NexGen的Nx586－Pentium的又一个挑战者

本文简单介绍ＮｅｘＧｅｎ公司最新设计出的Ｎｘ５８６ＣＰＵ。它是一种８０×８６兼容的处理器，文中介绍了它的微体系结构，ＲＩＳＣ８６指令等。     

水电机组自动化元件（装置）配套根目研讨

本文以现行国家标准（GB／T11805－1999）的有关技术规范为依据，并运用根目展开的方式，剖析了水电机组自动化元件（装置）的配置中所涉及的各监控参量，监控内涵以及监控手段等要素关系，图表简明切实，可供同业人员实作中参考。     

凿岩爆破工作对工艺过程参数的影响

地下采矿生产包括一系列相互关联的工艺过程。在研究地下矿山生产效率管理方法时,主要任务是确定与各个工艺过程密切相关的判据参数。根据作者的研究,即把合格块度看作是这样的一个参数。一般都根据矿石和围岩的物理技术特性、矿石储量、矿石品位、矿区地表状况和生态环境等地质和矿山技术资料进行矿山设计。根据这些资料选择采矿方法(空场法、支     

N,N‘,N“—三（对甲苯磺酰基）二亚乙基三胺的合成

二亚乙基三胺与对甲苯磺氯在碳酸钾存在下，进行磺酰化反应，得Ｎ，Ｎ＇，Ｎ＂－三（对甲苯磺酰基）二亚乙基三胺。产率９６％。考察了影响反应的几个因素。     

炸药的微波起爆法

试验用炸药本研究所用的炸药为硝化甘油炸药,乳化油炸药,泰安,黑索金,特屈儿和奥克托金。采用介质损耗(dielectric loss)大的碳化硅和活性炭作添加剂。取炸药0.2～0.45克置于硬氧化铝管中     

地下开采中相邻巷道掘进工作面的合理通风方案

金属矿床采用高效率采矿方法有助于推广自行式设备和提高技术经济指标,但自行式设备作业时会往矿井大气中排出大量有毒气体和粉尘。为了改善劳动条件,必须采取一系列技术措施,以便将有害物质含量降到极限容许浓度。巷道通风是主要的措施之     

可实现大容量化的三维SOI MOS器件

业已明了,SOI器件用绝缘物进行元件隔离,可减小电容和布线电容值。所以,人们深信集成电路可达到更加高密度,高速化。大家早就知道,SOI器件有采用在蓝宝石单晶衬底上外延生长单晶硅薄膜的“蓝宝石上硅”(SOS)器件及采用在SiO_2上沉积多晶硅薄膜制作的“绝缘体上硅”(SOI)器件。采用多晶硅薄膜制作的SOI器件与SOS器件相比较,其特点是,由于SOI器件能在非晶形绝缘膜上制作,所以,可采用任意衬底。但存在的问题是,由于其采用的薄膜不是单晶而是多晶,所以晶粒边界会造成载流子紊乱,MOS FET的场效应迁移率与体硅及SOS相比,降低至1％。     

提高地下金属矿山表内储量回收质量和回收率的途径

近年来,全苏冶金工业联合公司各矿,在保证合理利用矿产资源方面作了大量工作。公司所属各企业(塔什塔戈尔、舍利格什等铁矿)开采的铁矿床是厚达200米的急倾斜矿体。矿床用竖井开拓,横巷采准。矿