激光等离子体淀积硅薄膜过程动力学研究

采用强TEA CO_2脉冲激光辐照SiH_4/H_2系统,对SiH_4激光等离子体淀积硅膜进行了研究,测量了膜淀积及膜性能随淀积条件的变化关系.同时采用光学发射光谱、光声激光偏转方法对其基本的微观和宏观动力学过程进行了研究,在此基础上初步建立了膜淀积的物理模型,计算了膜淀积速率、膜面积等,结果与实验符合得较好.     

改性轻烧镁轻质墙体制品

改性轻烧镁轻质墙体制品,1993年7月20日通过了省教委组织的技术鉴定,鉴定委员会一致认为,该制品生产工艺比较简单,无污染,能耗少,可以消化大量工业废料.其主要指标达到了国内同类制品的水平,其成果为省内首创,增加了一种新型内隔墙墙体材料.     

关于矿山技术经济效果的讨论

矿山,通常是指以采矿为主要内容的生产原料的工业企业。矿山技术经济效果,是矿山在工程设计、基建和经营过程中的技术经济活动和决定优劣的一种体现,是消耗的物化和活化劳动与取得效益的比例关系。通过对矿山技术经济效果的分析,发现问题,总结经验,改善矿山经营管理,研究矿山发展方向,以便在安全生产的前提下谋求最佳的技术经济效果。一、分析矿山技术经济效果的原则分析矿山技术经济效果,要善于分析和综合各种矛盾,要使近期与远景的技术经济效果相结合,要使局部与整体的技术经济效果相结合。     

碘分子BⅡ0_u~+态荧光激发谱研究

本文以染料激光器的输出激发碘分子 ,采用荧光激发谱技术对碘分子 BΠ0 + u 态进行了实验研究 ,对所得荧光激发谱进行了标识 ,在此基础上计算了碘分子该态的分子常数 ,与理论值符合较好     

自然掺杂及N-Al共掺杂ZnO薄膜的发光特性

采用螺旋波等离子体辅助溅射技术制备了自然掺杂及N-Al共掺杂ZnO薄膜,对两种不同类型掺杂薄膜的低温光致发光(PL)特性进行了研究。实验结果表明,二者均呈现出了较强的与受主能级相关的发光特征,自然掺杂薄膜的光致发光谱在404.0 nm处出现了由于锌空位产生的近带边发光,N-Al共掺杂薄膜的光致发光谱在383.0 nm处出现了N作为受主的施主-受主对(DAP)跃迁发光。两种薄膜的发光特性比较分析表明,N-Al共掺杂技术能够有效提高N的固溶度,N受主能级密度增加使薄膜表现出较强的施主-受主对跃迁发光,表明该技术为实现p型ZnO薄膜制备的有效方法。     

外延PbZr0.4Ti0.6O3薄膜的电光效应

从Landau-Devonshire唯象理论出发,通过热力学分析得到PbZr0.4Ti0.6O3薄膜的电光效应与厚度和外加电场的关系. 结果表明,生长在SrTiO3衬底上的PbZr0.4Ti0.6O3薄膜,其线性电光系数和二次电光系数都随薄膜厚度的增加而增大,且在临界厚度附近趋于饱和,对50 nm厚的PbZr0.4Ti0.6O3薄膜,线性电光系数和二次电光系数分别为7.2×10-11 m/V和0.31×10-18 m2/V2,双折射变化随外加电场改变,由线性电光效应引起的双折射变化比二次电光效应引起的双折射变化明显.     

纳米非晶硅薄膜的界面发光特性

采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积(HWP-CVD)技术沉积了不同氢稀释比的富硅氢化非晶氮化硅(a-SiNx:H)薄膜,并利用光致发光(PL)和光致发光激发(PLE)谱技术对其发光特性进行了研究.结果显示,所有样品发光均表现为两个带的叠加:一个发光带随氢稀释比增大而发生蓝移,另一个发光带则固定在2.9eV左右.前者关联于镶嵌在a-SiNx:H基质内非晶纳米硅颗粒的界面发光,后者来源于a-SiNx:H基质相关的局域态中电子和空穴对的辐射复合.并结合所沉积薄膜的吸收特性,分析了缺陷态和界面态对薄膜中非晶纳米硅界面发光特性的影响.     

硅基纳米材料制备技术的新进展

近年,硅基低维材料物理与工艺的研究预示,硅基光电子学将是今后半导体光电子学的一个主要发展方向,而对硅基纳米材料的研究一直是本领域的一个研究热点,评述了近年硅基纳米材料在制备技术方面所取得的新进展,并展望了今后的发展方向。