基本初等函数的保密云计算服务协议

目前云计算已经成为解决很多问题的一个有力平台,同时也带来了大量的安全隐患。其中,关于基本初等函数的保密计算是所有云计算的基础和核心。 提出了所有基本初等函数的保密云计算服务协议,其基本思想是将原始数据做变换后,把计算复杂部分发给云平台,通过云计算将结果反馈给接受服务方,从而保密地计算相应函数。通过广泛接受的模拟范例证明了协议的安全性。协议中接受计算服务方可用很少的计算资源解决复杂的计算问题,保证了较低的计算复杂度和通信复杂度,因此提出的协议是有效可行的,可以成为云保密计算中的基础子协议。     

SCR脱硝系统液氨气化器和混合器设计与测试

论述了液氨气化器和文丘里混合器在选择性催化还原(SCR)脱硝工艺系统中的应用,液氨气化器换热面积的设计计算及验证测试方法,文丘里混合器的结构设计计算和验证测试方法.     

密度天平法测定聚乙烯树脂密度方法的探讨

通过试验考察了密度天平法测试聚乙烯树脂密度的重复性和准确性, 同时对比了密度梯度法测定聚乙烯密度的结果,两种方法测试结果能满足现密度方法要求的准确度和精密度范围,重复测定两结果之差：高密聚乙烯树脂≤0.0005 g/cm3,低密聚乙烯树脂≤0.0003 g/cm3。两种方法可以互替,相互补充,并讨论了影响密度天平法测定因素。     

等压出油阀偶件结构与性能参数试验研究

以PW 2000喷油泵为基础,通过喷油泵性能测试对比研究与分析,研究在高喷射压力强化条件下,等压出油阀偶件回油阀开启压力、回油孔直径、回油阀座面角度对喷油泵泵端压力、嘴端压力、残余压力、喷油规律综合性能及燃油液力系统穴蚀、二次喷射的影响规律与程度。研究表明,等压出油阀偶件回油阀开启压力的高低直接影响系统残余压力的大小,加大回油孔直径、降低回油阀开启压力、增加回油阀座面角度不同程度地增加了回油量,降低了残余压力,这有利于解决二次喷射问题,但对喷油定时稳定性及解决燃油液力系统穴蚀问题不利。     

支撑柱刚度对新型有控结构的风振响应研究

针对一种带附加支撑柱的新型巨-子型有控结构(MSCS),建立了随机脉动风载下的动力方程,基于复模态理论,推导了MSCS在随机风载激励下的协方差函数、位移及加速度均方响应表达式;通过频域分析,讨论了附加支撑柱刚度比对MSCS风振响应的影响规律及其机理,对结构时域内的风振分析验证了频域分析的结论.研究结果表明:在子结构顶层和巨型粱结构层之间设置支撑柱,不仅能解决巨型梁的大跨度问题,而且能减小子结构的位移和主、子结构的加速度响应,当附加柱刚度大于一定值时,结构响应变化不大.工程设计时应综合考虑控制效果和安全性,选择合适的附加支撑柱刚度比.     

温度对液晶波前校正器响应速度及LUT的影响研究

温度起伏会对液晶器件的相位调制特性、响应速度有影响,从而影响自适应光学系统中的液晶波前校正器的相位调制精度。针对该问题,本文研究了温度对512×512像素的硅基液晶波前校正器(LCOS)的LUT(look-up table)的影响,正是由于LUT的变化导致其相位调制特性不同;实验测量了不同温度下LCOS的时间和相位响应特性,由此计算了对应的LUT,利用最小二乘拟合方法对得到的数据进行拟合,给出了16～26℃范围内的关系式,利用此关系式可以获得该温度范围内不同温度下合理的LUT。我们在LCOS上施加闪耀光栅灰度图后,对不同LUT下入射光束的衍射效率分别进行测量,结果表明我们利用关系式内对应温度下的LUT取代LCOS中固定值的LUT方法可以克服温度的起伏带来的影响,提高LCOS的相位调制能力。本方法对于液晶器件在自适应光学、显示等领域的应用也有帮助。     

离壁支护技术在软岩巷道中的应用

软岩巷道支护是当今地下工程中最难解决的工程技术问题之一，但是开发地下煤炭资源，在掘进过程中常常遇到具有软、弱、松、散等特点的软岩。论文根据软岩巷道的基本特点和巷道支护要求，提出一种新型支护形式——离壁料石碹支护，通过对离壁料石碹的受力分析，阐述了离壁料石碹的支护形式和支护机理，提出了离壁支护理论，进一步论述了壁后间隙在软岩巷道支护工程中所起到的让压作用。     

国产印刷电路板式换热器的首次工业应用研究

印刷电路板式换热器(PCHE)具有构造紧凑、传热效率高、可承受高温和高压、无管束振动、排放容积小以及安全性高等优点,在军工舰船、航空航天、海洋油气开采、石油精细化工及核工程等领域具有常规换热器难以比拟的优势。然而该设备的研制技术一直被国外公司垄断。为了推动我国PCHE的国产化进程,介绍了PCHE的结构、工作原理及工业应用情况,分析了PCHE研制过程中要攻克的关键技术,包括PCHE热力与结构协同设计、芯体板片的光化学蚀刻技术、芯体的真空扩散焊成型技术及PCHE的集成建造与检测评价技术,展望了PCHE在我国的市场前景。我国在PCHE的上游(换热芯体设计和传热计算)领域、中游(板片光化学蚀刻、真空扩散焊接)领域及集成建造方面已经拥有成熟的技术及经验积累,这将为该技术在我国实现全面国产化奠定基础。     

自对准InGaP/GaAs HBT单片集成跨阻放大器

对自对准 In Ga P/ Ga As HBT单片集成跨阻放大器进行了研究 .采用发射极金属做腐蚀掩膜并利用 Ga As腐蚀各向异性的特点来完成 BE金属自对准工艺 ,最终制作出的器件平均阈值电压为 1.15 V,单指管子电流增益为5 0 ,发射极面积 4μm× 14μm的单管在 IB=2 0 0μA和 VCE=2 V偏压条件下截止频率达到了 4 0 GHz.设计并制作了直接反馈和 CE- CC- CC两种单片集成跨阻放大器电路 ,测量得到的跨阻增益在 3d B带宽频率时分别为 5 0 .6 d BΩ和 4 5 .1d BΩ ,3d B带宽分别为 2 .7GHz和 2 .5 GHz,电路最小噪声系数分别为 2 .8d B和 3.2 d B.