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面对世界半导体工业的现状及其迅猛发展的趋势,我国从事半导体研究和生产的科学家和工程技术人员,应当总结过去的经验,吸取教训,仔细研究本领域的最新形势,制定出适合中国的发展战略。 为了赶上世界VLSI领域的最新发展,本文建议:我国的VLSI工业在强调技术引进的同时,应当坚持自力更生的道路;体制管理方面,应当把VLSI设计与制造分离开,使得VLSI的设计与制造分别独立地发展。一方面,VLSI的设计应当尽可能地利用国际上先进的CAD工具;另一方面,器件制造厂家应当将其注意力放在工艺技术上,使其尽快达到当前的世界水平。这种分离模式可使得设计与制造业相互激励,相互促进。 本文还试图确定在分离模式下的设计与制造厂家各自的责任,以及他们之间技术上和法律上的相互关系。 希望本文提出的设想能够抛砖引玉,引起进一步的深入讨论。 相似文献
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(Ba,Sr)TiO3(简称BST)铁电薄膜较传统的铁电材料有高介电常数、高击穿场强、快响应速度、居里温度可调等优点,在DRAM、微波调节器等领域具有广阔的发展前景,是目前国际上新型功能材料研究的热点之一.通过对铁电薄膜及其制备技术研究新进展的综合评述,就BST的微观结构、性能及应用,深入分析BST铁电薄膜主要制备技术的优缺点,指出了目前铁电薄膜及其制备技术研究中应注意的问题. 相似文献
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研究了微量元素铋对Sr0.5Ba0.5-xBixTiO3薄膜介电性能的影响.当X分别为0~0.030 mol时,相对介电常数εr、介质损耗tanδ逐渐降低,最大介电常数温度点Tm(居里温度点)逐渐移向低温;在所测试频率范围内,εr、tanδ均能表现出较好的频散特性;当铋掺量为0.015mol时,薄膜的Pr为0.22μC/cm2、Ps为0.32μC/cm2、Ec为60kV/cm.采用XRD、FTIR、TEM等测试方法分析了薄膜的结构特征.薄膜的矿物组成为四方钙钛矿结构,但[TiO6]八面体特征吸收峰(471.65cm-1)移向低波数,晶粒粒径减小. 相似文献