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101.
采用纳米硫化铅作为增感剂对边长为0.8μm的溴化银立方体颗粒进行了化学增感.利用微弱信号的微波吸收相敏检测技术,在超短脉冲激光作用下,获得了立方体溴化银乳剂中自由光电子和浅束缚光电子随增感时间变化的衰减曲线。通过测量溴化银光作用过程的时间分辨谱,讨论了卤化银晶体中电子陷阱对光电子运动行为的影响,分析了电子陷阱效应同增感时间之间的关系以及两个一级衰减区间寿命值同增感时间的关系.通过未增感样品与增感样品的衰减曲线对比,得到了在此实验奈件下的最佳增感时间为60min. 相似文献
102.
在2×10-4 Pa真空下,采用XeCl准分子激光器(波长308 nm),调整激光单脉冲能量密度为3 J/cm2,交替烧蚀高纯单晶硅(Si)靶和铒(Er)靶,通过调整辐照两靶的激光脉冲个数比来控制掺Er浓度,分别在Si衬底和石英衬底上制备了掺Er非晶Si薄膜。在N2气保护下经高温热退火实现纳米晶化,退火时间为30 min。采用扫描电子显微镜(SEM)观察所得到的样品的表面形貌显示,铒掺杂影响着薄膜的表面形貌,与不掺Er情况相比,掺入适量的Er可以在较低的退火温度下得到晶粒尺寸分布更均匀的薄膜;拉曼谱的测量结果表明,在相同的退火温度下,Er的掺入有利于晶粒的长大,但同时降低了薄膜的晶化度,掺Er非晶Si薄膜要实现完全晶化需要更高的退火温度。 相似文献
103.
104.
调整靶衬间距实现纳米Si晶粒尺寸的均匀可控 总被引:1,自引:1,他引:1
采用脉冲激光烧蚀装置,在10 Pa的氩气环境下,在1~6 cm范围内调整衬底与靶的距离沉积制备了纳米Si薄膜.X射线衍射(XRD)谱和Raman谱测量均证实,纳米Si晶粒已经形成;利用扫描电子显微镜(SEM)观测了所形成的纳米Si薄膜的表面形貌.结果表明,随着靶衬间距的增加,所形成的纳米Si晶粒的平均尺寸减小(尺寸均匀性变差),在3 cm时达到最小值(尺寸分布最均匀),而后开始增大(尺寸均匀性变差).利用蒙特-卡罗(Monte Carlo)方法,对不同靶衬间距下烧蚀产物的输运动力学过程进行了数值模拟,得到与实验结果相同的结论. 相似文献
105.
106.
107.
采用螺旋波等离子体化学气相沉积技术在Si(100)衬底上制备了具有纳米结构的碳化硅(SiC)薄膜.通过X射线衍射、傅里叶红外吸收和扫描电子显微镜等技术对所制备薄膜的结构、形貌以及键合特性进行了分析,利用光致发光技术研究了样品的发光特性.分析表明,在500℃的衬底温度和高氢气稀释条件下,所制备的纳米SiC薄膜红外吸收谱主要表现为SiC TO声子吸收,X射线衍射显示所制备的纳米SiC薄膜为6H结构.采用氙灯作为激发光源,不同氢气流量下所制备的样品在室温下呈现出峰值波长可变的紫外发光. 相似文献
108.
激光烧蚀制备按尺寸自然分离的纳米Si晶粒 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种将激光烧蚀制备的纳米Si晶粒按尺寸大小进行分离的新方法。在10 Pa高纯环境气体Ar下,采用波长为308 nm的XeCl准分子激光器,固定激光单脉冲能量密度为3 J/cm2,激光烧蚀电阻率为3000Ω.cm的高纯单晶Si靶,在等离子羽轴线正下方2.0 cm处平行放置一系列单晶Si或玻璃衬底来收集纳米Si晶粒。拉曼(Raman)谱测量结果显示,在距靶平行距离为0.5-2.8 cm范围内,所制备的薄膜中均有纳米Si晶粒形成。利用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的表面形貌,对图中的纳米Si晶粒统计分析表明,随着离靶平行距离的增大,所形成的纳米Si晶粒的平均尺寸逐渐减小。从烧蚀动力学角度对实验结果进行了定性解释,因为不同尺寸的纳米Si晶粒获得了不同的水平速度,所以在重力作用下实现了尺寸的自然分离。 相似文献
109.
110.
吉林建筑工程学院非金属建材研究室与长春客车厂冶金科化学组联合进行研究的“人造非金属复合地板块”科研成果,于1987年12月28日通过吉林省教委组织的技术鉴定。鉴定认为“在解决同类产品出现的返霜和翘曲、变形问题上取得了突破性的进展。”人造非金属复合地板块,是以主要原料——菱苦土(由菱镁矿石经750—800℃焙烧而成),配以化工原料MgCl_2、添加有机材料和 相似文献