全文获取类型
收费全文 | 735篇 |
免费 | 34篇 |
国内免费 | 18篇 |
专业分类
电工技术 | 76篇 |
综合类 | 63篇 |
化学工业 | 52篇 |
金属工艺 | 39篇 |
机械仪表 | 64篇 |
建筑科学 | 66篇 |
矿业工程 | 61篇 |
能源动力 | 13篇 |
轻工业 | 48篇 |
水利工程 | 26篇 |
石油天然气 | 18篇 |
武器工业 | 11篇 |
无线电 | 49篇 |
一般工业技术 | 45篇 |
冶金工业 | 46篇 |
原子能技术 | 5篇 |
自动化技术 | 105篇 |
出版年
2024年 | 7篇 |
2023年 | 32篇 |
2022年 | 19篇 |
2021年 | 23篇 |
2020年 | 24篇 |
2019年 | 45篇 |
2018年 | 24篇 |
2017年 | 6篇 |
2016年 | 13篇 |
2015年 | 31篇 |
2014年 | 57篇 |
2013年 | 44篇 |
2012年 | 55篇 |
2011年 | 42篇 |
2010年 | 42篇 |
2009年 | 56篇 |
2008年 | 49篇 |
2007年 | 40篇 |
2006年 | 32篇 |
2005年 | 25篇 |
2004年 | 27篇 |
2003年 | 14篇 |
2002年 | 17篇 |
2001年 | 5篇 |
2000年 | 10篇 |
1999年 | 4篇 |
1998年 | 5篇 |
1997年 | 4篇 |
1996年 | 4篇 |
1995年 | 5篇 |
1993年 | 2篇 |
1992年 | 6篇 |
1991年 | 3篇 |
1990年 | 4篇 |
1989年 | 2篇 |
1988年 | 1篇 |
1986年 | 3篇 |
1985年 | 5篇 |
排序方式: 共有787条查询结果,搜索用时 15 毫秒
31.
为了提高综采工作面端头超前应力区顶板稳定性,降低顶板支护费用,对8309工作面端头应力区提出了耦合让均压支护技术,控制了端头应力区顶板下沉、破碎现象,可降低支护成本费用320元/m。 相似文献
32.
为了解大面积流气式多丝正比计数管工作空间的电场分布,本文提出了近似计算的物理模型,并在设定的条件下进行了数值计算,得到了电场分布的近似结果及其某些参数,诸如丝距和电极间距等的关系,以便于多丝正比计数管的正确设计和使用。 相似文献
33.
首先用Novozyme 435作为催化剂合成了聚己内酯-聚乙二醇-聚己内酯三嵌段聚合物,然后通过端基官能化法合成了大分子引发剂。通过核磁表征了三嵌段聚合物和大分子引发剂的结构,从而制备含氟功能五嵌段共聚物,该聚合物在很多领域具有潜在的应用价值。 相似文献
34.
利用高真空非自耗电弧熔炼炉制备了V85Ti10Y5和V85Ti10Cu5氢分离合金。通过SEM、TEM、XRD、氢渗透实验、PCT吸氢实验、恒压缓冷实验,研究了Y、Cu元素的加入对合金氢渗透性能、氢溶解性能及抗氢脆性能的影响。结果表明:铸态V85Ti10Y5和V85Ti10Cu5合金组织均由V-基体和第二相组成,但前者第二相是弥散分布的富Y颗粒,而后者为既在晶内析出又沿晶界连续分布的铜钛金属间化合物。V85Ti10Y5合金中Y2O3的生成及V85Ti10Cu5合金中部分固溶Cu的斥氢作用和Cu2Ti形成使V中Ti的固溶量减少,进而降低合金中的氢浓度,减小氢固溶产生的内应力,提高抗氢脆性能。V85Ti10Y5和V85Ti10Cu5合金在缓冷过程中均未发生氢脆现象,表现出优异的抗氢脆性能,而且在673 K时的氢渗透率分别为0.139×10-6 mol H2 m-1 s-1 Pa0.5和0.174×10-6 mol H2 m-1 s-1 Pa0.5,是Pd77Ag23氢渗透率的5.5和6.9倍,与商用钯合金相比均展现出较高的渗透率。 相似文献
36.
近年来,预制薄壁箱体现浇混凝土空心楼盖在建筑施工中应用越来越广泛,但在工程施工过程中容易出现箱体的上浮以及箱体底部漏振、蜂窝麻面等质量通病却较难解决。本文主要介绍了其施工难点和要点,以及质量检测措施。 相似文献
37.
38.
为了研究电选机高压静电分选腔的电场强度与相对湿度之间的关系,设计了能产生高达100%相对湿度的高湿度发生器,并进行了不同相对湿度下粉煤灰电选效果的实验研究。结果表明,随着相对湿度的增加,电选机的分选效果变差,直至电场被击穿而使电选机无法正常工作。根据实验结果,引入相对湿度系数五,对电选机高压静电分选腔电场强度的设计公式进行了修正,以求电选机高压静电分选腔的设计更为科学。 相似文献
39.
40.
在SiO2/Si(P++)衬底上制备了多层MoS2背栅器件并进行了测试.通过合理优化和采用10 nm SiO2 栅氧, 得到了良好的亚阈值摆幅86 mV/dec和约107倍的电流开关比.该器件具有较小的亚阈值摆幅和较小的回滞幅度, 表明该器件具有较少的界面态/氧化物基团吸附物.由栅极漏电造成的漏极电流噪声淹没了该器件在小电流(~10-13 A)处的信号, 限制了其开关比测量范围.基于本文以及前人工作中MoS2器件的表现, 基于薄层SiO2栅氧的MoS2器件表现出了良好的性能和潜力, 显示出丰富的应用前景. 相似文献