补偿硅的温度敏感特性

采用低电阻车的p型单晶硅,在高温条件下扩散金属锰的方法,可以得到高补偿和过补偿硅。在常温下,测试扩散后电阻率分别为3.2×10~3、4.8×10~4、1.3×10~5、3.2×10~5Ω·cm的几种样品的温度敏感特性,其相应的B值分别为5103,5600,6103,6502 K。这种扩锰硅是一种温度敏感材料,笔者将报道这些实验结果并讨论其热敏特性。     

深能级杂质Zn对n型硅半导体的补偿特性

为得到高B值（材料常数）的单晶热敏材料,采用高温气相扩散的方法在n型硅中掺杂深能级杂质Zn,得到高补偿的硅材料,并对该材料特性进行了测试和分析．结果表明：这种补偿硅具有热敏特性,该材料的B值为6300K左右,其阻值对温度的依赖关系与杂质的补偿程度有关．     

CaS:Ce，Sm材料光致荧光辐射剂量相关性能测量

本工作对光致荧光材料CaS:Ce,Sm的辐射剂量特性进行研究。利用⁶⁰Coγ源对CaS:Ce,Sm/PMMA剂量片进行辐照，应用自行搭建的测试系统对剂量片发出的荧光信号进行测试。测试结果表明，CaS:Ce,Sm材料是短余辉材料，环境温度对材料性能影响显著，在0.1~100Gy内，荧光信号峰值强度与辐照剂量线性关系良好。     

La掺杂对LiCrTiO4陶瓷湿敏材料特性的影响

稀土La适量掺杂能显著影响多孔质LiCrTiO_4湿敏陶瓷的敏感特性,降低材料的本征电阻率,有助于提高阻-湿特性的线性关系。结果表明,微量La~+离子参与电子交换是导致材料体电导变化的主要因素。     

小规格钼管的研制小结

本小结简述了用粉浆挤压坯料采用旋压法制取小规格钼管的工艺。在一台长行程冲床改成的旋压机上,采用短芯头工艺,旋压出外径3～3.3毫米,壁厚0.15～0.3毫米,长度大于100毫米的小规格钼管。并初步确定了有利于钼管旋压的各种因素。小规格钼管用作钨酸盐阴极固定套筒。要求成品钼管壁厚均匀,无毛刺、管材使用时在1400℃不变形。     

高补偿单晶硅NTCR镀Ni电极欧姆接触的研究

采用4.5Ω.cm的p型单晶硅,通过高温气相扩散法将锰掺入硅中,得到高补偿单晶硅。用化学沉积法,在高补偿单晶硅材料的表面镀金属镍膜,经500℃退火15 min,制成Ni电极。用SEM和XPS对电极进行分析,并测试材料的I-V特性曲线。结果表明:经退火后镍与硅形成硅镍化合物(Ni2Si),电极正反向电阻一致,性能稳定,形成欧姆接触。     

CaS：Eu，Sm的制备及发光特性

采用碳还原法制备了电子俘获材料CaS：Eu，Sm，研究了灼烧温度及灼烧时间对样品发光性能的影响,XRD测试表明，样品具有CaS的面心立方结构，晶格常数为0．58nm．样品的激发谱峰值在279、466、497nm处，荧光光谱的峰值在649nm处，光激励发光峰为650nm，光激励发光的光谱响应范围为900-1400nm。     

微波加热法合成CaS∶Ce,Sm及其发光特性

用微波加热法合成CaS∶Ce,Sm材料,由光谱可知,其光激励光谱和发射光谱分别位于红外和可见光区域,因而只要选择适当的光探测方法即可记录发射光。与高温固相法比较,微波加热法合成能够减少S的升华,提高反应速率,同时能够有效回避保护气氛并最大限度地去除对环境的污染;在生成CaS的同时完成稀土金属的掺杂,从而比较容易的得到了纯度较高的CaS∶Ce,Sm。     

Zn掺杂n型硅材料的补偿研究

为了获得不同补偿度的硅材料,采用高温气相扩散的方法,在n型硅中掺杂深能级杂质Zn,得到各种电阻率(在25℃下)的补偿硅。实验表明,对具有不同初始电阻率的硅材料,扩散后电阻率随扩散温度和杂质投入量的不同都有较大变化,而且随杂质投入量的增加,电阻率都有一个急剧变化的转折点。     

钼合金的制造方法

此文叙述了有关钼钛或钼锆烧结合金的制造方法,例如添加百分之几以下的钛或锆元素的钼合金主要作为铁模铸用耐热材料使用。其合金的制造方法有如下二种,一是将钼与钛或锆各金属粉末混合后压成棒状,作