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铝在超大规模集成电路(VLSI)金属化中存在着一系列影响互连可靠性的因素。但是,铝仍是多层互连结构有前途的材料,尤其是用电子束蒸发制作所谓“竹节结构”(bamboo struct)连线获得了理想的结果。在高真空条件下,电子来蒸发耐熔金属可以在相当低的温度下(550~650℃)获得高质量的硅化物层(TiSi_2、CoSi_2),可避免与硅接触的地方产生强应力。用钨作阻挡层和连线比Al更有前途,这首先是因为耐电迁移强度差不多要高两个数量级。对于淀积平整的介质层来说,把蒸气混合物激励淀积到负温度衬底上是有发展前途的工艺。 相似文献
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磷化膜与阴极电泳涂膜的配套性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
为解决汽车阴极电泳涂装的质量问题,探索了磷化膜在阴极电泳涂装过程中的微观变化及其对涂层性能的影响;研究了磷化膜结构及组成(P比)对阴极电泳涂膜性能的影响,获得了评价磷化膜与阴极电泳涂膜配套性的最有效的方法。 相似文献
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