时序电路逻辑初始化问题研究

讨论同步时序电路初始化问题,提出了一种基于电路存储元件逻辑定级和可控性分析的同步时序电路逻辑初始化方法。同时也给出了针对ISCAS89电路的一些实验结果。     

Cu－MnO_2同槽电解半工业试验研究

提出了Ｃｕ－ＭｎＯ＿２同槽电解的新工艺，在同一电解槽同时得到电铜和电解二氧化锰两种产品，该新工艺具有低电耗、低酸雾污染和低酸耗等优点．     

虚拟嵌入式可编程控制器

本文介绍了虚拟嵌入式ＰＬＣ的原理并给出了一个实例。从某种意义上说，这种ＰＬＣ是一种思想方法。它适用于任何一种计算机系统。这种技术已成功运用于几个控制系统。     

同步电动机改型设计

对同步电动机从400V改为6000V过程中的几个问题通过实例进行分析说明,可供同步电机的改型设计参考。     

具有初曲率板弯曲的边界元分析

由于具有初曲率板弯曲问题的控制微分方程较复杂，直接求解原问题基本解推导边界积分方程较为困难。本文通过引入等效荷载，将此问题的控制微分方程化成与普通板弯曲基本方程形式相同的微分方程，利用一般求解板弯曲问题的边界元法迭代求解，建立了分析具有初曲率板弯曲问题的边界元法。算例表明本方法理论准确、精度良好。     

叠后记录Radon变换压制干扰方法

在叠加剖面中,下伏反射界面的反射信号同相轴呈连续的或带有限个间断点的连续层状图像,各种干扰则呈无规则的图像。对此剖面的振幅数据进行 Radon 变换,即分别向各方向进行投影,层状图像将产生一定形状的光滑曲线,而干扰数据将相互抵消,其剩余数据呈高斯分布。在Radon 域中通过平滑等方法消除这些呈高斯分布的噪声数据,再经 Radon 逆变换,便可获得信噪比较高的叠加剖面。其结果不改变原叠加剖面的分辨率和信号波形特征。理论与实际剖面的处理结果表明,这是一种良好的压制干扰方法。     

镶嵌在CaF2介质中纳米Cu团簇微观结构的研究

利用磁控溅射产生金属Ｃｕ团簇，同时蒸发ＣａＦ２介质，将Ｃｕ团簇包埋在ＣａＦ２介质中，团簇大小可通过改变溅射气压控制，用ＴＥＭ研究了嵌埋团簇的结构，分析结果表明：Ｃｕ团簇呈三角状多晶结构，团簇大小为１０￣７０ｎｍ，基质ＣａＦ２晶体也为多晶结构，Ｃｕ团簇的晶格常数在包埋状态下发生了膨胀，膨胀率大约在１６％左右。     

T_C≥400°C高温PTC陶瓷的研制

利用国产原料，采用传统的陶瓷材料制备工艺，研制了居里温度ＴＣ≥４００°Ｃ的高温ＰＴＣ陶瓷，制成了居里温度ＴＣ＝４１２°Ｃ，电阻Ｒ≤１０３Ω，ｌｇ（Ｒｍａｘ／Ｒｍｉｎ）＝４的高性能ＰＴＣ热敏陶瓷材料     

用于生产甲基丙烯酸的杂多酸催化剂的研究

以异丁烯为原料的两段直接氧化生产甲基丙烯酸最新工艺有许多优点。其技术关键在于研制出高效的甲基丙烯醛选择性氧化催化剂。本文报道P-Mo-As-Cu杂多化合物催化剂的组成、制备条件对催化剂活性的影响。经优化后获得高选择性、高活性的二段氧化催化剂，其甲基丙烯酸收率达60％以上。