征订及书讯

《电加工与模具》为双月刊,国内外公开发行。广大读者可在当地邮局订阅,也可直接向本刊编辑部邮购。每期定价5.50元,全年6期共33元。 　　邮发代号：28-36 　　地址：苏州市人民路531号 　　邮编：215005 　　电话：：0512-7274541 　　传真：0512-7778215 数控电火花线切割加工技术 　　内容包括：数控电火花线切割原理;电火花线切割机床;线切割编程;线切割微机编程;线切割控制;电火花线切割脉冲电源;电火花线切割工艺;电火花线切割机床的精度检验方法。本书由张学仁教授主编。 电火花加工技术 　　讲述电火花加工的原理和机理,电火花穿孔、成型加工的机床、脉冲电源、控制系统、工艺规律及各类典型模具和零件的加工实例和要点。本书由赵万生教授主编。 　　● 每本书定价加邮费均为18元 　　● 购书款请汇至：［215005］苏州市人民路531号 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　《电加工与模具》编辑部     

AMRAY-1000B扫描电镜透镜系统

AMRAY-1000B扫描电镜透镜系统的工作参数已由厂家存储在编程ROM中.透镜电流的变化由计算机控制,计算机接受面板操作指令.具体是:面板操作→计算机响应→调数据→数据缓冲器→数模转换(D/A)→激励功放与反馈→透镜线圈.下面对该系统的电路、故障检测方法与步骤进行分析和讨论.     

低信噪比下抖动的红外弱小目标的实时检测

文章根据实时测量需要,结合硬件提出了一种快速算法。在分析红外点目标、噪声及杂波模型的基础上,通过去除温度非线性及选择合适的高通模板的预处理,有效地抑制了噪声,提高了信噪比,从而达到复杂背景下红外点目标检测的目的。已成功研制了一种红外处理系统,它实时完成了弱小目标的有效检测和精确跟踪。     

激光烧蚀形成精密光学元件

用传统的抛光法精确塑造光学元件,得到低波前畸变是一项极其困难的任务,特别是那些大于50 cm或小于1 cm的光学元件。无论大的还是小的光学元件,波前测量都很困难。 如果可以同时制造和测量光学元件就方便多了。对中等大小的光学元件也很方便,但在处理中等大小光学元件时,有好几种方案。 大阪大学激光工程研究所的Jitsuno及其同事已开发一种技术,可同时进行整形和相位测量,波前畸变很小。这种技术称作激光烧蚀成形,它用193 nm ArF准分子激光来塑造光学器件,用相移干涉仪现场检测像差。 研究者试图用这种方法来塑造玻璃和石英,但碎片使表面粗糙,难以接受。但对于塑料,烧蚀下的材料与大气中的O2反应,碎片量可忽略不计。把塑料的均匀烧蚀性能与玻璃的优秀光学性能结合,在玻璃基质上镀一层50 μm厚的紫外线干燥树脂。 实验者使用准分子激光器,在直径为5 cm的玻璃-塑料混合基质上产生平面和球面。使用的光通量为45 mJ/cm2,使表面粗糙度降至最低。 激光烧蚀整形可以在安装以后重新形成激光二极管的微透镜,以补偿位置误差 平面的波前畸变开始点为3.0 λ,激光烧蚀后,在90%的表面上降至0.17 λ。球面开始点为2.5 λ,用整形法产生波前少于0.2 λ的非球面部件。激光器在17 Hz下操作,过程耗时4小时。一台性能良好的标准抛光机要花费6小时方能使玻璃基质达到同样的水平。 激光烧蚀整形能达到的精确度和表面粗糙度使其在通用光学器件方面有广泛用途,亦可用于折射光学器件的背面整形,可能特别适用于激光二极管的微透镜或单模光纤,因为在装配以补偿位置误差后,它还可以重塑表面。 研究者发表其结果后,一直在这一领域进行实验。因为在激光二极管中有波前误差,转而使用Shack-Hartman传感器,这种传感器在聚甲基丙烯酸酯中产生的表面波纹更加敏感。最近,他们借助一台新的脉冲CO2激光器,成功地用烧蚀法平滑表面。经证明单模光纤更容易,但表面粗糙度仍不令人满意。     

重复率2 kHz、输出10 W的ArF准分子激光器

日本ウシオ电机株式会社批量生产标准样机,开发了一种重复率2 kHz、输出10 W的ArF准分子激光器。其稳定性±0.25%、线宽0.4 pm、脉宽50 ns,性能达到世界最高水平。 ArF激光波长为193 nm,可用作生产线幅0.10～0.13 μm半导体的光刻用光源。 该公司还利用相同的ArF激光器,在世界上首次实现重复率4 kHz、输出20 W的基本性能。 (以上由江涛供稿)     

量子数据库速度研究

在原子的量子位相中存储信息的潜在优点是数据恢复的速度。理论家在1997年提出的算法可在N状态系统中以N步设置数据,而不是像在经典的算法下,以N/2步设置数据,数据库可以进一步寻求以单步设置。 密西根大学研究人员以实验证实了理论。他们以双光子吸收法,用1.08 μm的激光创建铯原子的“数据库”。啁啾脉冲放大的Ti宝石激光器提供150 fs,785 nm的脉冲,用来编制原子程序和恢复信息。以80%～96%的精度确认单个询问的信息。     

作毫米波开关的应变层PIN二极管

ＤａｉｍｌａｒＣｈｒｙｓｌｅｒＲｅｓｅａｒｃｈＣｅｎｔｅｒａｎｄＵｍｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＵｌｍ首先报道了在ＧａＡｓ衬底上生长应变Ｉｎ 0 52Ｇａ 0 4 8ＡｓＰＩＮ二极管 ,并可用作开关ＭＭＩＣ。由于其底的开启电压和低的开启电阻 ,ＩｎＰ基ＩｎＧａＡｓＰＩＮ二极管胜过ＧａＡｓ开关电路 ,同时还具有低的ＤＣ功率以及极高的隔离度。为了避免ＩｎＰ衬底的有关工艺问题 ,采用ＭＢＥ方法把应变层ＩｎＧａＡｓ二极管生长在ＧａＡｓ上 ,采用线性ＩｎＡ1Ａｓ应变缓冲层 ,其结果是消除 94 %的应力。已报道的ＳＰＳＴ隔离度高达 4 5ｄＢ …