液相烧结制备高密度R5K MnZn铁氧体磁头材料

低熔点氧化物添加剂在烧结时形成液相,可促进MnZn铁氧体磁头材料致密化,提高密度,改善磁性能.采用液相烧结,制备了组成为Mn0.60Zn0.32Fe2.08O4的高密度MnZn铁氧体磁头材料.     

二磨时间对MnZn铁氧体结构和磁性能的影响

采用氧化物陶瓷工艺制备MnZn功率铁氧体,研究二次球磨时间对MnZn功率铁氧体微观结构和磁性能的影响.通过对铁氧体断面微观形貌的表征及密度、电阻率和磁特性的测试,结果表明,随着二次球磨时间的延长,MnZn功率铁氧体的密度、起始磁导率、饱和磁感应强度及电阻率均先增大后减小,损耗则先减小后增大.当二次球磨时间为2 h时,密度、起始磁导率、饱和磁感应强度及电阻率均达到最大值,总损耗最小且在25～120 ℃宽温范围内均低于350 kW/m~3.     

人工挖孔灌注桩施工监理质量控制

从施工准备阶段、施工过程中和施工验收阶段监理质量控制等方面进行了论述,介绍了监理工程师在人工挖孔灌注桩施工监理过程中的质量控制方法和措施。     

外部气体辅助注射成型制品加强筋表面凹痕实验分析

通过外部气体辅助注射成型（EGAIM）工艺对不同加强筋所造成的平板表面凹痕深度进行实验研究。单因素实验揭示了模具温度、熔体温度、注气延迟时间、注气压力及注气保压时间对不同加强筋制品表面凹痕具有不同程度的影响;正交实验发现,注气延迟时间与注气压力是影响制品表面凹痕的主要因素;在工艺参数最佳化的EGAIM中,与制品厚度比高达1.5的加强筋造成的凹痕深度（1.3 μm）小于传统注塑成型中比值为0.6所造成的凹痕深度（2.3 μm）,表明EGAIM优化工艺能有效改善较大厚度加强筋所造成的表面凹痕、提高制品设计自由度。     

烧结温度对Li0.35Zn0.3Fe2.35O4铁氧体微结构和磁性能的影响

用氧化物法制备了Li0.35Zn0.3Fe2.35O4铁氧体材料,研究了烧结温度对材料微结构和磁性能的影响.结果表明,烧结温度越高,晶粒越大,矫顽力Hc越小.适宜的烧结温度可以提高密度db、饱和磁化强度Ms和降低铁磁共振线宽△H.在烧结温度为1160℃时,可以制备出高Ms、高Br/Bs,低Hc及低△H的LiZn铁氧体材料.     

电器零部件保险盒市场及功能分析

通过前面对意大利COBO公司电气产品的介绍,谈到了工程车辆及农业机械所涉及到的多种关键电气零部件,通过技术分析,特点解析,用法点明的综合阐述,相信广大读者已了解其产品特点,涉及到车辆中常用元器件有翘板开关,旋转警示灯、控制手柄、电源开关,油位传感器、前大灯、仪表、转向柱等等,本期将来介绍-下工程车辆的保险盒应用及选型.     

共形于石油管套壁的UHF频段RFID抗金属标签天线设计

设计并制作测试了一款半环形平面倒F(PIFA)结构的抗金属超高频射频识别(UHF RFID)电子标签天线.分析了电感耦合馈电结构中馈电环的大小和馈电环和辐射体之间的距离对标签天线阻抗的影响.研究表明,随着馈电环尺寸增大,阻抗逐渐减小;随着馈电环和辐射体之间的距离增大,阻抗逐渐增大.根据仿真结果确定了标签天线的各个参数值,进而制作标签天线.分析测试了实物的阻抗及最大读取距离.阻抗的测试值在915 MHz下为(17.8+186j)Ω,与仿真值(18.1+182j)Ω吻合较好,标签的最大读取距离为4.2 m,接近于理论数据5.7 m.实测值S11<-3 dB的频带范围约为885～933 MHz,可以同时应用于中国UHF RFID的频段920～925 MHz以及北美UHF RFID的频段902～928 MHz,符合应用要求.     

SnO_2添加对近场通讯用NiCuZn铁氧体材料性能的影响及流延磁片制备

采用固相反应法制备了NiCuZn铁氧体材料,研究了SnO_2添加对NiCuZn铁氧体材料显微结构及磁性能的影响。结果表明,SnO_2添加有利于降低NiCuZn铁氧体的损耗,并改善其高频磁特性;当SnO_2添加量为0.1 wt%时,NiCuZn铁氧体在13.56 MHz下具有最优的综合性能:μ′=172、μ″=4.85、Q=35,其截止频率fr为43.4 MHz。基于优化的添加剂含量,采用流延工艺制备了厚度为200μm的NiCuZn铁氧体磁片,研究了烧结过程中升温速率对磁片显微结构及磁性能的影响。结果表明,升温速率为2.5℃/min时,磁片在13.56 MHz下具有最高的磁导率和品质因数;经裂片后磁片的磁导率和品质因数分别为148和100,可用于近场通讯和无线充电领域。     

SiO_2包覆对FeSiCr磁粉心性能的影响

首先将FeSiCr金属粉末经0.9 wt%磷酸磷化处理,然后对其采用SiO_2进行包覆、成型及退火处理制备了FeSiCr磁粉心,研究了SiO_2包覆量对FeSiCr磁粉心电阻率、功率损耗、直流叠加特性、磁导率及其频率特性的影响。结果表明,采用SiO_2包覆会降低磁粉心的密度、磁导率与饱和磁化强度,但是可以提高电阻率与截止频率,减小功耗,改善直流叠加特性。