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51.
使用化学浴沉积(CBD)在硫酸镉-硫脲的氨溶液中,成功地制备出了高质量的CdS薄膜.用扫描电境(SEM)、X射线衍射(XRD)及紫外-可见-近红外光谱仪对其进行了测试分析,结果表明,NH3摩尔浓度对生成CdS薄膜的表面致密性影响很大,当NH3摩尔浓度比较大时,无法生成连续致密的胶体颗粒薄膜,反应体系中S2-和Cd2 溶液的摩尔浓度增加,CdS胶体粒度增大.在相同NH3摩尔浓度下,随着S2-和Cd2 摩尔浓度比值([S2-]/[Cd2 ])的增大,CdS胶体粒子粒度减小;透过光谱的峰位随着胶体粒子尺寸的减小向短波方向移动,当NH3摩尔浓度变化时,在一定的范围内改变CdS膜的透过率.将化学浴沉积(CBD)过程的研究从薄膜厚度优化改进为胶体粒子尺寸优化,促进了CBD技术的发展. 相似文献
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本工作研究了溶解在六氟苯(C_6F_6)中的氧对正子素(Ps)寿命的影响。分别得到了在C_6F_6中三重态正电子素(O-Ps)的原始摘除寿命τ_3~0=4.15 ns;氧猝灭O-Ps的速率常数k_(O_2)=1.8×10~(10)(1mol~(-1)s~(-1));三重态激发分子~3(C_6F_6)猝灭O-Ps的速率常数k~3(C_6F_6)=1.7×10~(10)(1mol~(-1)s~(-1)),以及六氟苯体系中三重态激发分子~3(C_6F_6)猝灭O-Ps的贡献。结果表明:~3(C_6F_6)对O-Ps寿命的影响并不很大。 相似文献
56.
采用垂直布里奇曼法生长的CdZnTe(CZT)单晶,制备出单平面探测器。在210~300K温度范围内,测试了不同外加偏压作用下探测器的漏电流,并计算了低压下CZT的体电阻率。同时,在不同电场作用下,测试了CZT探测器对未经准直的241 Am@5.48 MeVα粒子脉冲响应信号的上升时间,计算出电子迁移率为1 360cm2/V-1s-1,并进一步推算出电子寿命随温度的变化规律。在220~300K温度范围内,对比了CZT探测器对241 Am@59.5keVγ射线的能谱响应结果,分析了载流子传输特性及器件性能随温度的变化规律。结果表明,在298~253K温度范围内,降低温度可以提高晶体的体电阻率,减少探测器工作时的漏电流,进而提高探测器的能量分辨率;但当温度低于253K时,电子寿命τe加剧减小,此时由上升时间起伏而引起的全能峰的展宽不能被忽略,导致探测器性能恶化。 相似文献
57.
采用垂直Bridgman法制备出了x=0.1、0.22和0.4的Cd1-xMnxIn2Te4晶体.采用红外透射光谱法研究了晶体的红外光学特性.用超导量子磁强计测量了样品在温度范围5~300K和磁场强度范围0~5T内的磁化强度.在中红外波段透过率曲线变化很小.随着x的增加Cd1-xMnxIn2Te4的光学带隙移向高能端.磁化率倒数χ-1与温度T的关系曲线在高温区服从居里-万斯定律,在低温下x≥0.22时向下偏离该定律.与具有相同Mn2+浓度的Cd1-xMnxTe晶体相比Cd1-xMnxIn2Te4晶体的交换积分常数较小. 相似文献
58.
通过近红外和红外透过谱表征,确定出掺铟后碲锰镉晶体透过率迅速下降,这是晶格吸收和自由载流子吸收共同作用的结果;而光致发光谱的分析结果表明,掺杂后施主-受主对峰增加,受主束缚激子峰减弱,且随着In含量的增加,受主束缚激子峰消失,只剩下施主-受主对峰。这一系列变化是因为替代的In原子作为施主补偿了Cd空位的缘故。拉曼光谱的测量显示,In掺杂导致"类CdTe"的纵向光学声子峰减弱;而磁学的测试结果则说明In的引入几乎不引起碲锰镉晶体磁化强度的变化。 相似文献
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