Cd-ZSM-5沸石催化剂的制备、表征和芳构化催化性能

采用离子交换、浸渍和混合三种方法制备镉改性ZSM-5沸石催化剂,考察了改性方法和镉含量对催化剂的表面酸性和Cd状态以及芳构化性能的影响。结果表明,加入镉降低了B酸性,Cd~(2+)与沸石结合形成了L_(1612)酸中心,其生成量取决于改性方法和Cd含量,并与芳构化活性提高有直接关系。     

APPLICATION OF COMPUTER NUMERICAL METHOD IN PORE STRUCTURE CALCULATION

This paper compares the results Of calculat-ing pore structure and graphing differential and integralpore size distribution by hand and Computer,and presents thatlagrangian interpolation uesd by calculating pore structure issuitable and reliable.     

LDD方法在提高电路工作电压中的应用研究

研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了ＬＤＤ结构参数对器件击穿特性的影响，并结合实验结果对Ｎ＾－区的注入剂量，长度及引入的串联电阻进行了优化设计。     

NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算

分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数，给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式，以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压，文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。     

地面油管漏失定量测试方法探讨

对油管漏失进行定量测试的方法确定具体漏失位置。方法运用双频道回声探仪探测动液面的原理和工作方法，根据油管漏失形成的死油坏在测试曲线上出现特殊波位置判断油管漏失位置。结果：经过７０多井次的现场试验，该方法具有较高的准确性和可靠性。结论：利用特殊波可以有效监测油管漏失，并具有推广使用价值。     

深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析

利用器件模拟手段对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流进行了研究和分析，给出了有效的道长度，栅氧厚度，源漏结深，衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ衬底电流的影响，发现电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流有着强烈的影响，热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小，当电源电压降低到一定程度时，热载流子效应不再成为影响深亚微米ＭＯＳ电路可靠性的主要问题。     

一种多晶硅高温压力传感器

制作压力传感器时，在二氧化硅层上淀积多晶硅膜，既可利用优良的机械特性，又可保证压敏电阻与衬底间具有良好的绝缘性，由此可大大提高器件的温度特性。介绍了一种多晶硅压力传感器的原理和设计。实验结果表明，这类传感器具有灵敏度好，精度高等特点，电路工作范围为０－２５０℃，且具有良好的温度稳定性。     

DIRECT RESONANCE OF TURBULENT BOUNDARY LAVER OVER COMPLIANT WALLS

１．　ＩＮＴＲＯＤＵＣＴＩＯＮＴｈｅｍａｉｎｇｏａｌｏｆｔｈｉｓｐａｐｅｒｉｓｔｏｅｘｐｌｏｒｅｔｈｅｐｏｓｓｉｂｉｌｉｔｙｔｏｌｅａｒｎｍｏｒｅａｂｏｕｔｔｈｅｍｅｃｈａｎｉｓｍｏｆｔｕｒｂｕｌｅｎｔｂｏｕｎｄａｒｙｌａｙｅｒｆｌｏｗｉｎｔｅｒａｃｔｉｏｎｓａｎｄｉｔｓｅｆｆｅｃｔｓｏｎｃｏｍｐｌｉａｎｔｗａｌｌｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ．Ｔｈｅｒｅａｒｅｃｅｒｔａｉｎｐｒｅｒｅｑｕｉｓｉｔｅｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓｔｏｆｕｒｔｈｅｒｔｈｅｓｔｕｄｙｏｎｔｈｅｍｅｃｈａｎｉｓｍ，ｉ．ｅ．ｔｈｅｃｏ…     

UHF频段卫星移动通信系统若干问题的探讨

本文根据我国陆海空移动用户的需求与特点，借鉴国外经验，提出了建设ＵＨＦ频段卫星移动通信系统的建议；对照已建成的Ｃ波段卫星固定通信系统，分析了其优缺点；最后深入探讨了应用中的若干技术问题。     

移动式宽频带高产额中子发生器

多用途中子发生器有着广阔的市场和应用领域 ,文章对移动式宽频带高产额中子发生器 ,在设计制造过程中所涉及到的技术难点 :绝缘尺寸小、频率适应范围宽、为中子管提供靶压的高压负载特性好等作了技术分析 ,使多用途中子发生器在更广阔的范围内应用 ,提供了广阔前景。