铕掺杂BaPbO3微粉的研制及X光子吸收性能

通过固相反应合成了稀土掺杂ＢａＰｂＯ３微粉ＢａＰｂ１－２ｘＥｕ２ｘＯ３－ｘδｘ，用ＸＲＤ等方法确定了其结构为畸变钙钛矿物，Ｐｂ，Ｅｕ原子位于八面体中心，该材料具有优秀的Ｘ光子吸收本领，分析了微粉的电子结构与Ｘ光子吸收性能的关系。     

硼掺杂金刚石薄膜电极降解青霉素G钠废水机制

针对抗生素废水中青霉素类物质难于生化降解的问题,采用直流等离子体化学气相沉积方法制备硼掺杂金刚石(boron-doped diamond, BDD)薄膜电极,以典型的青霉素G钠为目标污染物,对BDD电极降解青霉素的规律及降解历程进行研究.结果表明,不同质量浓度的青霉素G钠在电极上均能够被完全降解,发生电化学燃烧.青霉素G钠和化学需氧量(chemical oxygen demand, COD)的降解符合一级反应动力学,电流密度从10 mA/cm²提高到20 mA/cm²时,青霉素G钠和COD的反应速率常数分别增加了51.3%和29.1%.BDD电极上青霉素G钠的降解主要受液相传质过程控制,电流效率(current efficiency, E_C)与青霉素G钠的质量浓度和电流密度有关.得到了青霉素G钠在BDD电极上的降解历程,主要的中间产物有青霉酸、异构青霉酸、青霉烯酸和青霉噻唑酸.     

硼掺杂对直流热阴极CVD金刚石薄膜生长特性的影响

采用直流热阴极CVD法以B(OCH3)3为掺杂剂制备了硼掺杂金刚石薄膜,利用等离子体发射光谱、SEM、Raman和XRD研究了硼掺杂对金刚石薄膜生长特性的影响,通过与未掺杂金刚石薄膜的对比发现:在直流热阴极CVD系统中,低浓度硼掺杂条件下能够长时间维持稳定的辉光放电. 掺硼后辉光等离子体活性基团(Hα、Hβ、C2、CH)的种类没有改变,但C2基团的浓度升高,而CH基团的浓度下降,薄膜的生长速率提高到0.65mg·cm-2·h-1. 硼掺杂金刚石薄膜为多晶薄膜,晶体生长良好,取向以(111)晶面为主,质量较未掺杂薄膜有所提高. 硼原子以取代或填隙的方式掺杂进入金刚石晶格,没有破坏金刚石晶体结构.     

Investigation on tribological behaviors of neodymium dialkyldithiophosphate

Neodymium dialkylthiophosphate (NdDDP) with alkyls of isopropyl and isooctyl were synthesized by exchanged reaction respectively. The structures of the two NdDDPs were determined using IR and XRD. Properties of anti-wear and friction-reducing of the two additives were investigated with four ball experiment and the commercial anti-wear additive ZDDP was selected as control. The elemental analysis of the wear scars after 10s friction at low stress were investigated by EDXA ( Energy Dispersion Analysis of X-ray). Primary results showed that the NdDDPs possess better lubrication ability than ZDDP. This might mainly be contributed to the formation of a boundary film containing Nd2O3, FeS and sulphate, phosphate, organo-sulfide,etc.,and a neodymium-rich diffused layer which changes the crystal structure of the surface of friction materials.     

隐身技术与隐身材料研究进展

隐身技术与隐身材料在现代国防体系中具有非常重要的意义。本文对雷达隐身技术和红外隐身技术的原理做了系统阐述,并介绍了各种雷达隐身材料和红外隐身材料的国内外研究进展,主要包括多晶铁纤维、手性吸波剂、导电高分子等雷达隐身材料以及低发射率和控制目标温度的红外隐身材料。对智能隐身材料以及多功能一体化隐身材料在隐身材料的未来发展中的作用和趋势进行了分析。     

多晶铂电极电催化氧化苯酚的电化学过程

采用循环伏安(CV)、Tafel曲线、交流阻抗(EIS)等方法研究苯酚在多晶铂电极上的电氧化过程.在扫描速度分别为10 mV/s、20 mV/s、50 mV/s、100 mV/s和200 mV/s时,以0.25 mol/L的Na2SO4为支持电解质,考查500 mg/L苯酚在铂电极上氧化的CV曲线变化规律.测试表明发生了不可逆的电氧化反应,氧化峰位置为0.926 V(vs.Ag/AgC l,扫描速度50 mV/s,).苯酚氧化峰电流值与CV扫描速率的关系表明苯酚的氧化反应是由扩散过程和吸附过程共同控制的电化学氧化过程.分别选用0.1和1.0 mol/L的H2SO4溶液为电解液,测试Pt电极析氧反应的Tafel曲线,Tafel斜率为149 mV.采用EIS分析苯酚的电氧化反应,结果表明在高频段存在苯酚吸附的特征容抗弧.     

