了坝区水沙搭配,可改善通航条件。降低库区洪水位,缓解防洪与移民的矛盾。可对发电带来较大好处:提高发电效益,减少粗沙过机。初期水库排沙比大于原方案,可减轻下游冲刷。同时,可减小三峡汛初泄水与鄱阳湖防洪的矛盾。 相似文献
27.
28.
Organic conductor is a kind of organic compound which has special electronic and magnetic properties. The research of the organic compounds has received considerable attention because of their potential applications in many areas. The molecular conductive units are theoretically investigated as well as their energy gap and charge distribution. The relationship of conductivity and micro-mechanism is discussed. 相似文献
29.
新型高k栅介质材料研究进展 总被引:5,自引:0,他引:5
随着半导体技术的不断发展,MOSFET(metal-oxide-semiconductor field effect transistor)的特征尺寸不断缩小,栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著,将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料,能够在保持和增大栅极电容的同时,使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义;MOS栅介质的要求;主要新型高k栅介质材料的最新研究动态;展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。 相似文献
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