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文章应用以太网技术和TCP/IP协议,设计了一种基于网络化虚拟仪器的多电机测控系统,介绍了基于虚拟仪器的电机测控系统的组成,详细介绍了基于网络化虚拟仪器的多电机测控系统的软、硬件设计。该系统采用LabVIEW软件开发平台和Web开发技术,自动化和智能化程度高,实现了对多个电机的本地和远程测控,有效降低了开发成本,提高了开发效率,实现了资源共享。 相似文献
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我国以煤为主的能源结构以及日趋严格的氮氧化物排放标准催生了选择性催化还原法(SCR)脱硝技术的广泛应用,由于化学失活或物理结构破损等导致大量的废弃脱硝催化剂产生,造成严重的环境污染.然而,SCR催化剂的主要成分钒、钨、钛等有价金属具有重要的经济和战略价值.随着SCR催化剂的广泛使用,脱硝领域将面临严峻的环境污染和资源浪费问题.针对从废SCR催化剂回收TiO2、WO3、V2 O5等金属元素,目前主要有酸法、碱法或氯化法等主要回收技术路线.在此过程中,通过化学反应,催化剂中钒、钨、钛等金属转变为其他形式化合物或进入到液相,再经过氧化、水解、结晶及煅烧等反应过程,实现产物分离以及产品性能提升的目的.回收的TiO2既可以作为催化剂的载体,也可以用作涂料、光催化剂等其他材料;WO3、V2 O5、MoO3等可以直接作为原料用于脱硝催化剂再生或制备中,也可用于生产其他化工产品.从我国特有的煤电局面,以及钒、钨、钛冶金工业为基础,以资源循环利用的未来绿色化工为理念,从废脱硝催化剂的成分及原料性质出发,建议因地制宜、因时制宜及因材制宜地选择技术路线和生产.通过冶金和化工过程回收其有价金属,从强化工艺、高效回收利用、清洁生产三个方面考虑,探索低温反应降低能耗,减少酸碱用量、水耗,缩短工艺流程,提高产量和品质,从而优化整合出一套适合于废SCR脱硝催化剂回收的工艺,实现脱硝催化剂"生产-再生-回收"绿色循环.本文归纳了废钒-钛系脱硝催化剂回收的研究进展,分别对酸法、碱法和氯化法回收钛白,以及钒-钨分离提纯工艺等进行介绍,分析了废脱硝催化剂回收面临的问题并展望其前景,以期为开发出一套高效清洁的废脱硝催化剂回收技术提供参考. 相似文献
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塔里木石油勘探公司在库尔勒布和轮南作业区设有两个较大的生活基地。两个基地的规模,地理位置,气候条件以及其它相关的环境因素存在较大差异。形成了两个基地供热系统的不同特点。本文从五个方面分析了这两个生活基地供热系统的设计得失,说明了供热系统设计中应遵循的一些一般原则。 相似文献
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随着火电厂超低排放改造的完成,产生了成本增加、喷氨超标等问题。通过机器学习对电厂运行数据建模和优化成为解决这一问题的重要手段。综述了NOx减排中常用的机器学习算法及其应用场景。在算法方面,归纳了数据预处理、算法模型和模型参数优化3个过程的研究现状,给出了各个过程多种机器学习算法的应用情况及适用性,提出了变工况数据预处理方法、多目标优化中目标函数的构造方法等未来研究方向。在应用层面,总结了机器学习在炉内低氮燃烧、选择性催化还原(SCR)烟气脱硝系统运行优化、全系统综合节能降耗等过程的实施方法及其运行效果,展望了长周期动态建模控制及多电厂联合建模等未来应用场景。 相似文献
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刘子林 《数字社区&智能家居》2005,(9):18-19
本文简要介绍了Gdisk的主要功能特点,提出了使用Gdisk管理硬盘分区的常规方法和一般操作步骤,通过示例来说明了Gdisk批处理文件的建立。 相似文献
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Amorphous indium-gallium-zinc oxide (IGZO) transparent conductive thin films are prepared on glass substrates by radio frequency (RF) magnetron sputtering. The effects of seven factors, which are substrate temperature, sputtering atmosphere, working pressure, sputtering power, annealing temperature, negative bias voltage and sputtering time, on Hall mobility, transmittance and surface roughness are studied through orthogonal experiments. The results show that the effects of working pressure, substrate temperature and sputtering atmosphere on performance of films are the most prominent. According to the experimental results and discussion, relatively reasonable process parameters are obtained, which are working pressure of 0.35 Pa, substrate temperature of 200 ℃, sputtering atmosphere of Ar, sputtering power of 125 W, sputtering time of 30 min, negative bias voltage of 0 V and annealing temperature of 300 ℃. 相似文献