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41.
从理论上阐述了统计图形识别的风险最佳检验就是在一定的风险度下对一组统计量的有关特征做出诊断或决策,给出了统计图形识别的诊断和决策流程,以及最小风险诊断决策的规则和具体方法的实现.并以人体器官的医学诊断统计图形为例,给出了该理论在实际中的应用,指出运用该方法可以有效的提高诊断、控制和决策的质量,并可广泛的运用于具有一定风险度的许多诊断、控制和决策领域. 相似文献
42.
气体绝缘金属封闭开关(GIS)在电力系统中应用广泛,其中盆式绝缘子长期在电热应力作用下不断发生老化降解,严重情况下可能会引发重大事故。盆式绝缘子的老化降解实际上是化学反应过程,因此研究盆式绝缘子的热分解过程具有重要意义。文中基于热分析动力学原理,采用热失重法分析了盆式绝缘子在5种不同升温速率下的热分解过程,采用Flynn-Wall-Ozawa法和Kissinger法计算了盆式绝缘子的活化能。研究结果表明,采用Flynn-Wall-Ozawa第1种方法和Kissinger方法计算结果基本一致,由Flynn-Wall-Ozawa第2种方法计算得到的活化能起初随着转化率的增加而增大,在转化率0.12处达到峰值,然后随着转化率的增大略有下降,并给出了这一现象的微观解释。上述研究对于准确计算盆式绝缘子的活化能,进而为揭示老化机理和评估老化程度具有一定的指导意义。 相似文献
43.
环保建材以其环保耐用、消耗废物资源正成为一种新型建筑材料。虽然市场前景广阔,但在黏土砖生产的冲击和众多不规范小企业的影响下,济南市环保建材市场经过几年发展却仍然难以形成规模化——新型环保建材的市场推广难言乐观。近几年来,济南市不少煤矿、煤矸石生产大企业周边因 相似文献
44.
高强度水下爆炸等效冲击波加载特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
为了实现实验室范围内的高强度水下爆炸冲击波加载,在现有非药式水下冲击波加载装置的基础上,对加载水舱的结构进行了改进,并利用实验和仿真相结合的方法对非药式高强度水下爆炸冲击波等效加载特性进行了研究,分析了飞片及活塞的质量对加载冲击波强度和衰减时间常数的影响规律,确定了该方法所产生的高强度水下冲击波加载特性。进而利用该装置对0.5 mm厚铝合金靶板进行了水下冲击波加载实验。实验结果表明,改进后的非药式水下爆炸冲击波等效加载装置能够对目标结构进行有效的高强度水下冲击波加载。 相似文献
45.
通过对露天铁矿独生北帮边坡稳定性的初步分析,对边坡监测的内容和方法进行了总结,提出了建立精密测量观测网的监测系统,以期起到指导矿山的安全生产,防止或减少灾害损失,提高矿山的经济效益的作用。 相似文献
46.
47.
48.
目的 建立集成学习Stacking模型,对重大活动举办过程中的肉及肉制品进行合格安全分析与风险预测预警。方法 通过收集2015—2020年间国家市场监督管理总局食品日常监督管理抽检数据,筛选出所有肉及肉制品相关数据,选择“食品亚类”、“规格”、“生产时间”、“生产企业类型”、“生产省份”、“是否异地运输”等字段信息作为肉及肉制品合格风险因子,选取所有不合格数据5866条,从所有合格数据中随机抽取10000条数据共15866条构成数据集,按照3:1划分训练集和测试集,搭建基学习器为KNN(K- Nearest Neighbor,K最近邻)、BP(Back Propagation,反向传播)神经网络、SVM(Support Vector Machines,支持向量机),元学习器为LR(Logistics Regression,逻辑回归)的Stacking预测模型,进行训练预测与模型评估。结果 经过5次训练后,模型的准确度为94.20%,精确度为93.78%,召回率为97.57%, F1参数为95.63%,模型鲁棒性强,可靠性高。结论 基于集成学习Stacking的肉及肉制品安全风险分析与预测预警模型整体性能良好,可应用于重大活动举办过程中的食品安全风险分析预测,并精确指导监督抽检与辅助决策情报研判。 相似文献
49.
校外教育是我国教育系统中的一个重要组成部分,我国已形成一套不同于学校教育系统的活动机构、活动方式、活动内容和活动结果,校外教育在人才培养和促进社会主义现代化建设中发挥了重要作用。对于体育教师来说,校外教育能够促进体育教师综合实践活动能力的提高,使之更有计划有步骤地完成体育工作。 相似文献
50.
利用固源分子束外延(SSMBE)生长技术, 在不同的硅碳蒸发速率比(Si/C)条件下, 在Si(111)衬底上生长SiC单晶薄膜. 利用反射式高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)等实验技术, 对生长的样品形貌和结构进行了研究. 结果表明, 在Si/C比(1.1:1.0)下生长的薄膜样品, XRDω扫描得到半高宽为2.1°; RHEED结果表明薄膜具有微弱的衍射环, 有孪晶斑点. 在Si/C比(2.3:1.0)下生长的薄膜, XRDω扫描得到的半高宽为1.5°, RHEED显示具有Si的斑点和SiC的孪晶斑点. AFM显示在这两个Si/C比下生长的样品表面都有孔洞或者凹坑, 表面比较粗糙. 从红外光谱得出 薄膜存在着比较大的应力. 但在Si/C比(1.5:1.0)下生长的薄膜样品, XRDω 扫描得到的半高宽仅为1.1°; RHEED显示出清晰的SiC的衍射条纹, 并可看到SiC的3×3表面重构, 无孪晶斑点; AFM图像表明, 没有明显的空洞, 表面比较平整. FTIR谱的位置显示, 在此Si/C比下生长的薄膜内应力比较小. 因此可以认为, 存在着一个优化的Si/C比(1.5:1.0), 在这个Si/C比下, 生长的薄膜质量较好. 相似文献