无毒和低毒防污涂料的研究进展及存在问题

防污涂料作为一个有效解决海生物污损的方法,在船舶、海洋水下设施上得到广泛应用。随着环保意识的增强以及各种相关规定的制订,各国开始竞相研制开发新型无毒和低毒防污涂料。本文在介绍无毒和低毒防污剂、防污涂料的种类、研究现状、应用效果的基础上,论述了从防污剂的筛选到防污涂料实船实验的一系列研制过程以及研制过程中存在的问题,并对未来的发展方向进行了展望。     

冶金法制备太阳能硅过程的湿法除硼研究

湿法提纯作为冶金法路线制备太阳能级硅前处理工序,可去除大部分铁铝等碱金属及硼杂质,提高最终产品收率。实验考察了湿法除硼过程主要工艺因素:浸出剂浓度、温度、时间、搅拌等对产品纯度的影响,采用SEM对产品进行表征。当工艺条件为c(HNO3)=6.5 mol/L,c(H2SO4)=6 mol/L,温度120℃、时间4 h,处理后产品中杂质质量分数为3.574×10-6,湿法过程单元的去除率为44.58%。实验结果为高等级太阳能级硅制备工业化开发大幅度降低成本提供了技术基础。     

固溶处理对铸造Ti2.5Al1.5MoZr钛合金组织和性能的影响

对铸造Ti2.5Al1.5MoZr钛合金在不同固溶温度、不同冷速条件下的显微组织和力学性能进行了研究。结果表明:在850~920℃范围内,随固溶温度的升高,该合金的显微组织逐步细化,短棒状初晶α相增加明显,α相间距增大,残留β相和转变马氏体增加,强度增加,塑性降低;随固溶冷却速度的增加,组织中的魏氏体逐渐减少,网篮状组织明显增加,初晶α相出现短棒化趋势,强度增加,塑性降低。     

填料对吸声涂层材料性能的影响

用自制改性的硅橡胶材料作吸声涂料基料,研究了不同填料对硅橡胶材料吸声性能的影响。结果表明：石墨、空心微粉能够改善硅橡胶吸声性能;其中。石墨能明显提高硅橡胶材料平均吸声系数,且平均吸声系数随石墨用量的增大而增大;石墨用量以20份为宜。     

迈陈凹陷东部构造演化及其对构造样式的影响

根据地震、钻井、测井资料,将迈陈凹陷新生界自下而上划分为长流组一流沙港组、涠洲组和新近系—第四系3个构造层,分别对应凹陷的陆相断陷、断拗过渡和海相拗陷3个构造演化阶段.这3个演化阶段之间的转变导致了凹陷构造格局的2次转变:始新世末期盆地构造格局由北东向转为近东西向;古近纪末期盆地整体抬升剥蚀,由断陷转变为区域拗陷.下部构造层区域应力以纯拉张为主,主要发育伸展构造样式;中部构造层区域应力场以拉张-走滑为主,主要发育伸展-走滑构造样式;上部构造层断裂发育较少或不发育.     

北部湾盆地迈陈凹陷油气成藏期次、特征及模式

北部湾盆地迈陈凹陷在斜坡带、断裂带等不同区带分别发现油气藏，为查明不同区带油气藏的油气成藏期次与特征，利用流体包裹体分析技术在迈陈凹陷开展了储层流体包裹体特征描述和成藏期次、成藏过程的研究。研究表明，迈陈凹陷至少存在3期油气充注成藏，分别是早中新世下洋组沉积时期、中中新世角尾组沉积之后、中新世末灯楼角组沉积之后。三期油气成藏具有不同的成藏特点:I期成藏油气沿断裂呈"管流"运聚成藏，Ⅱ期成藏油气沿连通裂隙呈"网流"运聚成藏，Ⅲ期成藏油气沿有限连通孔隙"渗流"运聚成藏。结合实例建立了迈陈凹陷不同区带的成藏模式:斜坡带为侧向运移为主、垂向运移为辅的油气成藏模式，断裂-深凹带为垂向运移为主、侧向运移为辅的油气成藏模式。     

采用光学干涉方法实现高对比度聚合物发光二极管

为了得到高对比度的聚合物发光二极管（PLED）．设计并制作了消光干涉结构位于有机层之外的新型聚合物二极管。消光干涉层的结构为：CrOx／Cr／1TO／Cr。在玻璃衬底和ITO阳极之间溅射的光学干涉层可以部分消去背景光的反射。这种方法不需要考虑光学干涉层和OLED或PLED材料之间功函数匹配．以及在溅射过程中对有机层的损伤等问题。制作的器件的对比度为14．7：1．这比没有采用光学干涉结构的器件的对比度要高得多。结果说明新型的光学干涉结构确实起到了提高器件对比度的效果，对器件参数的进一步优化有望达到一个实用化目标。     

基于VR技术的油浸式变压器电气试验实操培训系统设计与应用

<正>基于虚拟现实（VR）技术的油浸式变压器电气试验实操培训系统,以头戴式VR设备为互动平台,通过试验全流程设计、试验环境三维建模和人机交互设计,实景模拟变压器场景,还原真实试验流程,帮助试验人员在不具备实训条件的情况下开展自我培训,同时实现了考核与训练两种培训模式的集成。     

微胶囊电泳显示与TFT-LCD之比较分析

对微胶囊电泳显示与TFT-LCD显示进行了对比研究,讨论并分析了它们在显示原理、电路的驱动方式和灰阶实现、像素设计以及显示性能等多方面的不同特性,并对微胶囊电泳显示的应用前景做了简要介绍和预测。     

低阻α-Ta栅电极材料的制备与研究

研究了溅射Ta膜的电学和结构特性与N2气分压的关系.并确定了电学性能稳定低阻α-Ta薄膜(电阻率34μΩ·cm)的制备工艺条件.