PECVD法生长氮化硅薄膜及其微结构梁特性的研究

采用化学气相沉积法(PECVD)在石英基片上制备氮化硅薄膜,应用MEMS工艺将氮化硅薄膜制作成双端固定的微结构梁,纳米压痕仪测量氮化硅薄膜的杨氏模量表明其值在136～172 Gpa之间,用曲率半径法测试薄膜的残余应力,并对微结构梁的弹性系数进行计算,结果表明弹性系数值在11.4～57 N/m.之间,根据实验所得弹性系数对微结构梁的驱动电压进行计算,其驱动电压在32.8～73V之间,微结构梁的实际驱动电压测得为34～60V。     

基于PIN管的波束可重构双频反射阵列天线

利用PIN管实现反射阵列天线单元补偿相位的改变,使得反射阵列天线完成快速的双频宽角度电子波束扫描。天线结构为12×12反射天线阵列,通过在天线单元上添加PIN管,并编程控制PIN管的导通截止,可进行反射阵列天线双频宽角度电子波束扫描。仿真和实验表明,反射阵列天线在3.82 GHz和4.52 GHz均可实现±45°波束扫描,实测3.82 GHz增益为10 dB左右,4.52 GHz增益为13 dB左右。     

一种采用双采样技术的高性能采样保持电路

介绍了一种高性能的采样保持电路。他采用双采样结构,使得在同样性能的运算放大器条件下,采样速率成倍提高,降低对运放的要求;使用补偿技术的两级运算放大器有较高增益和输出摆幅;采用栅压自举电路,消除开关导通电阻的非线性,减小电荷注入效应和时钟溃通。在SMIC 0.25μm标准工艺库下仿真,该采样保持电路可试用于高速高精度流水线ADC。     

基于PDMS的柔性可拉伸天线的仿真与测试

本文设计了两款柔性单极子天线,并且它们具有重量轻、体积小、易拉伸等特点。采用ANSYS HFSS对天线的射频性能进行仿真,并使用ANSYS Workbench对天线进行位移形变拉伸,天线最大形变为拉伸方向天线长度的30%。天线用柔性材料聚二甲基硅氧烷(PDMS)为质基底,天线由液态金属(镓铟合金8：2,EGaIn)为导电材料并涂附在PDMS上,最后由PDMS将液态金属导电材料进行封装避免泄露,天线采用共面波导(CPW)的馈电方式。对制作后的天线进行拉伸测试,测试结果表明,在10%-30%的拉伸条件下,该天线都能保持原来稳定的工作特性。     

曲面保护高量程加速度传感器阻尼特性研究

利用有限元模拟方法,对一种高量程MEMS加速度计进行10万g正弦加速度脉冲下的动态冲击响应分析。首先,建立适用于该器件曲面阻尼的分段近似叠加理论模型;随后,采用ANSYS有限元模拟技术分别研究器件阻尼带隙宽度及其阻尼介质特性对器件动态冲击响应特性的影响。器件动态冲击响应实际上是受迫振动与传感器悬臂梁固有频率振动的叠加。当阻尼带隙较小时,输出结果表现为冲击载荷下的受迫振动响应;随着阻尼带隙变宽,悬臂梁固有频率振动渐突显,响应峰值电压也近线性增加,而峰值电压所对应时间则非线性减小。在其它条件相同情况下,阻尼介质粘滞系数越大,响应输出曲线越光滑,但其峰值电压也相应越低。在空气阻尼介质中,过载保护曲面的平移距离控制在0.5～0.65μm范围内,以获取较好的动态响应效果。     

小功率LED光源封装光学结构的Monte Carlo模拟及实验分析

采用MonteCarlo方法对不同光学封装结构的LED进行模拟,建立了小功率LED的仿真模型,应用空间二次曲面方程描述LED的封装结构,对其光强分布进行模拟和统计.通过测量实际样品,并与模拟结果进行比较和分析,表明计算机模拟值与实验测量值比较吻合.     

MIM结构薄膜应变栅的工艺研究

阐述了采用直接沉积法制作MIM结构薄膜应变栅的工艺方法 ,对制备过程中所遇到的难点进行了分析并提出相应的解决方法 ,对所制作的薄膜应变栅式称重传感器进行了性能测试。     

K波段高增益宽带的异极化透/反射阵列天线

提出了一种具有新型多功能空间馈电平面的阵列天线,可以同时实现透/反射两个波束。该阵列通过快速响应编码对圆环反射单元和透射单元进行合理分布,以实现不同极化方向的透/反射波束。基于所提出的透射和反射单元,设计并制造了具有25×25个单元的透射-反射阵列天线,分别产生θ=0°向后的x极化方向的反射波束和θ=180°向前的y极化方向的透射波束。该天线的中心频率为22 GHz,测试结果表明,反射波束最大增益为22 dB,3 dB增益带宽达到28%;透射波束的最大增益为19.2 dB,3 dB增益带宽达到27%。     

H.264/AVC中Exp-Golomb编码器的实现

设计了一种适用于H.264/AVC标准的Exp_Golomb硬件编码器,在电路中提出了首1过滤器、首1检测器复用的电路结构,并采用了改进型并串转换器等关键单元,实现了码长及码字后缀信患值的快速生成,同时该编码器可以以串行方式连续输出二进制码流.仿真结果表明,平均编码一个句法元素需要13个时钟周期,在SMIC 0.18 μm工艺下综合结果显示,最大频率为238 MHz时,电路规模为1858门.本设计可满足实时编码H.264高清视频的要求.     

真空分层蒸镀InSb薄膜的研究

采用双源分层蒸镀的方法制作ＩｎＳｂ薄膜，将区域熔融技术用于ＩｎＳｂ薄膜的热处理，提高了薄膜的纯度和择优定向程度，室温下电子迁移率达到３００００ｃｍ２／（Ｖ·ｓ）。在此基础上，分析了影响ＩｎＳｂ薄膜性能的几个主要因素。