基于时间同步和高频载波信号衰减的拓扑自动识别技术

拓扑自动识别是配电领域开展线损精益化管理、故障精确定位以及促进低压台区智能运维水平提升的关键因素。为了提高低压拓扑结构识别准确性,结合配电物联网体系架构提出一种基于时间同步和高频载波信号衰减的拓扑自动识别技术。以台区智能融合终端为核心,首先分析了为实现低压台区拓扑识别所需满足的技术基础;然后从理论角度推导了台区拓扑自动识别技术原理,并以典型台区拓扑结构为例明确了拓扑识别具体步骤;最后通过在试点台区开展实际应用,实现了从台区低压进线侧到线路侧分支箱,再到用户表箱的物理拓扑结构识别,并进行低压台区拓扑校核,保证了拓扑识别的准确性。     

汽车产品开发体系研究

汽车已经成为现代物质文明的一种象征和人类生活中不可缺少的部分，而汽车在一个国家的普及程度，也成为衡量其工业化的重要标志．本文论述了国内外汽车产品发展状况和汽车产品的开发体系．     

面向电力5G网络的边缘计算安全防护体系分析

近年来,电力5G网络规模建设逐步展开,5G通信网络由于其超高带宽、超低时延及大规模连接的特性,能够为电网发展提供一种更优的无线通信解决方案,电力业务终端互联互通需要一种手段为边缘计算提供可靠的安全技术.文章通过分析电力5G边缘计算软件架构,边缘计算设施本体安全,以及安全加固关键技术,最后给出适合电力5G网络的边缘计算安...     

河北乐亭县产业发展教学案例

<地理课程标准>明确提出了学习对生活有用的地理、学习对终身发展有用的地理等基本理念.课堂上教师从分析身边地理事例入手,层层深入,给学生提供思考的机会,让学生理解分析的地理事例与教材知识间的相通性,从而达到利用学生已有的知识经验和学生能够感受到的地理事物,更好地学习和理解教材知识.当学生明白了教材知识和现实生活事例的联系后,就能够把教材中学到的知识运用到生活中去,解决生活中的实际问题.     

基于比尔朗伯定律的变分水平集模型

图像成像过程中,由于空气消光性的影响,获取的数字图像质量会退化,包括灰度不均,对比度下降等,给图像分割或者目标的识别带来困难.为解决此问题,本文提出了一个基于比尔朗伯光吸收定律的变分水平集模型以实现此类退化图像的分割和修正.首先基于比尔朗伯定律,将观测图像建模为一个退化场和真实图像的乘积.然后对退化场进行Markov随机场正则化,对真实图像实施分片Gaussian分布拟合建模,结合水平集函数正则项,建立变分水平集模型.最后采用结合梯度下降的交替迭代算法对模型进行数值求解.实验结果表明,本文模型可以很好地排除退化场的影响,得到满意的图像分割和修正效果.和几个经典的变分图像分割模型相比,本文模型展示出较好的实验效果,具有最优的JSI,DSI和VOE指标值.     

5G基站电磁辐射评估

随着5G基站密度不断增加,5G基站电磁辐射水平的影响已成为限制5G通信技术发展的重要因素。为解决5G基站周围电磁辐射限值问题,提出评估方法对5G基站电磁辐射水平进行预测。假设基站覆盖小区用户容量已知,利用统计模型对基站周围功率密度的最大值进行计算。在ANSYS Savant上,通过对5G基站周围最大功率密度进行仿真,验证了预测方法的准确性和可行性,对今后基站选址具有一定的指导意义。     

钽掺杂对二氧化钒多晶薄膜相变特性的影响

将Ta_2O_5与V_2O_5均匀混合,压制成溅射靶,用离子束增强沉积方法在二氧化硅衬底上沉积掺Ta氧化钒薄膜.在氮气中适当退火,形成掺杂二氧化钒多晶薄膜.X射线衍射结果显示,薄膜具有单一的(002)取向.XPS测试表明,膜中V为+4价,Ta以替位方式存在.温度-电阻率测试表明,薄膜具有明显的相变行为,原子比为3%的Ta掺杂后,二氧化钒多晶薄膜相变温度降低到约48℃.Ta原子的半径大于V原子的半径,Ta的掺入在薄膜中引入了张应力;5价Ta 替代4价V,在d轨道中引入多余电子,产生施主能级,这些是掺钽二氧化钒多晶薄膜相变温度降低的原因.     

卫星地面站接收与处理系统关键流程分析

以广东海洋大学建设海洋遥感与信息技术实验室为背景,详细介绍了卫星海洋遥感数据接收与处理系统的组成,分析了卫星数据处理流程,并探讨与分析了安装、调试和运行中的常见问题,以期为建站同行提供帮助。     

电子设备中嵌入式单片机系统抗干扰技术分析

单片机使用过程的优点是能够将系统运行效率有效提升,特别是抗干扰技术的运用,能够将电子设备软件和硬件功能逐渐提升。在技术发展过程中,设计者通过技术革新,分别在软件和硬件层面应用单片机嵌入系统内应用抗干扰技术,进而提高系统的抗干扰性能。下文对于单片机的嵌入式系统抗干扰技术内容进行简要介绍,分析技术应用优势,并对技术运用进行探讨以供参考。     

超宽带SiC MESFET器件的研制

采用中国电子科技集团公司第十三研究所自主外延材料及标准工艺平台制作了SiC MESFET芯片,采用管壳内匹配及外电路匹配相结合的方法,制作了超宽带SiC MESFET器件。优化了管壳内匹配形式,采用内匹配技术提高了器件输入阻抗及输出阻抗,采用外电路匹配的方法对器件阻抗进行了进一步提升。通过对输出匹配电路的优化实现了超宽带功率输出。优化了外电路偏置电路,消除了栅压调制效应,提高了电路稳定性。栅宽5 mm器件,脉宽为100μs、占空比为10%脉冲工作,工作电压VDS为48 V,在0.8～2.0 GHz频带内脉冲输出功率为15.2 W(41.83 dBm),功率密度达到3.04 W/mm,功率增益为8.8 dB,效率为35.8%,最终实现了超宽带大功率器件的制作。