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微电子器件的抗辐射加固技术 总被引:1,自引:0,他引:1
对各类微电子材料的抗辐射特性进行了分析 ,对 Si双极器件和 Si CMOS器件、 Ga As微波功率器件、新兴光电器件—— VCSEL、 LED以及 MEMS的抗辐射加固技术进行了探讨 ,对几种空间单粒子效应 (SEE)进行了研究 相似文献
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研究308L焊缝经过焊后热处理其蠕变-疲劳的性质。应用扫描和透射电镜研究了焊态和焊后热处理试样的相变和微观结构。运用EDS探测化学成分的分布。结果表明,焊后热处理能够提高焊缝的蠕变-疲劳抗力。δ-铁素体转变成第二项奥氏体和σ-相。经过高温焊后热处理,δ-铁素体的分解率逐渐减小.这主要是由于Si在γ/σ界面的偏析的减少。 相似文献
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采用CPA方程模拟了水、醇、烃多组分体系气液液三相平衡,与实验数据比较后可知,CPA方程能够较好地预测极性组分PVT特性和相平衡。并把CPA方程应用于汽提冷甲醇天然气脱水工艺的模拟计算,为工艺设计提供了必要的参考数据。 相似文献
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对可达到 2 .5~ 40 Gb/s数据速率的 Si Ge与 Ga As和 In P材料进行了比较 ,还对各种材料和工艺的典型特征进行了分析 相似文献