外辐射源天地波雷达定位方法及精度分析

天地波组合传播模式高频外辐射源雷达受电离层和海洋表面环境、短波段电磁环境及收发配置等诸多因素的影响. 针对该新体制外辐射源雷达的定位问题,研究了天地波组合传播模式下的目标定位模型,提出了一种基于直达波到达仰角的定位新方法,并分别从测量误差理论和几何精度因子(Geometric Dilution Of Precision,GDOP)两方面分析了定位精度与目标方位的关系. 仿真结果表明,在简化定位模型的情况下,利用该方法的定位结果在一定区域内仍然具有较高的定位精度,根据研究结果有针对性地提供了改善定位精度的工程方案.     

基于多层感知器的外辐射源雷达多帧联合检测

针对复杂杂波背景下“低慢小”目标检测问题,发展了一种基于多层感知器(multi-layer perceptron,MLP)的检测器.该检测器联合多场距离多普勒(range-Doppler,RD)谱作为观测空间,在每一场RD谱上取沿距离维滑窗的n个(通常取n=3)单元构造观测向量.为评估该检测器实际性能,开展了无人机探测...     

MnxCd1-xIn2Te4晶体生长及其性能研究

采用ACRT-B法生长了四元稀磁半导体化合物Mn0.1dCd0.9In2dTe4晶体。采用扫描电镜、X射线衍射仪、ISIS能谱仪、Leica定量金相分析仪以及傅里叶变换红外光谱仪研究了晶体中相的结构，形貌、成分及晶片的红外透射光谱。发现晶体生长初始端由于溶质再分配而引起成分偏离配料比，结果出现三种相：α相、β相和β1相，其中α相和β相是在晶体生长过程中形成的，随温度降低，从α相中又析出β1相，当晶体生长到稳定段，完全形成β相，Mn0.1Cd0.9In2Te4晶体从生长初始端到接近稳态区，β1相内规则排列状向不规则排列的近似圆片状发展。禁带宽度为1.2eV的Mn0.1Cd0.9In2Te4在10000～4000cm^-1的近红外波数范围内，其透过率最高达83%，在4000～5000cm^-1的中红外波数范围内透过率为59%～65%。     

小灵通不妨到农村显身手

业界对小灵通的争论从来就没有停止过。也许是受制于日本对PHS无线通信技术发展波折的其进一步发展。但另一方面，经营固定网的主导电信公司最近几年在我国电信业重组历程中始终处于非常尴尬的位置，移动业务被禁止发展，而固定网业务的发展却全面放缓，有的地区已经出现负增长。再，在20世纪后半叶业界大肆炒作的数据或宽带业务也远没有获得人们的预期，给人的直接感觉似乎这是一个“无底洞”，需要不断增加投入，以维持和跟进新技术、新业务的不断发展，但效益微乎其微。在这一特定时代背景下，小灵通在我国应运而生，自1997年底在浙江余杭地区试验，如今已遍布全国，覆盖250个城市。无论如何，小灵通在我国已经取得了长足的发展，并已达到相当规模。那么，在未来2-3年内，小灵通应该何去何从？业界对此可谓是仁见仁，智见智。通过调研，并结合我国电信业的未来发展及我国政策取向和电信运营商的自身发展，我们认为……     

单频网分布式外辐射源雷达技术

外辐射源雷达的研究和应用正朝着由单收发对向多收发对体制发展。作为该型雷达的一种重要机会照射源,新一代数字广播电视广泛采用单频(或同频)网覆盖方式,其内在决定了基于此的外辐射源雷达是分布式和网络化的。鉴于照射源单频网配置下外辐射源雷达不同寻常的工作和处理方式,该文归纳提出了单频网分布式外辐射源雷达的概念,阐述了该型雷达的主要特性以及所面临的核心问题,并就部分关键技术讨论了若干可供尝试的解决方案,结合原理实验结果展示了该型雷达的可行性,最后提出了集外辐射源雷达探测网的四网融合的概念并展望了其应用前景。      

Cd气氛退火对CdZnTe晶片质量影响

在CdZnTe晶体生长时,有时会产生大颗粒的沉积相,严重的影响了CdZnTe晶片的质量,通过电子探针测试证明其为Cd沉积相.采用Cd气氛退火来消除Cd沉积相,可以改善CdZnTe晶片的质量.实验发现:在较高的温度(600℃)条件下,退火可以有效的消除大颗粒(＞5 (m)的Cd沉积相,改善CdZnTe晶片红外透过率、X射线双晶回摆曲线半峰宽(FWHM)和腐蚀坑密度(EPD).在此条件下对CdZnTe晶片进行退火,有助于提高CdZnTe晶片的性能.     

日本手机的家庭

什么是日本手机,什么是日本风格？别老想着在国内能见到的索尼２１８、三菱小菲、松下的ＧＤ９０和ＧＤ９２什么的,其实他们都没有纯正的日本血统,最多只是些变种！而且也都是近几年的产品。而真正的日本手机,在很早就有了,且款式极多,这一点,对国内的手机迷来说可能知之不多吧,还好,我的百宝箱里存有不少哈日的东东,等我们慢慢说来,你就会有感觉了。 日本手机秉承了日本电器的风格,小、轻、薄,还有花俏,在日本,凡是能生产电器的公司都出过手机。 早期的日本手机 能收集到的最早的日本手机的资料（应该是车载电话）是７９年…     

Co-Ni-Sr-O系低温热敏陶瓷材料研究

着重研究了工作温度范围为20~77K的低温热敏电阻器的生产工艺参数。利用先进的半导体陶瓷工艺,合成了新的低温NTC热敏陶瓷材料SrCoO3-δ,并用不同量的Ni取代Co对其掺杂改性,得到了不同阻值、不同B值的陶瓷材料,同时研究了烧结温度和恒温时间对Co-Ni-Sr-O系NTC热敏材料参数的影响。在材料粉体合成中,采用固相烧结、共沉淀法、溶胶凝胶法、Pechini法等不同方法制备,讨论了不同方法的基本原理与特点,并对一些具体制备方法进行了比较。     

集成电路可测性设计IO复用方法

超大规模集成电路特征尺寸逐步缩小的发展过程中,芯片面积是制约芯片成本的最重要因素之一,也是直接影响半导体产品市场竞争力的最重要因素之一。本文介绍了将所有可测性设计(DFT)的输入输出端口(IO)与各种类型的正常功能工作模式的IO复用的方法,从而达到减少IO并最终减小芯片面积的目的。介绍了输入信号和输出信号分别在单向端口IO和双向端口IO中复用的方法。然后,以一款经过0.18μm逻辑工艺流片验证的flash存储器控制芯片为例,对比了采用IO复用方法前后芯片的利用率和面积,证明了方案的可行性和有效性。     

纳米氧化锌对NR/SBR/BR并用胶性能的影响

研究纳米氧化锌对NR/SBR/BR并用胶性能的影响。结果表明 ,纳米氧化锌用量增大 ,NR/SBR/BR并用胶的正硫化时间缩短 ,耐磨性能和耐热氧老化性能提高 ,但拉伸强度和拉断伸长率下降明显 ;1份纳米氧化锌替代 5份普通氧化锌 ,NR/SBR/BR并用胶的拉伸强度、拉断伸长率、耐磨性能和耐热氧老化性能提高。