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31.
3块Zr-4板经过800℃真空热轧扩散焊接的样品,在400℃过热蒸汽中腐蚀150天后会发生重新开裂,用光学显微镜观察样品截面上显微组织的变化;用微区成分分析方法研究了焊接面处与基体成分之间的差别.结果表明:焊接面上C元素的污染引起焊接面耐腐蚀性能的变坏,以及氧化-氢化联合作用导致了焊接面的开裂.  相似文献   
32.
采用调质处理后热时效模拟方法,用原子探针层析成像技术研究了核反应堆压力容器模拟钢中富铜纳米团簇的析出过程.模拟钢经880℃加热水淬,660℃高温回火调质处理,并经400℃时效处理1000 h后基体中析出了富铜纳米团簇.使用MSEM(maximum separation envelope method)方法重点研究了富铜纳米团簇在析出早期阶段成分变化规律.结果表明,富铜纳米团簇容易在镍含量较高的位置形核,并随着富铜纳米团簇中铜原子聚集程度的增加,纳米团簇中心处铜含量逐渐增加,镍含量逐渐减少;在纳米团簇与α-Fe基体界面处,镍和锰含量逐渐增加,形成了富镍和富锰包裹富铜纳米团簇的结构.结合实验结果讨论了压力容器钢中合金元素镍及杂质元素磷会增加中子辐照脆化敏感性的原因.  相似文献   
33.
不同介质对Zr-4合金氧化膜结构的影响   总被引:3,自引:0,他引:3  
为了解释锆合金在LiOH水溶液中耐腐蚀性能降低的原因,将3组粉状Zr-4合金样品分别放在500℃空气中、500℃过热蒸汽中和350℃的0.1mol/L LiOH水溶液中进行腐蚀,当氧化膜厚度约为1.5gm时,用XRD分析这3组样品的晶体结构。将一片状Zr-4合金样品在350℃的0.04mol/L LiOH水溶液中腐蚀2d,用SIMS检测Li^ 和OH^-在氧化膜剖面上的分布。根据实验结果提出OH^-在氧化膜中比O^-2扩散速度快,使t—ZrO2加速向m-ZrO2转变,导致Zr-4合金腐蚀速度加快。  相似文献   
34.
核反应堆压力容器(RPV)模拟钢样品经过660℃调质处理和370℃时效3000 h后,用原子探针层析法研究了晶界和相界面上原子偏聚的特征.结果表明,Ni,Mn,Si.C,P和Mo在晶界处均有不同程度的偏聚,偏聚倾向由强到弱依次为:C,P,Mo,Si,Mn和Ni.Cu在晶界处会出现贫化现象.Si在晶界上的偏聚程度与晶界的特性有关.在这几种元素中,C在晶界上偏聚的宽度最大,如以成分分布图中浓度峰的半高宽来比较,C的偏聚宽度是Mn,Ni和M0的1.5倍.在富Cu相与α-Fe的相界面处,Ni和Mn有明显的偏聚,而C,P.Mo和Si倾向偏聚在相界面的α-Fe一侧,且偏聚的程度比晶界处的低.  相似文献   
35.
36.
刘文庆  张佳雯 《包装工程》2020,41(8):193-197
目的反思当代产品设计中存在的美与丑现象,并探究其在现有产品设计中的表现形式及未来发展方向。方法以艺术史为基础,在审美艺术随着时代的变化而转变的大背景下,通过对艺术现象收集得出审丑在社会发展、文化转型中发生的变化,阐述丑在当代产品设计中的表现及应用,并探究未来发展方向。结论审丑成为一种新的审美范畴,它是美的另外一种表现形式。艺术家通过审丑获得情感上的宣泄和救赎,或批判现实,或寄托情感。重新审视当代中国的审丑现象,寻找美与丑之间的平衡。产品设计中的设计美需要设计师找准产品设计与大众之间、传统文化之间的平衡,理性及清醒的头脑形成自己对美与丑的认识。  相似文献   
37.
本文推导了同时计算对称复合材料层板面内和厚度方向泊桑比的计算公式,其计算结果与其它文献的计算结构完全一样,且与实验值符合得很好,最后分析了央内泊桑比和厚度方向泊桑比的关系。  相似文献   
38.
本文推导了计算多向复合材料层板弹性模量的公式,计算结果与实验结果符合得很好。  相似文献   
39.
将最后一次冷轧前的Zr-1·0Nb合金分成三组,在680℃、800℃和1000℃分别保温5h、1h和0·5h,最后一次冷轧后将在680℃和800℃处理的两种样品分组在500℃和560℃分别保温30h和10h后空冷,将在1050℃处理的样品在560℃保温10h后空冷,得到五种热加工工艺不同的样品,分别标记为680℃/500℃、680℃/560℃、800℃/500℃、800℃/560℃和1000℃/560℃。将它们放在350℃,0·01mol·L-1LiOH水溶液中进行腐蚀。图1为经过不同热处理的Zr-1·0Nb合金样品在LiOH水溶液中的腐蚀增重曲线,可以看出耐腐蚀性能按800℃/500℃、680℃/500℃、800℃/560℃、680…  相似文献   
40.
采用原子探针层析技术(APT)等测试手段分析了LT24铝合金热轧后合金元素的偏聚规律。结果表明:热轧态铝合金晶粒内部有成分为Al0.5Mg(Si0.7Cu0.3)的析出相,析出相与基体之间的界面处没有元素偏聚。溶质原子Mg、Si、Cu在晶界处偏聚,在晶界处的偏聚规律与晶粒内部的相反,Cu的偏聚倾向远大于Si和Mg,晶界处Cu的含量达到基体Cu含量的45倍左右。基于实验结果,讨论了合金元素偏聚的规律及其对材料性能的影响。  相似文献   
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