金属-空气电池枝晶生长及其抑制方法研究进展

枝晶在金属-空气电池充电过程中因界面的稳定性遭到破坏而形成,枝晶的形成会引起金属-空气电池安全性以及寿命短等问题。通过抑制金属-空气电池的枝晶生长可解决其安全性以延长其使用寿命,并提高电池的性能和使用寿命,这就需要深入研究枝晶的生长机理、并在理解生长机理的基础上对枝晶进行抑制。本文系统的阐述了金属-空气电池电沉积过程中枝晶的生长机理的研究现状以及金属-空气电池充电过程中枝晶抑制方法的研究现状。通过实验研究：发现金属负极改性和结构设计、改良电解液可有效抑制枝晶生长;仿真模拟研究发现：调节阳极界面附近的温度来调节锂的均匀沉积,可以抑制枝晶生长。在今后枝晶生长的研究中,实验与模拟相结合将成为主要手段,可进一步电流特性、电解液性质以及催化剂催化性能对枝晶抑制的协同作用,从而获得更有效的金属-空气电池枝晶抑制方法。     

太阳能级多晶硅生产工艺

阐述了挥发性硅化物还原或分解法和冶金级硅精炼法生产太阳能级多晶硅的生产工艺.目前生产多晶硅的主要方法是改良的西门子法,但该方法在降低生产成本上显得力不从心.冶金级硅精炼法是一种制备低成本太阳能级多晶硅的方法,然而该方法不能有效地去除B和P,只能选择B和P含量很少的冶金级硅为原料制备多晶硅.锌还原法是生产低成本太阳能级多晶硅的优势方法,分析表明锌还原法与西门子法相结合不失为生产多晶硅的好方法.     

改良西门子法制备多晶硅还原过程研究进展

对生产多晶硅的主要生产方法进行了比较,指出改良西门子法、流化床法、冶金法这3种工艺的优点和不足。重点介绍了多晶硅主流生产方法改良西门子法,阐述了改良西门子法生产多晶硅还原过程的反应机理、数值模拟等,并对该工艺目前的研究进展进行了阐述。     

多晶硅还原炉中硅棒的直流电加热模型

考虑西门子还原炉内对流传热、辐射传热以及化学反应热,建立24对棒西门子还原炉内硅棒直流电焦耳加热模型。研究不同分布环上硅棒增长半径、反应器壁辐射率对硅棒内部径向温度分布的影响。结果表明:随着硅棒半径的增大,位于内环和中环的硅棒中心温度先增大又减小,而外环上的硅棒内部温度分布更不均匀;增大反应器壁辐射率,硅棒中心温度逐渐增大;辐射热损失越大,反应器壁的辐射率对硅棒内部温度的影响越强。