首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   47021篇
  免费   4371篇
  国内免费   2790篇
电工技术   2939篇
技术理论   3篇
综合类   3820篇
化学工业   7455篇
金属工艺   2819篇
机械仪表   2983篇
建筑科学   3901篇
矿业工程   1593篇
能源动力   1694篇
轻工业   3120篇
水利工程   952篇
石油天然气   2395篇
武器工业   367篇
无线电   5321篇
一般工业技术   5506篇
冶金工业   2250篇
原子能技术   650篇
自动化技术   6414篇
  2024年   220篇
  2023年   761篇
  2022年   1276篇
  2021年   1864篇
  2020年   1404篇
  2019年   1215篇
  2018年   1396篇
  2017年   1457篇
  2016年   1322篇
  2015年   1772篇
  2014年   2295篇
  2013年   2708篇
  2012年   2977篇
  2011年   3068篇
  2010年   2954篇
  2009年   2657篇
  2008年   2641篇
  2007年   2511篇
  2006年   2320篇
  2005年   1980篇
  2004年   1835篇
  2003年   2231篇
  2002年   2782篇
  2001年   2369篇
  2000年   1345篇
  1999年   1057篇
  1998年   677篇
  1997年   557篇
  1996年   526篇
  1995年   424篇
  1994年   368篇
  1993年   273篇
  1992年   226篇
  1991年   148篇
  1990年   95篇
  1989年   88篇
  1988年   94篇
  1987年   57篇
  1986年   40篇
  1985年   32篇
  1984年   21篇
  1983年   14篇
  1982年   21篇
  1981年   12篇
  1980年   14篇
  1979年   15篇
  1977年   5篇
  1975年   5篇
  1959年   9篇
  1947年   5篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
21.
提出了一种新的计算弹性-粘弹性复合结构随机响应的各阶谱矩的计算方法,它是一种时域复模态分析方法。利用此方法获得了弹性-粘弹性复合结构在白噪声、滤过白噪声等典型平稳随机激励下随机响应的各阶谱矩的解析表达式,分析了粘弹性对各阶谱矩的影响。此计算方法简便、易用,无论单自由度或多自由度系统均适用,为进一步研究弹性-粘弹性复合结构在随机激励下的可靠性打下良好基础。  相似文献   
22.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算   总被引:1,自引:1,他引:0  
王纪民  蒋志 《微电子学》1997,27(2):121-124
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。  相似文献   
23.
深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用器件模拟手段对深亚微米MOSFET的衬底电流进行了研究和分析,给出了有效的道长度,栅氧厚度,源漏结深,衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米MOSFET衬底电流的影响,发现电源电压对深亚微米MOSFET的衬底电流有着强烈的影响,热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小,当电源电压降低到一定程度时,热载流子效应不再成为影响深亚微米MOS电路可靠性的主要问题。  相似文献   
24.
Area- and time-specific marginal capacity costs of electricity distribution   总被引:2,自引:0,他引:2  
Marginal costs of electricity vary by time and location. In the past, researchers attributed the variations to factors related to electricity generation and transmission. These authors, however, have not analyzed possible variations in marginal distribution capacity costs (MDCC). The objectives of this paper are:
1. (i) to show that large MDCC variations are due to the dispersion in distribution capital expenditures by time and space,
2. (ii) to propose a method for quantifying the area- and time-specific MDCC in the presence of lumpy investments, and
3. (iii) to compare our MDCC estimates to those commonly used in the electric utility industry.
Our proposed method and its results were adopted by the California Public Utilities Commission (CPUC) in 1992 for Pacific Gas and Electric Company (PG&E), the largest privately owned electric utility in the U.S.  相似文献   
25.
醇镁还原法一步制取对氯苯胺是一种新的方法 ,研究发现最佳反应温度为 80℃~ 85℃ ,反应时间为4h ,对氯硝基苯与镁粉的用量 (物质的量比 )为 1∶3,产率为 80 %。  相似文献   
26.
三峡水库减淤增容调度方式研究——多汛限水位调度方案   总被引:8,自引:0,他引:8  
周建军  林秉南  张仁 《水利学报》2002,33(3):0012-0019
本文建议在汛期中小流量时(Q<35000m3/s),将坝前水位维持在148~151m;出现汛情且流量更较大后,将坝前水位降低到143m;入库流量大于35000m3/s且短期预报将出现大于十年一遇洪水时,预泄洪水到135m.按这一调度,汛期约80%时间可以维持在较高水位,一般洪水期。汛限水位143m不影响坝区通航,135m水位迎洪可大量增加防洪库客。到100年后可减淤30亿m3,增加防洪库容约40亿m3.变动回水区减淤40%,优化了坝区水沙搭配,可改善通航条件。降低库区洪水位,缓解防洪与移民的矛盾。可对发电带来较大好处:提高发电效益,减少粗沙过机。初期水库排沙比大于原方案,可减轻下游冲刷。同时,可减小三峡汛初泄水与鄱阳湖防洪的矛盾。  相似文献   
27.
随着油田开发时间的延长,油水井井下套管的损坏将越来越严重,套管故障井将越来越多,为了恢复套损井生产,将套管损坏所造成的损失降到最低,在配套波纹管补贴,水动力补贴,爆炸补贴等专门修套技术的基础上,通过认真调查研究,又配套了操作方便简单,适用套管损坏类型广的自动力套管补贴加固技术,使各种套管变形,套管断错(错开没有位移或位移量不大时)、套管破裂,误射孔井段封堵,已射开水层封堵等修井作业的难度进一步降低,从而进一步提高了修复井综合开发经济效益。  相似文献   
28.
Organic conductor is a kind of organic compound which has special electronic and magnetic properties. The research of the organic compounds has received considerable attention because of their potential applications in many areas. The molecular conductive units are theoretically investigated as well as their energy gap and charge distribution. The relationship of conductivity and micro-mechanism is discussed.  相似文献   
29.
新型高k栅介质材料研究进展   总被引:5,自引:0,他引:5  
随着半导体技术的不断发展,MOSFET(metal-oxide-semiconductor field effect transistor)的特征尺寸不断缩小,栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著,将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料,能够在保持和增大栅极电容的同时,使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义;MOS栅介质的要求;主要新型高k栅介质材料的最新研究动态;展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。  相似文献   
30.
8Li次级束的产生   总被引:4,自引:3,他引:1  
在北京串列加速器次级束流线上通过2 H(7Li,8Li) 1H逆运动学反应产生了用于核天体物理研究的8Li次级束。准直后的次级束纯度达到 80 %以上 ,对于 44MeV的7Li强度约为 3 0s- 1·pnA- 1,可以用来进行逆几何转移反应的实验测量。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号