InGaAs/GaAs应变量子阱激光器MOCVD生长研究

采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法生长了InGaAs/GaAs应变量子阱(QW),通过降低生长温度、提高生长速度以及采用应变缓冲层(SBL)结构,改善了应变QW生长表面质量和器件荧光(PL)谱特性,实验表明,通过优化工艺条件和采用SBL等手段提高了应变QW质量。生长的QW结构用于1054 nm激光器的制作,经测试,器件具有较低的阈值电流和较高的单面斜率效率,性能较好。     

体交应振荡器的频率温度补偿研究

本文分析了体效应振荡器温度特性不佳的主要原因，提出了变容管调谐的温度补偿方法，阐述了补偿原理，并给出了实验结果，实践证明，该方法具有良好的补偿效果。     

热带轧机精轧压下液压缸位置控制

结合武钢热轧厂精轧压下系统,阐明了高压、大流量、双伺服阀液压缸自动位置控制(HAPC)的基本特点,描述了各模块功能分配和信号流程,介绍了相关C语言块实现的功能,具有普遍的指导意义。     

KGPS—JY型可控硅中频电源的研制

介绍KGPS—JY型可控硅中频电源的研制目的、工作原理、电气参数 ,优点及应用。本产品主要特点是 :线路结构简单、维护容易、故障率低、自动调节性能良好、操作方式简单。新型可控硅中频电源的研制 ,彻底克服了同类产品结构复杂、价格昂贵、故障率高、维护困难等缺点 ,真正做到了质优价廉。     

氨纶聚合反应中的平均相对分子质量计算

根据高分子化学的逐步聚合理论,提出了氨纶预聚和扩链反应中聚合物平均相对分子质量计算的方法,对氨纶聚合工艺配方设计有重要的指导意义。     

梅山干磁尾矿选别现状及改进

对梅山铁矿干磁尾矿生产流程的现状及存在问题进行了分析，简介了大粒度跳汰机和美国强力磁选机的工业试验情况，比较了几种选别设备的分选效果，并提出了改造建议。     

梅山铁矿预选工艺研究

分析了梅山铁矿选矿厂磁重预选工艺存在的主要问题，通过对75－12mm,12-2mm,2-0mm 3个粒级的试验研究，提出了明确的改造方案，为今后优化流程结构，减少金属流失，促进现有工艺流程改造奠定了良好的基础。