时效处理对Zn-A1-Cu伪合金涂层硬度的影响

采用连续喷涂和间歇喷涂两种工艺制备了Zn-A1-Cu伪合金涂层，并进行了时效处理。利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射分析(XRD)、能谱分析(EDX)和硬度测试等手段，对涂层的性能进行了测试，分析研究了Zn-A1-Cu伪合金涂层硬度与时效温度和时效时间的关系，并探讨了强化机理。研究表明，一方面通过时效强化可使涂层硬度提高；另一方面则降低形变强化作用，使涂层硬度下降。其综合作用结果，可以使间歇涂层硬度提高，使连续喷涂涂层硬度降低。     

纳米压印中聚合物界面行为的分子动力学

在纳米压印中,模具和聚合物之间的相互作用能对压()特征的图型转移质量有着重要影响,文中利用分子动力学分别选择聚二甲基硅氧烷(PDMS),聚乙烯(PE),聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)研究了他们和模具壁面之间在不同距离时,壁面和聚合物之间相互作用能的变化关系,并考虑聚合物填充过程中压强对模具壁面和聚合物之间相互作用的影响,...     

网络化制造关键技术信息流的研究

动态联盟各盟员间信息的集成与共享是实现网络化制造的基础和核心,针对分布、异构、异质网络化制造环境的特点,该文提出实现网络化制造信息集成与共享的总体解决方案:基于STEP标准信息的表达和产品的建模;基于XML、VRML信息的传输;基于ASP技术信息的存取;基于CORBA规范信息系统的集成和软件的互操作性。最终实现信息流在分布、异构、异质网络化制造环境中高效的传输,动态联盟各盟员间信息的实时共享。     

基于差动莫尔信号的超高精度对正系统

为实现压印光刻中套刻对正超高精度的要求,采用基于斜纹结构光栅差动莫尔信号对正技术。利用光电接收器件阵列组合接收光栅产生的莫尔条纹信号,得到x,y方向的对正偏差信号。通过对基本莫尔信号和差动莫尔信号的分析对比,证明了差动莫尔信号具有更好的灵敏度,并在差动模式的基础上采用Chebyshev数字滤波器进行去噪,最终实现±20nm重复对正精度,达到100nm压印光刻的对正精度的要求。     

快速成形集成制造系统的开发与研究

快速成形制造系统以快速成形技术的核心技术,实现ＣＡＤ／ＲＥ、ＲＰ、ＲＴ的技术集成。西北ＲＰＭ应用服务中心以西安交通大学为技术依托,在工艺集成、系统精度、数据集成、远程网络化服务等方面进行研究与开发。以实际案例说明快速成形技术及以其为基础的快速模具技术在企业新产品的快速开发中的重要作用。     

基于纳米压印技术的光伏器件微三维构型研究

将纳米压印技术应用到三明治结构光伏器件制作.采用具有三维微结构(平行波纹、离散孤岛)软模具,通过纳米压印将定制化微三维结构转印到电子给体层和电子受体层的异质结界面上,以增大异质结界面实际面积,提高光伏效率.通过仿真计算,模拟了通过微结构界面几何改变,提高有效面积内异质结界面实际接触面积,从而增大载流子浓度的过程,优化三维微结构几何特征.典型试验结果证明了光伏器件异质结三维微结构界面对光伏效率的良好效果.     

高速切削加工技术发展与关键技术

高速切削加工是先进制造技术的重要组成部分,近净形毛坯通过高速机床一次装夹加工是制造业的发展趋势.高速机床不仅要有高的主轴转速和进给速度,而且还需要有高的运动加速度.介绍了高速切削加工的概念和优越性;研究了国外高速机床的技术发展与应用,以及我国高速机床的发展现状和趋势;分析了高速切削机床、高速切削刀具、CNC控制系统等实现高速切削必需的关键技术的发展现状,并探讨了高速切削技术应用领域和高速机床发展趋势.     

大型曲面类产品的快速制造技术研究

为了快速开发出1：1人体仿真模型，提出了基于网络的集成开发模式，再应用3维反求、CAD再设计、快速成形和快速模具制造等先进制造技术完成模型的测量、曲面重构、零部件设计和样件制造，最终获得合格的人体访真模型。应用表明，笔者提出的开发模式能实现包含复杂曲面的产品的快速开发。     

滚型纳米压印模具变形机理的研究

滚型纳米压印是一种高效、低成本批量化制造大面积微纳米结构的方法,已经被看成是最具有工业化应用前景的微纳米制造方法之一,同时也被认为是实现纳米压印技术从实验室到工业化应用的一个重要突破口。开展滚型纳米压印过程中模具变形机理和规律的研究,提出滚型纳米压印两种理论模型,揭示柔性接触滚轮模具变形的机理、规律和主要影响因素,阐述硬质接触和柔性接触两种压印方式显著区别和特点。该研究为探索减小弹性滚轮模具变形策略和方法,滚型纳米压印工艺要素的优化,以及提高滚型纳米压印复型精度和压印效率奠定了理论基础。     

冷压印光刻中斜纹光栅对准信号计算模型

采用傅里叶光学的方法,分析了冷压印光刻中新型斜纹光栅对准标记的透光特性。分析表明,对准信号与光栅副相对位移之间是正弦变化关系,且对准位置附近是一个陡直的线性区。该区对准信号的灵敏度很高,适合于多层套刻对准,根据信号和位移的线性关系,给出初步的对准信号计算模型。由于抗蚀剂的存在,使晶片表面反射率随位移而变化,提出用反射率因子进行修正的方案。反射率因子中包含有位移信息,将其与初步对准信号模型相乘,得到修正的计算模型。由新模型,研究了抗蚀剂平均厚度不同对对准信号的影响,说明要获得高灵敏度的信号,抗蚀剂厚度应取满足压印条件的最小值。