乙酸钠为基质的微生物燃料电池产电过程

以多孔碳纸为阳极,耐水性电催化材料为阴极,设计了无媒介双室微生物燃料电池(MFC).以厌氧污泥为出发菌株,乙酸钠为底物,外接一定负载条件下,进行MFC产电过程研究.分别研究进水质量浓度在800 mg/L,1200 mg/L,1600 mg/L,2000 mg/L,以及在外电阻条件为400Ω、600Ω、800Ω、1000Ω,水力停留时间48 h时,负载两端的电压、功率密度、电化学池中生物量(VSS)和出水COD的变化规律.结果表明,进水质量浓度升高时,阳极池内生物量减少,COD去除率降低,MFC功率密度提高.在进水乙酸钠质量浓度为2000 mg/L时,MFC最高功率密度为35.71 mW/m2,电流密度为345 mA/m2.外电阻阻值降低后,平均出水COD升高,MFC电流升高,阳极池微生物产电能力增强.     

低温预处理对萝卜种子发芽的影响试验

为探究种子发芽检验方法中预先冷冻处理对萝卜种子发芽的影响,试验以4℃、6℃、8℃、10℃进行雪月萝卜种子低温处理,以不冷藏为对照,筛选最适合萝卜种子发芽的最适冷藏温度。用7d、8d、9d、10d、11d的时间对萝卜种子进行冷藏时间比较。另进行了纸上、纸间、砂上三种发芽方式比较,同时进行大田直播种植。试验结果表明：不同低温预先冷冻处理中以6℃发芽率和发芽势最高,8℃、10℃、4℃依次降低,4℃、6℃、8℃、10℃冷冻后的发芽率极显著优于对照组发芽率,6℃、8℃、10℃冷冻后的发芽势极显著优于对照组发芽势。冷藏时间以10d较好。不同发芽床比较结果以纸上发芽率、发芽势最高,砂上次之,二者均优于纸间发芽率。以8℃预先冷冻处理的种子发芽率与大田直播的最为一致,6℃、10℃处理的种子发芽率与大田直播的较为一致。     

Ce掺杂钛基二氧化锡电极的制备及电催化性能研究

采用高温热氧化法制备了稀土Ce掺杂SnO2/Sb电极,以SEM、EDX、XRD以及XPS等分析方法对所制备电极进行了形貌、组成及结构的表征,并根据Scherrer公式计算了电极表面SnO2的平均晶粒尺寸.结果显示,所制备电极涂层由纳米级的微晶SnO2构成,Ce的掺杂使Sb向电极表面富集,同时Ce本身也有向电极表面富集的趋势;Ce的掺杂影响了SnO2晶粒的成核过程,可能减少了晶格中的氧缺位.对苯酚的电化学氧化降解实验研究表明,Ce的掺杂降低了SnO2/Sb电极对苯酚降解中间产物的降解效率.     

一株利用木糖用于酒精生产酵母菌的筛选

为获得高效发酵木糖生产酒精的菌株,从牛羊粪便的堆积处进行木糖利用菌的分离筛选,获得一株利用木糖的菌株,根据菌株的生理生化和分子生物学特性,鉴定该菌株为热带假丝酵母(Candidatropicals).以逐渐提高底物中木糖浓度的方法,对该菌株利用木糖的能力进行了驯化,同时对该菌发酵木糖生产酒精的工艺和发酵培养基组分进行了优化.驯化后,在厌氧条件下,木糖浓度在7%,木糖利用率为65.2%,酒精产率达到理论产量的21.9%.在优化培养基的条件下,以木糖/葡萄糖混合糖为碳源,控制pH为5.5,温度35℃接种量为10%,厌氧培养96 h,木糖和葡萄糖转化的酒精产量分别为理论产量的37.7%和79.2%,同时伴有30.2 g/L的木糖醇产生.实验结果表明,该菌株具有较高的木糖和葡萄糖的利用能力,是具有同时发酵葡萄糖和木糖产酒精的天然菌株.