光致荧光剂量计的研究

介绍了光致荧光剂量计的原理和组成,并进行了辐射剂量测量,探讨了应用中存在的一些实际问题。     

LiAITiO_4系多孔湿敏陶瓷导电机理的研究

通过对 LiAlTiO_4材料直流、交流特性、敏感特性及显微结构的测量与分析,讨论了材料的湿敏导电机理,建立了相应的物理模型。对材料的表面态、表面吸附过程、参与导电的载流子类型和各种可能的极化机制做了一定的阐述,给出了理论分析结果,与实验结果相一致。     

毛细变形钼管

近年来,由于工业技术的不断发展,对钼管特别是对小直径和毛细钼管的需要量日益增加。为了扩大钼管的品种规格,更能及时满足需要,我们对制取毛细变形钼管的工艺进行了研究。     

掺锰硅材料的电流振荡特性

用高温扩散方法制备出补偿Si∶(B,Mn)材料,并研究了这种材料的电流振荡参数与光照和电场之间的关系.结果表明:在一定光照和电场范围内(276～305V/cm),电阻率为104Ω·cm的材料在液氮温度下显示出电流振荡特性;在一定的电场下,电流振荡波形是固定的,不随时间变化;振荡频率随光照强度的增大而线性增大;调制系数随着光强的增强而减弱;振荡的最大值随着光照强度增大而减小,最小值随着光强增大而缓慢增大.     

掺锰硅材料的电流振荡特性

用高温扩散方法制备出补偿Si∶(B,Mn)材料,并研究了这种材料的电流振荡参数与光照和电场之间的关系.结果表明:在一定光照和电场范围内(276～305V/cm),电阻率为104Ω·cm的材料在液氮温度下显示出电流振荡特性;在一定的电场下,电流振荡波形是固定的,不随时间变化;振荡频率随光照强度的增大而线性增大;调制系数随着光强的增强而减弱;振荡的最大值随着光照强度增大而减小,最小值随着光强增大而缓慢增大.     

MeCr_2O_4-Bi_2O_3系半导体陶瓷湿敏材料的微观结构和敏感特性

本文研究了 MeCr_2O_4-Bi_2O_3(Me:Mg,Zn)系半导体陶瓷材料的晶相、微组织结构与湿敏特性。指出:掺入适量低共熔氧化物 Bi_2O_3,能在900℃合成温度下得到 MeCr_2O_4尖晶石结构。该材料经1300℃高温预处理后,按标准陶瓷工艺技术制得的烧结样品(φ10×1.0mm)固有阻值为106Ω数量级。微结构显示多孔网络特征,材料灵敏度适中,是制作湿度传感器的一种有实用价值的多孔质敏感材料。     

LiMeTiO_4系感湿陶瓷材料敏感特性与微组织结构研究

本文系统报导了 LiMeTiO_4(Me:Cr,Al)系多孔质感湿陶瓷敏感特性与微结构研究结果。实验结果说明,LiMeTiO_4系陶瓷具有稳定性高、固有阻值低、R-U 关系符合 R=R_0e~(-AU)规律、温度系数小、灵敏度适中及微组织结构较理想等优点,是制做0～80℃温区、10%RH～95%RH 相对湿区湿度测控元件较理想的敏感陶瓷材料,做为比较例,还分析对比了 LiCrTiO_4-LiAlTiO_4复合湿陶瓷的某些特性。     

深能级杂质Zn对n型硅半导体的补偿特性

为得到高B值(材料常数)的单晶热敏材料,采用高温气相扩散的方法在n型硅中掺杂深能级杂质Zn,得到高补偿的硅材料,并对该材料特性进行了测试和分析.结果表明:这种补偿硅具有热敏特性,该材料的B值为6300K左右,其阻值对温度的依赖关系与杂质的补偿程度有关.     

p型单晶硅涂源掺锰新方法

研究了扩散源的浓度与掺杂后硅材料补偿度之间的关系。以MnCl2·4H2O乙醇溶液为扩散源,涂在初始电阻率为3.8?·cm的p型单晶硅片表面,在高温(1200℃)下掺杂锰后,在室温避光条件下,用SDY—5型双电测四探针仪测样品电阻率ρ。改变扩散源的浓度重复实验,用XRD对扩散后的样品进行分析,结果表明:当硅片表面浓度为23.4×10–8mol/cm2时,扩散后样品体电阻率的径向不均匀度在5%以内,扩散后硅片的补偿度最大。