硅集成液体流量传感器

本文介绍了硅集成液体流量传感器的结构、工作原理和新颖的背面敏感封装技术。理论和实验结果表明，这种传感器具有很高的灵敏度，特别适合于液体小流量的测量。     

硅晶体管禁带宽度的测量确定方法

禁带宽度是硅晶体管的一个重要的物理参数.本文提出了利用pn结反向饱和电流和正向压降的温度特性,借助于线性外推法确定硅晶体管中禁带宽度的新方法.在重掺杂区,本文考虑了载流子的费米-狄拉克统计分布.本方法主要取决于直流参数的温度特性,所以所得结果比较精确.本方法也比较简便,便于实用.     

用表面微机械加工技术制成的流速传感器

本文介绍用表面微机械加工技术制成的多晶硅桥形温敏电阻及其在流速传感器中的应用。“桥体”和“桥墩”材料分别为多晶硅和二氧化硅。流速传感器的实验结果表明,在流速为10cm/s下输出可达380mV。     

簿栅介质膜的电特性研究

本文介绍在引进的CMOS生产线上,利用等温两步氯化氢氧化技术,研究工业化大生产中薄栅介质膜的电流-电压特性及其击穿特性,结果表明,合理的清洗方法是制备高质量氧化膜的前提,等温两步HCl氧化技术是工业化大生产中行之有效的方法.     

MOS器件高温特性的解析模型和模拟

详细研究了利用解析模型模拟器件特性的方法，提出了ＭＯＳ器件高温特性的解析模型及模拟程序的结构框图。模拟结果表明，漏结泄漏电流是影响ＭＯＳ器件高温特性的主要因素。     

SOI材料MOS器件高温特性的模拟

本文介绍了ＳＯＩ材料ＭＯＳ器件内部特性（杂质浓度分布、载流子浓度分布、电流密度分布及电势分布）在３００Ｋ和５３７Ｋ条件下的模拟结果，并进行了理论分析和验证。     

氮化铝薄膜的实验研究

一.引言近年来国内外对氮化物的研究比较活跃,因为氮化物具有许多独特的优点。例如TiN、TaN、si×Ny等膜的性能稳定,硬而且耐腐蚀,TaN和TiN呈金黄色,可做装饰品,是引人注目的新材料。氮系Ⅲ—Ⅱ族化合物GaN、TnN是低阻材料,可以制做发光器件。高阻氮化铝是人们最感兴趣的氮化物之一,它具有高的声速(6×10~3M/s)、大的压电耦合系数(K~2％=0.8)、禁带宽度大(6.0～6.3ev),化学和热稳定性好,绝缘强度高(电阻     

体硅、SOI和SiCMOS器件高温特性的研究

首先介绍了体硅 MOS器件在 2 5～ 30 0℃范围高温特性的实测结果和分析 ,进而给出了薄膜 SOI MOS器件在上述温度范围的高温特性模拟结果和分析 ,最后介绍了国际有关报道的Si C MOS器件在 2 2～ 4 50℃范围的高温特性。在上述研究的基础上 ,提出了体硅、SOI和 Si C MOS器件各自所适用的温度范围和应用前景