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AlN/TiSiN纳米多层膜的微观组织和力学性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用TiSi复合靶和Al靶,用射频磁控溅射工艺沉积不同TiSiN层厚度的AlN/TiSiN纳米多层膜。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和纳米压痕仪研究了不同TiSiN层厚度对AlN/TiSiN纳米多层膜的微观组织和力学性能的影响。结果表明,随着TiSiN层厚度的增加,AlN相的结晶程度先增加后降低,涂层的硬度先提高后降低,当TiSiN层厚度为0.5nm时具有最高的硬度和弹性模量。HRTEM观测可知,在TiSiN层厚度为0.5nm时,TiSiN层在AlN层的模板作用下呈密排六方结构,并与AlN层呈共格外延生长,薄膜的强化主要与共格外延生长结构有关。 相似文献
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采用磁控溅射工艺在Si底片依次沉积NbN、CrSiN纳米层,通过改变靶材的Si含量,制备出一系列NbN/CrSiN纳米多层膜。分别采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高透射电子显微镜(HRTEM)和纳米压痕仪研究Si含量对NbN/CrSiN纳米多层膜显微结构和力学性能的影响。实验结果表明,随着Si含量的增加,NbN相的结晶程度先增加后降低,薄膜的硬度和弹性模量也是先增高后降低,在n(Si)∶n(Nb)=3∶22时获得最高硬度和弹性模量,分别为31.92和359.3GPa。显微结构表征表明,当n(Si)∶n(Nb)=3∶22时,NbN/CrSiN纳米多层膜柱状晶生长状况最好,CrSiN层在NbN层的模板作用下转变为面心立方结构,并与NbN层呈共格外延生长。薄膜力学性能的提高主要与CrSiN与NbN形成的共格外延生长结构有关。 相似文献
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为了提高Ti-6Al-4V钛合金表面的生物活性,在乙酸钙和磷酸二氢钠溶液中对Ti-6Al-4V钛合金进行微弧氧化,研究氧化时间,电压,占空比等对氧化膜厚度及其表面形态的影响。结果表明,在一定条件下,随氧化时间的增加,氧化膜厚度以指数关系增加,而膜层表面孔洞逐渐变小,最终封闭;随着电压的提高,膜层厚度增加平缓,但电压过大时,膜层反而变薄,氧化膜表面微孔的数量减少,但微孔的孔径逐渐增大;占空比的提高使得膜层厚度增加,同时伴随有膜层孔洞分布的均匀性变差,表面粗糙度增加。 相似文献
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以氨基磺酸盐镀镍液在黄铜基体上进行镍-金刚石复合电镀,采用正交试验考察了金刚石添加量以及FC-001全氟环氧烷基类非离子表面活性剂、双十二烷基二甲基氯化铵(D1221)和乙二胺四乙酸(EDTA)这三种添加剂的配比对镀层结合强度与孔隙率的影响,确定了最优镀液配方为:Ni(NH_2SO_3)_2·7H_2O 500~550 g/L,NiCl_2·6H_2O 10~12g/L,H_3BO_3 35~40g/L,金刚石80 g/L,FC-001 0.15 g/L,D1221 0.2 g/L, EDTA 1.5 g/L。所得镀层结合强度为17.305 MPa,孔隙率0.062。偏光显微镜和扫描电镜观察显示,金刚石在镀层中分布较均匀,其复合量为47_(-7)~(+20)个/cm~2。该工艺适用于制备金刚石线锯。 相似文献
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随着对氮化硅陶瓷研究的不断深入,其热学性能、介电性能有了极大的改善,使之可应用在电子器件等领域.总结了制备氮化硅陶瓷材料所使用的烧结助剂,包括氧化物烧结助剂、非氧化物烧结助剂和其他烧结助剂;比较了氮化硅陶瓷材料的烧结方式,包括热压烧结、气压烧结、放电等离子烧结、无压烧结和反应烧结;论述了与氮化硅相关的复合材料的研究进展... 相似文献
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Cu-15Fe-0.1Zr原位复合材料组织和性能的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用大气熔铸法结合冷拔、冷轧两种变形方式,制备了丝状和带状形变Cu-15Fe-0.1Zr原位复合材料.用扫描电子显微镜、精密万能试验机和电阻测量仪对其微观组织、抗拉强度和导电性能进行了研究.微观组织观察表明:经拉拔和轧制所制备的线材和带材的横截面组织形貌有明显差异,带材的横截面形貌为铜基体上均匀分布着蠕虫状第二相Fe;而带材的横截面组织形貌为铜基体上定向分布着与轧制方向平行的略有弯曲的长条状第二相Fe.抗拉强度和导电率的测试结果表明:相同应变量和相同退火温度下,线材的抗拉强度和导电率均高于带材;当应变量为2.77,退火温度为400℃时,二者的抗拉强度达最大值,分别为751 MPa和694MPa;退火温度为500℃时,二者的导电率达最大值,分别为50.6%IACS和49.8%IACS;退火温度为550℃时,材料开始软化. 相似文献